?
Формирование изображения краевой дислокации при аномальном прохождении рентгеновского излучения
Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 8. С. 1499–1504.
Смирнова И. А., Шулаков Е. В., Суворов Э. В.
Рассмотрены особенности формирования изображения секционных и проекционных топограмм краевой
дислокации перпендикулярной поверхности кристалла в случае аномального прохождения рентгеновского
излучения. Экспериментальные изображения анализируются с использованием численного моделирования
дифракционного эксперимента. Предложен новый механизм формирования изображения дефектов рас-
положенных вблизи выходной поверхности кристалла. Отмечены отличия топографических изображений
дислокации от розеток локальных разориентаций отражающих плоскостей.
Chertenkov V. I., Щур Л. Н., Lobachevskii Journal of Mathematics 2026 Vol. 47 No. 2 P. 720–727
Добавлено: 16 июня 2026 г.
Батурин А. С., Гаврилов В. Р., Иванов А. В. и др., Измерительная техника 2026 Т. 75 № 2 С. 14–28
28 декабря 2025 года Всероссийскому научно-исследовательскому институту оптико-физических измерений (ВНИИОФИ) исполнилось 60 лет. За прошедшие десятилетия институт выполнил значительное количество научных исследований, разработал и поставил потребителям тысячи высокоточных средств оптико-физических измерений (включая эталонное оборудование). В статье представлены наиболее значимые для метрологического обеспечения оптико-физических измерений результаты научно-исследовательских работ, выполненных ВНИИОФИ за период 2016–2025 гг. ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Качество формируемого оптической системой изображения определяется её частотно-контрастной характеристикой или коэффициентами передачи модуляции на различных пространственных частотах. Для обеспечения единства измерений коэффициентов передачи модуляции и создания эталонной базы по воспроизведению, хранению и передаче единицы коэффициента передачи модуляции усовершенствован Государственный первичный эталон единиц оптической силы очковой оптики ГЭТ 205-2013 в части воспроизведения единицы коэффициентов передачи модуляции ...
Добавлено: 15 июня 2026 г.
Filippova A. V., Yurchenko N. Y., Smirnov S. A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 No. 1074 Article 189162
Добавлено: 12 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Kornbleuth M., Opher M., Drake J. F. и др., Astrophysical Journal 2026 Vol. 1004 No. 1 Article 1
Добавлено: 3 июня 2026 г.
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Fortuna A. S., A.I. Kartsev, Gorshenkov M. V. и др., Journal of Alloys and Compounds 2026 Vol. 1070 Article 188711
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Dikhtievskaya K., Argunov E., Alexey I. Kartsev и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2026 Vol. 17 No. 17 P. 4999–5004
Добавлено: 2 июня 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Борисов В. Д., Данилов В. Г., Электросвязь 2025 № 12 С. 73–84
Представлены результаты математического моделирования процесса полевой эмиссии из катода малых размеров – одного из основных физических процессов, обеспечивающих работы многих электронных устройств, в частности FED-дисплеев (устройства, работающие на принципе полевой эмиссии), кантилеверов и т.д. Дается краткий обзор текущих результатов в области исследования, обосновывается актуальность задачи, приводятся примеры наиболее вероятного использования результатов решения задачи. Обсуждаются физические ...
Добавлено: 29 мая 2026 г.
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301
Добавлено: 15 сентября 2025 г.
Tolstov K. Y., Politov B. V., Zhukov V. P. и др., Journal of Alloys and Compounds 2021 Vol. 883 Article 160821
Добавлено: 23 июня 2021 г.
Суворов Э. В., Золотов Д., Асадчиков В. и др., Автометрия 2019 № 2 С. 28–35
Работа пордолжает цикл исслдедований по развитию метода рентгеновской дифракционной томографии с использованием лабораторного источника. В результате тестирования степени чувствительности рентгеновского дифрактометра получены результатыисследования пространственного расположения одиночной дислокационной полупетли в монокристалле кремния. Проведено их сравнение с экспериментальными данными с высоким пространственным разрешением, полученными на синхротронном источнике излучения ESRF. ...
Добавлено: 21 ноября 2019 г.
Великий Новгород: Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011.
В книге опубликованы доклады, представленные на семинаре "Современные методы анализа дифракционных данных". Тематика семинара включает рентгеновскую топографию, дифрактометрию, электронную микроскопию, а также актуальные проблемы рентгеновской оптики ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
СПб.: Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, 2012.
В книге представлены тезисы работ по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе. Обсуждаются проблемы по кругу вопросов, включающему рост и материаловедение кристаллов и пленок кремния, а также родственных материалов. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
В учебнике рассмотрены характеристики металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, являющиеся базовыми для разработки систем управления качеством промышленной продукции. Приведены сведения о строении, свойствах и методах получения материалов. Подробно рассмотрены аспекты, связанные с влиянием на рабочие характеристики материалов режимов их производства, хранения и эксплуатации (температура, механические, радиационные и иные виды воздействий).
Соответствует Федеральному государственному образовательному стандарту ВПО ...
Добавлено: 20 ноября 2012 г.