?
О влиянии подсветки на электрофизические параметры контактов к образцам CdTe
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 18–21.
Исследованы вольтамперные характеристики и проведены измерения электрофизических параметров образцов теллурида кадмия в условиях регулируемой подсветки приконтактных областей. Установлено, что освещение областей вблизи контактов приводит к заметному (на два-три порядка) уменьшению сопротивления образца-двухполюсника. Показано, что подсветка приконтактных областей образца позволяет определить значения удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла, что невозможно было сделать в отсутствие подсветки. Обнаружено, что при подсветке приконтактных областей фото-ЭДС в большинстве случаев отсутствует
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Zarudnyaya A., Segal G., Morozov A. и др., Applied Physics Letters 2025 Vol. 126 No. 26 Article 262106
Перовскит CsSnI3 представляет собой тонкопленочный полупроводник с высокой собственной проводимостью для различных применений в устройствах (термоэлектрических, фотовольтаических и т. д.). Стехиометрический CsSnI3 имеет высокую плотность дефектов и структурные несовершенства, влияющие на производительность устройств. В работе мы провели исследование катионной инженерии в A-позиции, чтобы оценить корреляцию между структурными и транспортными параметрами для эффективной работы в диодных устройствах. ...
Добавлено: 1 октября 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Нагаев К. Э., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 8 Article 085411
Добавлено: 18 октября 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 2 С. 195–200
Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней ...
Добавлено: 11 марта 2021 г.
К.И. Кугель, Бабушкина Н. А., Владимиров А. А. и др., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2020 Т. 158 № 4 С. 714–727
Проанализированы экспериментальные данные по температурной зависимости электросопротивления электронно-допированных купратов Nd2−xCexCuO4−δ в широком интервале значений концентрации церия 0.12 ≤ x ≤ 0.20. Показано, что в широкой области температур выше температуры сверхпроводящего перехода в основном наблюдается квадратичная зависимость электросопротивления от температуры, величина которого резко уменьшается при концентрациях x ≥ 0.17. Теоретический анализ на основе микроскопической теории в ...
Добавлено: 6 декабря 2020 г.
Голубятников В. А., Григорьев Ф. И., Лысенко А. П. и др., Modern Electronic Materials 2015 Vol. 1 No. 3 P. 93–96
A method of separate determination of two-pole sample volume resistance and contact resistance is suggested. The method is applicable to high-ohmic semiconductor samples: semi-insulating gallium arsenide, detector cadmium-zinc telluride (CZT), etc. The method is based on near-contact region illumination by monochromatic radiation of variable intensity from light emitting diodes with quantum energies exceeding the band ...
Добавлено: 11 мая 2016 г.
Лысенко А. П., Белов А. Г., Голлубятников В. А. и др., Semiconductors 2016 Vol. 50 No. 13 P. 1716–1719
Добавлено: 25 февраля 2016 г.
Голубятников В. А., Лысенко А. П., Белов А. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 576–581
На монокристаллических объёмных образцах CdхHg1-хTe (КРТ) и эпитаксиальных гетероструктурах CdхHg1-хTe/Cd1-уZnуTe (КРТ/КЦТ) (х 0,2), проведены гальваномагнитные измерения по методу Ван-дер-Пау при Т = 295К и Т =77К. Образец вместе с криостатом поворачивался в поле электромагнита на угол от 0 до 360 градусов с шагом 6 градусов. Показано, что для объёмного образца КРТ p-типа электропроводности при ...
Добавлено: 14 мая 2015 г.
Лысенко А. П., Golubiatnikov V. A., Григорьев Ф. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 5 P. 622–626
It is shown that the Van der Pau method can be used under illumination of the sample nearcon tact region with monochromatic radiation of variable intensity with a quantum energy that exceeds the inves tigatedmaterial band gap. A modified Van der Pau technique for measuring such highresistance semicon ductor parameters as the electrical resistivity and ...
Добавлено: 10 сентября 2014 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 5 С. 115–119
Показано, что применение метода Ван-дер-Пау становится возможным при освещении приконтактных областей образца монохроматическим излучением изменяемой интенсивности с энергией квантов, большей ширины запрещённой зоны исследуемого материала. На основе модернизированного метода Ван-дер-Пау предложена методика определения таких параметров высокоомных полупроводников, как удельное электрическое сопротивление, концентрация свободных носителей заряда и их подвижность. Эта методика отработана на примере полуизолирующего арсенида ...
Добавлено: 22 июня 2014 г.