• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Исследование быстродействия электрооптического модулятора на кольцевом микрорезонаторе из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
10 сентября 2026 г.
Как возвратить смысл коммуникациям
Современные вызовы в сфере коммуникаций требуют для стратегического планирования и налаживания эффективного взаимодействия с партнерами и контрагентами для поиска новых и возвращения прежних смыслов. Программа дополнительного образования НИУ ВШЭ «Мастер стратегических коммуникаций» провела на дизайн-заводе «Флакон» встречу-дискуссию «Кризис больших нарративов: как найти новые смыслы в коммуникациях». Подробности — в материале IQ Media.
9 сентября 2026 г.
В НИУ ВШЭ разработали методику оценки результативности адвокатов в уголовном судопроизводстве
Наличие хорошего адвоката для защиты в уголовном деле во многом определяет, сохранит ли его доверитель свободу, здоровье и доброе имя. Исследователи НИУ ВШЭ предложили прогнозировать результативность адвоката по итогам его деятельности в прежних процессах. Разработанная ими методика учитывает тяжесть обвинений, сложность дел и наиболее вероятный исход с учетом данных судебной статистики.
9 сентября 2026 г.
Исследователи НИУ ВШЭ оценили вклад стран БРИКС в ведущие конференции по машинному обучению
Наукометрический центр НИУ ВШЭ проанализировал более 104 тысяч работ за 2020–2025 годы, которые были представлены на десяти конференциях высшего уровня A* по рейтингу ICORE 2026. Исследователи изучили вклад Бразилии, России, Индии, Китая и ЮАР: на эти страны пришлось около 40,8 тысячи публикаций — 39,2% от всего массива. Однако распределение крайне неравномерно, и единого исследовательского пространства БРИКС пока нет.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Исследование быстродействия электрооптического модулятора на кольцевом микрорезонаторе из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе

Наноиндустрия. 2025. Т. 18. № S12-1. С. 82–89.
Кобцев Д. М., Венедиктов И. О., Святодух С. С., Голиков А. Д., Невзоров А. А., Лазаренко П. И., Кицюк Е. П., Светухин В. В., Ковалюк В. В., Гольцман Г. Н.

В работе показан изготовленный интегральный электрооптический модулятор на основе кольцевого резонатора из тонкопленочного ниобата лития с нагруженной добротностью 2×104, глубиной модуляции 0,96 дБ/В и быстродействием 3,9 ГГц, перспективный для применений в области радиофотоники и квантовой оптики.

Научное направление: Физика Электроника и электротехника Нанотехнологии
Язык: русский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: интегральная оптикаintegrated opticslithium niobate on insulator; electro-optical modulatormicroring resonatorниобат лития на изолятореэлектрооптический модуляторкольцевой микрорезонатор
Похожие публикации
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Источник одиночных фотонов с использованием коллоидных квантовых точек CdSe/CdS/ZnS на волноводах из нитрида кремния
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Разработка волноводного сверхпроводникового детектора с разрешением по числу фотонов
Венедиктов И. О., Ковалюк В. В., Ан П. П. и др., Журнал технической физики 2024 Т. 94 № 7 С. 1158–1165
Представлен сверхпроводниковый однофотонный детектор с разрешением числа фотонов на базе интегральной оптики на нитрид кремниевой платформе для длины волны 914 nm. Детектор основан на схеме пространственно-временного мультиплексирования и состоит из множества детекторов-пикселей, соединенных последовательно микрополосковой линией, выступающей в роли линии задержки и трансформатора импедансов. Описан маршрут изготовления детектора, расчет электрической части детектора, оценено влияние числа ...
Добавлено: 6 сентября 2024 г.
Low power reconfigurable multilevel nanophotonic devices based on Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films
Lazarenko P., Kovalyuk V., An P. и др., Acta Materialia 2022 Vol. 234 Article 117994
Добавлено: 25 октября 2022 г.
Thermo-optical properties of nanophotonic devices with carbon nanotube films
Комракова С. А., An P., Kovalyuk V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2086 No. 1 P. 1–4
Добавлено: 15 февраля 2022 г.
Performance of microheaters for tunable on-chip interferometer
Venediktov I. O., Elezov M. S., Prokhodtsov A. I. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2086 No. 1 P. 1–4
Добавлено: 15 февраля 2022 г.
Characterization of focusing grating couplers for telecom wavelengths in the first and second diffraction order
Elmanova A., Elmanov I., An P. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2086 No. 1 P. 1–4
Добавлено: 15 февраля 2022 г.
Лазерная модификация титановой пленки на поверхности оптических волноводов в ниобате лития
Тронев А. В., Парфенов М. В., Соломонов Н. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2020 Т. 46 № 17 С. 51–54
Показано, что лазерная модификация нанометровой титановой пленки может быть использована для точно-го управления уровнем потерь в оптических волноводах на подложках ниобата лития. Теоретические оценкиизменения погонных потерь на уровне 0.95 dB/mm подтверждены экспериментами по локальной лазерноймодификации с использованием излучения на длине волны 976 nm с пороговой интенсивностью 1 kW/mm2.Предложенная методика может быть эффективно использованадля прецизионной подгонки ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Моделирование оптического брэгговского фильтра на чипе для видимого диапазона длин волн
Кузин А. Ю., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2019. С. 184–185.
Данная работа посвящена моделированию оптического брэгговского фильтра для видимого диапазона на чипе. С применением моделирования получены основные характеристики брэгговского фильтра для видимого диапазона: центральная длина волны, коэффициент пропускания, полуширина вырезаемой мощности от геометрических размеров и количество периодов. Сделаны соответствующие выводы зависимости физических параметров брэгговского фильтра от геометрических, которые качественно совпадают с экспериментально полученными данными. ...
Добавлено: 22 мая 2019 г.
Spectrally multiplexed single-photon detection with hybrid superconducting nanophotonic circuits
Kahl O., Ferrari S., Kovalyuk V. и др., Optica 2017 Vol. 4 No. 5 P. 557–562
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Hot-spot relaxation time current dependence in niobium nitride waveguide-integrated superconducting nanowire single-photon detectors
Ferrari S., Kovalyuk V., Hartmann W. и др., Optics Express 2017 Vol. 25 No. 8 P. 8739–8750
We investigate how the bias current affects the hot-spot relaxation dynamics in niobium nitride. We use for this purpose a near-infrared pump-probe technique on a waveguide-integrated superconducting nanowire single-photon detector driven in the two-photon regime. We observe a strong increase in the picosecond relaxation time for higher bias currents. A minimum relaxation time of (22 ...
Добавлено: 6 июня 2017 г.
Absorption engineering of NbN nanowires deposited on silicon nitride nanophotonic circuits
Kovalyuk V., Hartmann W., Kahl O. и др., Optics Express 2013 Vol. 21 No. 19 P. 22683–22692
Добавлено: 13 марта 2014 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору