?
СИНИС-детектор sub-THz-диапазона из ниобия и алюминия
Разработана технология изготовления и предложена конструкция детекторов субтерагерцового диапазона на основе структур сверхпроводник–изолятор–нормальный металл–изолятор–сверхпроводник (СИНИС) для работы при температурах 1.5−6.0 K, где в качестве сверхпроводящего материала используется ниобий (Tc = 9.2 K) а в качестве нормального металла — алюминий (Tc = 1.2 K). Предложена технология изготовления СИНИС-детектора с туннельными переходами из ниобия и алюминия, основанная на модернизированной технологии SNEAP (от англ. — Selective Niobium Etching and Anodization Process) с жертвенным слоем SiO2. Предложен дизайн приемной структуры, где СИНИС-элемент Nb/AlOx /Al/AlOx /Nb интегрирован в логопериодическую антенну из Nb или Au диапазона 50−500 GHz. Проведено численное моделирование разрабатываемой структуры. По результатам моделирования приемная структура функционирует на нескольких резонансных частотах, а материал антенны (Nb или Au) оказывает незначительное влияние на спектральные характеристики приемной структуры. Мощность, эквивалентная шуму детектора на основе переходов сверхпроводник–изолятор–нормальный металл из Nb и Al c алюминиевым абсорбером, оценивается на уровне 10−16 W/√ Hz при температуре 1.5 K.