?
Квантовый размерный эффект в полуметаллах и сверхпроводниках
Уфа :
Уфа: НИЦ «Аэтерна», 2020, 2020.
В печати
Исследован квантовый размерный эффект в полуметаллах и сверхпроводниках
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Каган М. Ю., / Series Series "arxiv org" 2610.31805 "cond-mat other "arxiv org" 2610.31805". 2026. No. 2610.31805.
Аннотация Низкоэнергетические плазмонные свойства свободностоящего монослоя золота Au (1,1,1) изучены с помощью зависящей от времени теории функционала плотности (DFT) в приближении хаотических фаз (ПХФ). При первопринципном вычислении диэлектрической функции и функции диэлектрических потерь используется зонная структура, характеризуемая одной s-p энергетической зоной, выходящей на уровень Ферми. В этой системе с простой зонной структурой наши вычисления ...
Добавлено: 27 октября 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Безымянных Д. Г., Пугач Н. Г., Седов Е. А. и др., Известия РАН. Серия физическая 2025 Т. 89 № 2 С. 328–332
Теоретически исследованы осцилляции параметра порядка, возникающие в результате пространственного квантования электронных состояний в квантовой яме, образованной стенками тонкой
пленки сверхпроводящего алюминия. В таких объектах с уменьшением толщины наблюдается заметный рост критической температуры и уширение сверхпроводящего перехода. Эти эффекты интерпретируются как проявление квантового размерного эффекта, влияющего на плотность состояний электронов и, соответственно, влияющие на различные электронные свойства ...
Добавлено: 17 ноября 2024 г.
Безымянных Д. Г., Пугач Н. Г., Седов Е. А. и др., Известия Уфимского научного центра РАН 2024 № 1 С. 55–60
В мире современных технологий наблюдается тенденция активного уменьшения размеров электронных устройств. При разработке новых технологий, использующих наноструктуры, часто акцентируется внимание на изучении квантовых эффектов, которые имеют критическое значение для таких конструкций. Например, одной из отличительных характеристик наноструктур является квантовая природа энергетического спектра электронов. Этот спектр становится дискретным в тех направлениях, где движение электронов ограничено. В ...
Добавлено: 12 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Завьялов В. В. и др., Физика металлов и металловедение 2023 Т. 124 № 1 С. 56–60
Экспериментально исследованы R(T) зависимости тонких сверхпроводящих пленок алюминия, изготовленных на подложках из лейкосапфира и арсенида галлия методом электронно-лучевого распыления и молекулярно-лучевой эпитаксии. Безотносительно к морфологии, был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта. ...
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Уставщиков С. С., Путилов А. В., Аладышкин А. Ю., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2017 Т. 106 С. 476–482
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии изучены спектры дифференциальной туннельной проводимости для ультратонких пленок свинца, выращенных на монокристаллах кремния Si(111)7 × 7, с толщиной от 9 до 50 монослоев свинца. Для таких систем характерно существование локальных максимумов туннельной проводимости, причем положение максимумов дифференциальной проводимости определяется спектром размерно–квантованных состояний электронов в металлическом слое и, следовательно, ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Путилов А. В., Уставщиков С. С., Божко С. И. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2019 Т. 109 С. 789–796
Методами низкотемпературной сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии исследована пространственная зависимость дифференциальной проводимости ультратонких Pb пленок, осажденных на поверхность Si(111)7×7. Для Pb пленок характерно наличие квантово-размерных состояний электронов проводимости и, соответственно, максимумов дифференциальной туннельной проводимости, при этом их энергия определяется в основном локальной толщиной Pb слоя. Обнаружено, что величина туннельной проводимости в пределах атомарно-гладких террас может ...
Добавлено: 15 сентября 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Седов Е. А., Завьялов В. В., Арутюнов К. Ю., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 № 1 С. 39–43
В середине прошлого века было продемонстрировано, что с уменьшением размеров сверхпроводящих структур, например, толщины тонкой пленки, ее критическая температура ТС сдвигается на некоторую величину. В алюминии и индии она увеличивается, а в ртути, ниобии и свинце она уменьшается. Тем
не менее общепринятой теории, объясняющей данный эффект, до настоящего времени нет. В 70-х гг., во
время самого большого ...
Добавлено: 25 января 2021 г.
В середине прошлого века было продемонстрировано, что с уменьшением размеров
сверхпроводящих структур, например, толщины тонкой плёнки, её критическая температура Тс
сдвигается на некоторую величину. В алюминии, олове и индии она увеличивается, а в ртути, ниобии
и свинце она уменьшается. Тем не менее, общепринятой теории, объясняющей данный эффект до
настоящего времени нет. В 70-х годах, во время самого большого объёма ...
Добавлено: 29 декабря 2020 г.
В сборник помещены тезисы докладов участников XI Международной школы-конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Фундаментальная математика и ее приложения в естествознании»: спутник Международной научной конференции «Уфимская осенняя математическая школа-2020». Тезисы докладов воспроизводятся с представленных авторами оригиналов ...
Добавлено: 29 декабря 2020 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Голоколенов И. А. и др., Физика твердого тела 2019 Т. 61 № 9 С. 1609–1613
Экспериментально исследовались высококачественные пленки алюминия на подложках из GaAs. Был обнаружен заметный рост критической температуры сверхпроводящего перехода с уменьшением толщины пленки. Эффект интерпретируется как проявление квантового размерного эффекта, влияющего как на плотность состояний электронов, так и на электрон-фононное взаимодействие. ...
Добавлено: 14 сентября 2019 г.
Арутюнов К. Ю., Седов Е. А., Голоколенов И. А. и др., Physics of the Solid State, Springer Nature Switzerland AG 2019 Vol. 61 No. 9 P. 1559–1562
Добавлено: 14 сентября 2019 г.