• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Infrared photoluminescence and absorption of Ge/Si quantum dots with different doping levels
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
6 ноября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали новый инструмент для речевой терапии после инсульта
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург совместно с коллегами из отделения нейрореабилитации Федерального Сибирского научно-клинического центра ФМБА в Красноярске разработали корпус упрощенных текстов для пациентов с афазией разной степени тяжести. Клинические исследования показали, что материалы по актуальным тематикам мотивируют активнее заниматься восстановлением речи после инсульта. Исследование опубликовано в журнале Aphasiology.
3 ноября 2026 г.
Физики научили ИИ настраивать пучок частиц в ускорителе
Исследователи Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ и Института ядерной физики СО РАН разработали RLABC — программу, которая помогает подбирать оптимальные настройки ускорителя частиц с помощью обучения с подкреплением. В компьютерном эксперименте программа настроила модель так, что до конца ускорителя доходило около 70% частиц. Исследование опубликовано в журнале Computer Physics Communications.
3 ноября 2026 г.
«Органы на чипе позволяют проверять лекарства без экспериментов на животных»
Лаборатория молекулярной физиологии факультета биологии и биотехнологии НИУ ВШЭ изучает, как молекулярные регуляторы (микроРНК) управляют работой генов и влияют на развитие болезней — онкологических, вирусных и воспалительных, а также осложнений беременности. В Вышке выращивают модели органов человека на чипе: крошечные устройства с живыми клетками, воспроизводящие работу, например, плаценты или кишечника. Модели помогают понять, как возникают болезни и как на них действуют лекарства. «Вышка.Главное» побеседовала с заведующим лабораторией Евгением Князевым.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Infrared photoluminescence and absorption of Ge/Si quantum dots with different doping levels

P. 1–2.
Vinnichenko M. Y., Махов И. С., Ustimenko R. V., Sarkisyan H. A., Firsov D. A.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: поглощениеquantum dotквантовые точкиинфракрасный диапазонabsorptionterahertz infraredтерагерцовый диапазон
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)

В книге

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
IEEE, 2022.
Похожие публикации
Injection edge-emitting microlasers with InGaAs/GaAs quantum dot active region
Derkach N. N., I. S. Makhov, S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 29–32
Добавлено: 2 ноября 2026 г.
Thermodynamic Stabilization of PbS Quantum Dots for High-Performance Short-Wave Infrared Photodetection
Li Y., Han J., Zaman N. и др., ACS Applied Materials & Interfaces 2026 Vol. 18 No. 39 P. 54241–54251
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Микролазеры с распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Одночастотная генерация лазеров на основе вертикального микрорезонатора при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Высокодобротные планарные микрорезонаторы, обеспечивающие генерацию при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Interaction-limited conductivity of twisted bilayer graphene revealed by giant terahertz photoresistance
Shilov A. L., Elesin L., Kravtsov M. и др., Nature Communications 2026 Vol. 17 No. 1 Article 9734
Добавлено: 20 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Robust CsPbBr3@SiO2 Nanocrystals with Controlled Shell Growth for Stable High-Resolution X‑ray Scintillation Imaging
Liang Y., Zhang X., Wang Q. и др., ACS Applied Nano Materials 2026 Vol. 9 No. 32 P. 15224–15232
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Room-temperature, continuous wave lasing in planar microcavities with quantum dots
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Quantum-dot surface-emitting lasers: micropillar cavities grown by molecular-beam epitaxy
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Поверхностная генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62
Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Advanced micropillar cavities: Room-temperature operation of microlasers
Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Детектор ИК диапазона на основе графеновых нанополос
Ивашенцева И. В., Федотов П. В., Каурова Н. С. и др., Журнал технической физики 2024 Т. 94 № 8 С. 1391–1397
Представлена технология сенсибилизации структуры, состоящей из нанополоски графена на кремниевой подложке Si/GNR в ближнем IR-диапазоне электромагнитного спектра, основанная на легировании графеновой нанополоски GNR с помощью He4. Экспериментально продемонстрировано увеличение отклика более чем 25 раз на длине волны 1.35 μm в структуре Si/GNR/He4, по сравнению с Si/GNR не легированной He4. Также Si/GNR_He4 структура проявляет ярко выраженные многоуровневые ...
Добавлено: 23 декабря 2025 г.
Development of Mixers for the High Resolution Spectrometer of the Millimetron Space Observatory
Третьяков И. В., Худченко А. В., Рудаков К. И. и др., IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology 2024 Vol. 15 No. 2 P. 191–199
Изучение происхождения и переноса воды во Вселенной является важной частью научной программы космической обсерватории «Миллиметрон». Это станет возможным благодаря наблюдениям, проводимым в режиме одноантенного телескопа с использованием бортового прибора — спектрометра высокого разрешения (HRS). Этот прибор включает в себя гетеродинные приемники, работающие в диапазоне 0,5–2,7 ТГц, состоящие из 3-пиксельных матриц сверхпроводниково-изоляторно-сверхпроводниковых смесителей, работающих на частотах ...
Добавлено: 23 декабря 2025 г.
Высокочастотная модуляция микрокольцевого лазера с квантовыми точками при повышенной температуре
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Махов И. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 20 С. 32–35
Исследованы динамические характеристики микрокольцевого лазера с квантовыми точками InGaAs/GaAs с помощью малосигнальной высокочастотной токовой модуляции при 55 ◦С. Наибольшее значение полосы модуляции составило 3.7 GHz, энергозатраты при оптической передаче оценены в 4.2−6.4 pJ/bit. Также определены температурные зависимости параметров, влияющих на быстродействие (K-фактор, пороговый ток, эффективность токовой модуляции). ...
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Phosphorene junctions as a platform for spin-selective quantum dots in next-generation devices
Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301
Добавлено: 15 сентября 2025 г.
Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers
Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104
Добавлено: 11 сентября 2025 г.
Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами
Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14
Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...
Добавлено: 27 августа 2025 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору