Разработка светодиода на сапфировой подложке

И. И. Романова

?

Разработка светодиода на сапфировой подложке

С. 177–177.

Важной проблемой является обеспечение долговечности и стабильности работы светодиодов в условиях влияния радиационного излучения. Светодиоды, излучающие в сине-зеленой области спектра изготавливаются на основе многослойных эпитаксиальных гетероструктур твердых растворов, в качестве которого выбран GaN. В качестве подкладки таких светодиодов использован материал лейкосапфир – Al2O3.

Прототип разработанного светодиода имеет суммарное сопротивление на подложке 50,3 С/Вт, при номинальном токе 40 мА, напряжении – 4,0 В и рассеиваемой мощности – 0,16 Вт.

Язык: русский

Полный текст

Текст на другом сайте

Ключевые слова: светодиоды LED sapphire substrate optical leukosapphire сапфировая подложка оптический лейкосапфир

В книге

Физика, электроника, электротехника: 2016. Материалы научно-технической конференции

Сумы: СумДу, 2016.

Синтез и фотофизические свойства изокумаринов

Арсенов М. А., Логинов Д. А., Успехи химии 2025 Т. 94 № 7 Статья RCR5179

Изокумарины являются изомерами широко известного классам органических ароматических лактонов — кумаринов, которые обладают уникальными фотофизическими свойствами. Несмотря на структурное сходство с кумаринами, области применения изокумаринов долгое время ограничивались использованием таких соединений в медицине и сельском хозяйстве благодаря их фунгицидной, антибактериальной и противовоспалительной активности. Большая часть исследованных органических соединений этого класса была выделена из живых организмов. ...

Добавлено: 20 февраля 2026 г.

Exciton Properties and Broadband Emission in Two-Dimensional Ruddlesden–Popper Perovskites

Тань Ц., Цзян С., Лю Д. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2025 Vol. 16 No. 30 P. 7659–7665

Добавлено: 25 июля 2025 г.

Photoionization cross section of first excited state of lithium

Саакян С. А., D'yachkov L., Klimov S. и др., Spectrochimica Acta - Part B: Atomic Spectroscopy 2022 Vol. 195 Article 106503

Добавлено: 30 июля 2022 г.

Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными InGaAs квантовыми ямами и «тыльным» отражателем

Малевская А. В., Калюжный Н. А., Малевский Д. А. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 8 С. 699–703

Поведены исследования инфракрасных светодиодов (длина волны 850 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии и имеющих множественные квантовые ямы InGaAs в области, генерирующей излучение. Разработаны постростовые приемы по удалению подложки GaAs и переносу гетероструктуры на инородный носитель с оптическим отражателем. Оптимизированы технологические режимы изготовления отражателя, и достигнуто увеличение коэффициента отражения инфракрасного излучения до ...

Добавлено: 14 октября 2021 г.

Red GaPAs/GaP Nanowire-Based Flexible Light-Emitting Diodes

Neplokh V., Fedorov V., Mozharov A. и др., Nanomaterials 2021 Vol. 11 No. 10 Article 2549

Добавлено: 29 сентября 2021 г.

Measurement of the photoionization cross section of the lithium 2P3/2 state in a magneto-optical trap with a UV-light-emitting diode

Saakyan S.A., Vilshanskaya E. V., Galstyan K. P. и др., Measurement Science and Technology 2021 Vol. 32 No. 11 Article 115501

Добавлено: 4 августа 2021 г.

Квантовый размерный эффект в сверхпроводниках

Седов Е. А., Завьялов В. В., Арутюнов К. Ю., Известия Уфимского научного центра РАН 2021 № 1 С. 39–43

В середине прошлого века было продемонстрировано, что с уменьшением размеров сверхпроводящих структур, например, толщины тонкой пленки, ее критическая температура ТС сдвигается на некоторую величину. В алюминии и индии она увеличивается, а в ртути, ниобии и свинце она уменьшается. Тем не менее общепринятой теории, объясняющей данный эффект, до настоящего времени нет. В 70-х гг., во время самого большого ...

Добавлено: 25 января 2021 г.

Nanotechnology for High-Tech Industries: Light-Emitting Diodes

Рудь В. А., Соколов А. В., Майснер Д., , in: Emerging Technologies for Economic Development.: Springer, 2019. Ch. 3 P. 49–76.

Добавлено: 14 мая 2019 г.

Светодиодная индустрия: инновационные технологии, продукты, рынки. Дорожная карта

Карасев О. И., Соколов А. В., Рудь В. А. и др., М.: ОАО "РОСНАНО", НИУ ВШЭ, 2014.

Издание продолжает серию совместных публикаций ОАО "Роснано" и национального исследовательского университета "Высшая школа экономики" (НИУ ВШЭ), посвященных долгосрочным прогнозам научно-технологического и инновационного развития различных секторов экономики. Вниманию читателей предлагается дорожная карта, обобщающая результаты исследования перспектив и направлений развития светодиодной промышленности в России до 2020 г. Интегральное представление о секторе сформировано на базе экспертных мнений российских ...

Добавлено: 26 сентября 2014 г.

Production of GaP:N epitaxial layers - a material for light diodes with improved properties

Skazochkin A. V., Krutogolov Y. K., Bondarenko G.G., Journal of Advanced Materials 1995 Vol. 2 No. 6 P. 441–450

Добавлено: 9 декабря 2013 г.

Приборы сверхвысоких частот и оптического диапазона в вопросах и ответах

Аристархов Г. М., Елизаров А. А., Николотов В. И., М.: ООО "ТиРу", 2013.

Настоящее пособие является логическим завершением учебно-методического обеспечения дисциплины "Приборы СВЧ и оптического диапазона"(ПСВЧ и ОД). Данное пособие содержит тестовые задания в виде контрольных вопросов с альтернативными вариантами по физическим основам квантовой электроники, включая разделы ПСВЧ и ОД. С целью облегчения изучения курса ПСВЧ и ОД, особенно для студентов заочной и дистанционной форм обучения, в псобии приведены ...

Добавлено: 21 ноября 2013 г.