Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы

Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 1. С. 85–88.

Белоновский А., Позина Г., Левицкий Я., Морозов К. М., Митрофанов М., Гиршова Е. И., Иванов К. А., Родин С., Евтихиев В. П., Калитеевский М. А.

Методом селективной газофазной эпитаксии выращены плоские микрорезонаторы GaN гексагональной формы. Проводилось измерение спектров низкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. В полученных спектрах видно огромное расщепление Раби (~100 мэВ). Выполнено численное моделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторые моды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильной связи с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долю экситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения, связанного с этими модами, для микрорезонаторов гексагональной формы. Таким образом, получен вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры.

Ключевые слова: экситон, микрорезонатор, расщепление Раби, нитрид галлия