Формирование изображения краевой дислокации при аномальном прохождении рентгеновского излучения

Смирнова И. А.; Шулаков Е. В.; Э. В. Суворов

doi:DOI: 10.21883/FTT.2019.08.47977.453

Публикации

?

Формирование изображения краевой дислокации при аномальном прохождении рентгеновского излучения

Физика твердого тела. 2019. Т. 61. № 8. С. 1499–1504.

Смирнова И. А., Шулаков Е. В., Суворов Э. В.

Рассмотрены особенности формирования изображения секционных и проекционных топограмм краевой

дислокации перпендикулярной поверхности кристалла в случае аномального прохождения рентгеновского

излучения. Экспериментальные изображения анализируются с использованием численного моделирования

дифракционного эксперимента. Предложен новый механизм формирования изображения дефектов рас-

положенных вблизи выходной поверхности кристалла. Отмечены отличия топографических изображений

дислокации от розеток локальных разориентаций отражающих плоскостей.

Научное направление: Физика

Язык: русский

Полный текст

DOI

Ключевые слова: дефекты кристаллической структуры рентгеновская топография X-ray topography crystal structure defects defect diffraction contrast Tagaki equations дифракционный контраст дефектов уравнение Такаги

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах

Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16

Добавлено: 13 октября 2026 г.

When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening

Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD

Махлуф М., Ожегов Р. В., Елезов М. С. и др., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423

В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan

Singapore: Springer, 2026.

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.

Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.

Чибисов А. Н., Gnidenko A., Chibisova M. и др., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533

Добавлено: 11 октября 2026 г.

Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies

Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711

Добавлено: 18 февраля 2026 г.

Phosphorene junctions as a platform for spin-selective quantum dots in next-generation devices

Пеетерс Ф. М., Mahdavifar M., Khoeini F., Journal of Applied Physics 2024 Vol. 136 Article 184301

Добавлено: 15 сентября 2025 г.

The impact of atomic defects on high-temperature stability and electron transport properties in Sr2Mg1−xNixMoO6–δ solid solutions

Tolstov K. Y., Politov B. V., Zhukov V. P. и др., Journal of Alloys and Compounds 2021 Vol. 883 Article 160821

Добавлено: 23 июня 2021 г.

Рентгеновская дифракционная томография с применением лабораторных источников для исследования одиночных дислокаций в слабо поглощающем монокристалле кремния

Суворов Э. В., Золотов Д., Асадчиков В. и др., Автометрия 2019 № 2 С. 28–35

Работа пордолжает цикл исслдедований по развитию метода рентгеновской дифракционной томографии с использованием лабораторного источника. В результате тестирования степени чувствительности рентгеновского дифрактометра получены результатыисследования пространственного расположения одиночной дислокационной полупетли в монокристалле кремния. Проведено их сравнение с экспериментальными данными с высоким пространственным разрешением, полученными на синхротронном источнике излучения ESRF. ...

Добавлено: 21 ноября 2019 г.

Материалы V международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных"

Великий Новгород: Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011.

В книге опубликованы доклады, представленные на семинаре "Современные методы анализа дифракционных данных". Тематика семинара включает рентгеновскую топографию, дифрактометрию, электронную микроскопию, а также актуальные проблемы рентгеновской оптики ...

Добавлено: 28 марта 2013 г.

IX Международная конференция и VIII Школа молодых ученых «Кремний-2012». Книга тезисов

СПб.: Научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, 2012.

В книге представлены тезисы работ по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе. Обсуждаются проблемы по кругу вопросов, включающему рост и материаловедение кристаллов и пленок кремния, а также родственных материалов. ...

Добавлено: 13 декабря 2012 г.

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ 2-е изд. Учебник для бакалавров

Г.Г. Бондаренко, Т.А. Кабанова, В.В. Рыбалко, М.: Юрайт, 2011.

В учебнике рассмотрены характеристики металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, являющиеся базовыми для разработки систем управления качеством промышленной продукции. Приведены сведения о строении, свойствах и методах получения материалов. Подробно рассмотрены аспекты, связанные с влиянием на рабочие характеристики материалов режимов их производства, хранения и эксплуатации (температура, механические, радиационные и иные виды воздействий). Соответствует Федеральному государственному образовательному стандарту ВПО ...

Добавлено: 20 ноября 2012 г.