?
Oxidation of Nb(110): atomic structure of the NbO layer and its influence on further oxidation
Scientific Reports. 2020. Vol. 10. P. 3794.
Zhussupbekov K., Walsh K., Bozhko S., Ionov A.M., Fleischer K., Norton E., Zhussupbekova A., Semenov V., Shvets I., Walls B.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
Abrosimova G., Volkov N., Tran V. T. и др., Journal of Non-Crystalline Solids 2020 Vol. 528 P. 119751
Добавлено: 24 декабря 2020 г.
Ksenz A. S., Stolyarov V. S., Chekmazov S. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2018 Vol. 98 P. 155440
Добавлено: 27 января 2020 г.
Elsevier, 2018
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
Babich E. S., Scherbak, S., Asonkeng F. и др., Optical Materials Express 2019 Vol. 9 No. 10 P. 4090-4096
Добавлено: 9 ноября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Duarte E. C., Sardella E., Тейшейра С. Т. и др., / Cornell University. Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Novikov I., Надточий А. М., Potapov A. Y. и др., Journal of Luminescence 2021 Vol. 239 Article 118393
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2020 Т. 46 № 16 С. 3-6
Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n + -GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и ...
Добавлено: 25 августа 2020 г.
Clark O., Freyse F., Aguilera I. и др., Communications Physics 2021 Vol. 4 No. 165 Article 165
Добавлено: 5 декабря 2021 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Reznik R. и др., Nanotechnology 2021 Vol. 32 No. 33 Article 335604
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Бобров М. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 7 С. 145-149
Представлены результаты исследования внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции в вертикально-излучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 μm, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Показано, что предложенная конструкция лазера при комнатной температуре обеспечивает рекордно низкий уровень внутренних оптических потерь (менее 6.5 cm-1) и высокую эффективность ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Можчиль Р. Н., Ионов А. М., Божко С. И. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 1 С. 25-30
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и рентгеновской спектроскопии поглощения исследованы особенности электронной и локальной атомной структуры эрбиевых металлопорфиринов Er(acac)TPPBr8, Er(acac)TPP и прекурсорных тетрафенилпорфиринов TPP и TPPBr8.
С помощью фотоэлектронной спектроскопии определены параметры структуры остовных уровней
Er4d, N1s, C1s, O1s, Br3d и валентной зоны. Установлен характер изменения электронной структуры тетрафенилпорфиринов при внедрении центрального атома эрбия – равномерное перераспределение электронной ...
Добавлено: 24 декабря 2023 г.
Блохин С. А., Бобров М. А., Блохин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 8 С. 1128-1134
Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20−85◦C, однако слабая локализация ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Свинарев Ф. Б., Балашова Е. В., Кричевцов Б. Б. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1038 P. 012117
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
Будков Ю. А., М. : ЛЕНАНД, 2020
В монографии впервые представлены статистические подходы, основанные на теории самосогласованного поля, к теоретическому описанию термодинамических свойств ион-молекулярных систем (растворов электролитов, ионных жидкостей, диэлектрических полимеров и металлоорганических каркасов) в объеме и на границах раздела фаз с учетом особенностей их молекулярной структуры. В книге также дан подробный анализ современного состояния теории и моделирования ион-молекулярных систем. Книга сможет послужить в качестве методического пособия для ...
Добавлено: 18 ноября 2019 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Болдырев К. Н., Романов А., Хаула Е. и др., Journal of the American Ceramic Society 2019 Vol. 102 No. 5 P. 2745-2751
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 21 С. 29-33
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.