Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950-1100 nm на основе In0.4Ga0.6As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки

Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. № 24. С. 11–14.

Максимов М. В., Надточий А. М., Жуков А. Е.

Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая
яма−точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ проде-
монстрировал спектральную чувствительность до 0.4A/W в диапазоне 900−1100 nm при смещении −5V.
Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4 · 10−4 cm2 составила  250 ps.

Ключевые слова: наноструктуры, быстродействие, nanostructures, high-speed sensitivity, detector, детектор

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Оптоэлектронные приборы для оптических межсоединений и оптических систем на кристалле на основе полупроводниковых наноматериалов (2020)