• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Рентгеновская дифракционная томография с применением лабораторных источников для исследования одиночных дислокаций в слабо поглощающем монокристалле кремния
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
13 октября 2026 г.
Российские ученые поставили под сомнение установление рекорда в замерах свойств сверхпроводников
Топологические изоляторы проводят ток только по поверхности и поэтому рассматриваются как перспективные материалы для будущей электроники и квантовых технологий. Особый интерес представляет их контакт со сверхпроводниками. Физики из НИУ ВШЭ показали, что недавний эксперимент, в котором в такой гибридной структуре якобы наблюдалось объединение электронных пар на рекордном расстоянии 1,5 мкм, допускает более прозаичное объяснение. По их мнению, тот же сигнал может быть обусловлен обычным прохождением электронов через сверхпроводник. Дискуссия исследователей развернулась на страницах Nature Physics.
12 октября 2026 г.
Устойчивое управление и стоимость бизнеса: экономисты ВШЭ выяснили, как они связаны на российском рынке
На российском рынке устойчивое развитие повышает стоимость бизнеса прежде всего тогда, когда становится частью корпоративной стратегии. К такому выводу пришли исследователи НИУ ВШЭ и их зарубежные коллеги, проанализировав практики управления 152 публичных российских компаний. Статья опубликована в журнале Business Strategy and the Environment.
8 октября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ выяснили, что рейтинг врача более убедителен для пациентов, чем стаж
Исследователи НИУ ВШЭ изучили, как стаж и рейтинг врачей влияют на доверие пациентов к медицинской информации. Оказалось, что люди считают более убедительным мнение врачей, у которых высокий рейтинг, а на опыт работы обращают меньше внимания. Результаты опубликованы в журнале Frontiers in Human Neuroscience.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Рентгеновская дифракционная томография с применением лабораторных источников для исследования одиночных дислокаций в слабо поглощающем монокристалле кремния

Автометрия. 2019. № 2. С. 28–35.
Суворов Э. В., Золотов Д., Асадчиков В., Бузмаков А., Дьячков И., Кривоносов Ю., Чуховский Ф.

Работа пордолжает цикл исслдедований по развитию метода рентгеновской дифракционной томографии с использованием лабораторного источника. В результате тестирования степени чувствительности рентгеновского дифрактометра получены результатыисследования пространственного расположения одиночной дислокационной полупетли в монокристалле кремния. Проведено их сравнение с экспериментальными данными с высоким пространственным разрешением, полученными на синхротронном источнике излучения ESRF. 

Научное направление: Физика
Язык: русский
Полный текст
DOI
Ключевые слова: рентгеновская томографияx-ray tomographyx-ray topographyрентгеновская топографияsingle dislocation half-loopsединичные дислокационные полупетли
Похожие публикации
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network
Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах
Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16
Добавлено: 13 октября 2026 г.
When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening
Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159
Добавлено: 13 октября 2026 г.
Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD
Махлуф М., Ожегов Р. В., Елезов М. С. и др., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423
В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan
Singapore: Springer, 2026.
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Quantum-mechanical study of the optimal phosphorus atoms arrangement on silicene.
Чибисов А. Н., Gnidenko A., Chibisova M. и др., FlatChem 2023 Vol. 41 Article 100533
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Формирование изображения краевой дислокации при аномальном прохождении рентгеновского излучения
Смирнова И. А., Шулаков Е. В., Суворов Э. В., Физика твердого тела 2019 Т. 61 № 8 С. 1499–1504
Рассмотрены особенности формирования изображения секционных и проекционных топограмм краевой дислокации перпендикулярной поверхности кристалла в случае аномального прохождения рентгеновского излучения. Экспериментальные изображения анализируются с использованием численного моделирования дифракционного эксперимента. Предложен новый механизм формирования изображения дефектов рас положенных вблизи выходной поверхности кристалла. Отмечены отличия топографических изображений дислокации от розеток локальных разориентаций отражающих плоскостей. ...
Добавлено: 21 ноября 2019 г.
To Image Analysis in Computed Tomography
Ингачева А. С., Чукалина М. В., Николаев Д. П. и др., , in: International Conference on Machine Vision (ICMV 2016), November 18-20, 2016, Nice, France.: SPIE, 2016.
Добавлено: 15 декабря 2016 г.
O проблеме артефактов компьютерной томографии, вызванных наличием интенсивно поглощающих областей.
Ингачева А. С., Чукалина М. В., Прун В. Е. и др., В кн.: Сборник материалов Седьмого международного научного семинара и Пятой международной молодежной научной школы-семинара "Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики" 24-29 августа 2015 г. В. Новгород.: [б.и.], 2015. С. 244–246.
Artifacts caused by intensely absorbing areas are encountered in computed tomography (CT) and may obscure or simulate pathology in medical applications, hide or mimic the cracks and cavities in the devices at industrial applications. We simulated sinograms with different levels of absorption to demonstrate the artifacts dynamics. If the analysis of the measured data shows ...
Добавлено: 30 ноября 2015 г.
Материалы V международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных"
Великий Новгород: Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011.
В книге опубликованы доклады, представленные на  семинаре "Современные методы анализа дифракционных данных". Тематика семинара  включает рентгеновскую топографию, дифрактометрию, электронную микроскопию, а также актуальные проблемы рентгеновской оптики ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
Рентгеновская оптика - 2010: Материалы совещания, г.Черноголовка, 20-23 сентября 2010 г.
Черноголовка: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 2010.
Приведены тексты докладов, представленных на  рабочем совещании "Рентгеновская оптика - 2010". Тематика совещания включала следующие разделы: рентгеновская кристаллооптика, многослойная оптика для рентгеновского и экстремального ультрафиолетового диапазона, технология изготовления элементов рентгеновской оптики, применение рентгеновской оптики  для исследоания микро- и наноструктур, рентгеновская литография, рентгеновская микроскопия и томография, новые методы исследования микро- и наноструктур с использованием синхротронных и ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
Томографические методы исследования микрообъектов и изогнутых поверхностей
Асадчиков В. Е., Бузмаков А., Золотов Д. А. и др., Мир измерений 2012 № 6 С. 22–31
Статья посвящена перспективам развития методов рентгеновской компьютерной томографии. Авторами был сконструирован и испытан комплекс лабораторных рентгеновских микротомографов на базе рентгеновских дифрактометров. В статье приведены результаты экспериментальных исследований микрообъектов, дефектов структуры кристаллов методом топо-томографии, а также качества вогнутых сферических поверхностей. Рентгеновская компьютерная томография в настоящее время является одним из основных диагностических методов медицинских исследований. Принцип томографического исследования ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Реализация рентгеновских томографических схем с применением различных кристаллов-монохроматоров
Геранин А. С., Бузмаков А., Волков Ю. О. и др., Заводская лаборатория. Диагностика материалов 2011 Т. 77 № 10 С. 41–44
Описано применение различных кристаллов-монохроматоров для рентгеновской микротомографии в лабораторных условиях. Предложены оптимальные схемы взаимного расположения источника, образца и детектора, различающиеся в зависимости от типов монохроматоров. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору