• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Model for growth of fractal solid state surface and possibility of its verification by means of atomic force microscopy
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, куда смотрят дети и взрослые при чтении
Исследователи Центра языка и мозга НИУ ВШЭ совместно с зарубежными коллегами показали, что в конце первого класса у детей уже сформирован один из важных навыков движений глаз при чтении. Они, как и взрослые, быстро адаптируют длину саккад — быстрых скачков взгляда — к длине слов в предложениях. При этом место, куда приземляется взгляд, у детей смещено к началу слова, в отличие от взрослых, которые смотрят в середину слова. Чем выше беглость чтения, тем ближе эта позиция к центру. Результаты исследования опубликованы в Journal of Experimental Child Psychology.
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Model for growth of fractal solid state surface and possibility of its verification by means of atomic force microscopy

IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE). 2017. Vol. 256. P. 012026–012026.
Куликов Д. А., Потапов А. А., Рассадин А. Э., Степанов А. В.
Научное направление: Физика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: atomic force microscopyфрактал fractalатомная силовая микроскопия
Похожие публикации
Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan
Singapore: Springer Singapore, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.
Чибисов А. Н., Gnidenko A., Chibisova M. и др., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Density functional theory investigation on fast storage of sodium and potassium in Ni2TeO6 as a novel promising cathode material.
Wu Z., Yu Y., Чибисов А. Н., Materials Today Energy 2023 Vol. 37 Article 101414
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Ab Initio Study of the Influence of Spin and Orbital Magnetic Moments on the Stability of Magnetic and Charge Distribution in Co:ZnO Monolayer.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Quantum-mechanical prediction of the behavior of quantum trigger on a two-qubit cell of boron in silicene.
Чибисов А. Н., Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 71 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Functionalized Graphene for Acetone Sensing in Human Breath: DFT Investigations.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Effect of the Ordering of Sulfur Vacancies on the Electronic Properties of Molibdenum Disulfide Monolayers
Bulakh S., Чибисов А. Н., Srivastava A., Russian Microelectronics 2026 Vol. 55 P. 311–315
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Nanoscale interconnects of gold, copper, and aluminium-based mono-silicide nanotubes for next generation integrated circuits.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
Теоретические пределы обнаружения объектов в рассеивающих средах с использованием импульсного и непрерывного однофотонного лидара на основе сверхпроводниковых нанопроволочных детекторов
Ожегов Р. В., Махлуф М., Гольцман Г. Н. и др., Инженерная физика 2026 № 8 С. 27–39
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Analytical solution for cylindrical propagation of tsunami in the ocean of variable depth
Диденкулова Е. Г., Chugunov V., Didenkulova I., Wave Motion 2026 Vol. 147 Article 103787
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Champion soliton emergence from bipolar solitary wave interactions in the Schamel equation
Flamarion M., Диденкулова Е. Г., Пелиновский Е. Н., Physics Letters A 2026 Vol. 598 Article 132218
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Исследование свойств оптического покрытия на основе упрощенного симулятора процесса напыления
Исаев Т. Ф., Шаров А. Н., Журнал вычислительной математики и математической физики 2026 Т. 66 № 1 С. 83–93
Исследуются свойства оптических покрытий на основе использования упрощенного симулятора ошибок в толщинах слоев покрытий при их напылении. Обосновывается возможность такого подхода. Выводятся аналитические оценки среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и степени коррелированности ошибок в толщинах слоев покрытия. Изучается зависимость среднеквадратичного значения нормы вектора ошибок и свойств покрытия от уровня случайных ошибок в слоях. ...
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Prospects for an independent measurement of the l = 1, 2, 3 CMB anisotropy multipoles using the anisotropic Sunyaev-Zel’dovich effect
Осипова А. М., Пилипенко С. В., Novikov D. I. и др., Physical Review D - Particles, Fields, Gravitation and Cosmology 2026 Vol. 114 Article 063522
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Nanometer thick iron garnet films with high Faraday rotation
Gribova N. I., Osmanov S. V., Lyashko S. D. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2025 No. 614 P. 1–8
Добавлено: 4 октября 2026 г.
Enhancement of superconductivity by polarization of magnetic impurities in disordered films
Seleznev G., Fominov Yakov V., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074505
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Advances in colloidal anisotropic nanocrystals for high-efficiency light-emitting diodes
Жуков А. Е., Chen F., Zeng Y. и др., Nanoscale 2026 Vol. 18 No. 36 P. 19223–19253
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Improved measurement of Born cross sections for chi_bJ omega and chi_bJ (pi+ pi- pi0)non-omega (J = 0, 1, 2) at Belle and Belle II
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Journal of High Energy Physics 2026 Vol. 04 Article 101
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Observation of e+e- -> eta Upsilon(2S) and search for e+e- -> eta Upsilon(1S), gamma X_b at sqrt(s) near 10.75 GeV
Углов Т. В., Пахлов П. Н., Бодров Д. А. и др., Physical Review Letters 2026 Vol. D No. 113 Article L051102
Добавлено: 2 октября 2026 г.
Nanoscale Welding and Strain-Engineered Photoluminescence of GaN Nanowires
Sharov V., Pavlov A., Eliseyev I. и др., Advanced Optical Materials 2025 Vol. 13 No. 30 Article e01821
Добавлено: 12 ноября 2025 г.
Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K
Тарасов М. А., Ломов А. А., Чекушкин А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 4 С. 42–45
Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm на подложках Si(111), SiO2/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического испарения в диапазоне температур от 77 до 800K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800K использован штатный нагреватель установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия ...
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
The dimeric ectodomain of the alkali-sensing insulin receptor–related receptor (ectoIRR) has a droplike shape
Shtykova E., Petoukhov M., Mozhaev AA и др., Journal of biological chemistry 2019 Vol. 294 No. 47 P. 17790–17798
Добавлено: 4 февраля 2024 г.
Spatial organization of Dps and DNA–Dps complexes
Dubrovin E., Dadinova L. A., Petoukhov M. и др., Journal of Molecular Biology 2021 Vol. 433 No. 10 P. 166930–0
Добавлено: 4 февраля 2024 г.
Activity-dependent conformational transitions of the insulin receptor–related receptor
Batishchev O., Kuzmina N., Mozhaev AA и др., Journal of biological chemistry 2021 Vol. 296 P. 100534–0
Добавлено: 4 февраля 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору