Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 12. С. 40–43.

Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М., Гусева Ю. А., Крыжановская Н. В., Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е.

В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через основной оптический переход квантовых точек.

Ключевые слова: квантовые точки, quantum dots, excited states, возбужденное состояние, microlaser, микролазеры, Ground state, two-state lasing, двухуровневая генерация, основное состояние

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)