Петросянц Константин Орестович

Профессор-исследователь, Ведущий научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии

Ординарный профессор (2013)

Начал работать в НИУ ВШЭ в 2012 году.
Научно-педагогический стаж: 55 лет.

Образование, учёные степени и учёные звания

1987
Ученое звание: Профессор
1985
Доктор технических наук: Московский государственный институт электроники и математики, специальность 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах»
1980
Ученое звание: Доцент
1973
Кандидат технических наук
1968
Специалитет: Московский институт электронного машиностроения, факультет: АВТ, специальность «автоматика и телемеханика», квалификация «инженер-электрик»

Профессиональные интересы

микроэлектроника наноэлектроника электроника

47.00.00 Электроника. Радиотехника

Достижения и поощрения

Медаль "Признание - 25 лет успешной работы" НИУ ВШЭ (декабрь 2022)
Почетная грамота НИУ ВШЭ (апрель 2022)
Благодарность первого проректора НИУ ВШЭ (июль 2018)
Премия Правительства РФ в области образования (декабрь 2016)
Почетный работник высшего профессионального образования РФ (сентябрь 2012)
Премия Правительства Российской Федерации (март 2000)
Лауреат Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (март 1999)
Медаль "В память 850-летия Москвы" (декабрь 1998)
Лучший преподаватель – 2016
Надбавка за академическую работу (2016-2017, 2014-2015, 2013-2014)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2018-2019, 2017-2018)

Полномочия / обязанности

Член Ученого Совета МИЭМ НИУ ВШЭ

Участие в редколлегиях научных журналов

С 2011 г.: член редколлегии журнала «Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы».
С 1994 г.: член редколлегии журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника».
С 1994 г.: член редколлегии журнала «Нано- и микросистемная техника».

Конференции

2018
XVIII Научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Отечественная библиотека моделей МОП-транзисторов для расчетов КМОП БИС с учетом радиации и температуры
XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Принципы разработки библиотек SPICE моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
2017
XVII научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Расчёт задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учётом электро-тепловых эффектов
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения
XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника» (Владимирская область, г. Суздаль). Доклад: Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели
2016
The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016) (Фос-ду-Игиасу). Доклад: Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм
Международный форум «Микроэлектроника-2016». 2-я научная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули» (Крым, г. Алушта). Доклад: Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью
24th Telecommunications Forum (Белград). Доклад: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects
XVI ежегодный международный научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур» (Нижний Новгород). Доклад: Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов с длиной канала 0.18…0.6 мкм в диапазоне температур до 300°С
2015
EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon Bologna, Italy, IEEE, 2015 (Bologna). Доклад: SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects
Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» («СТОЙКОСТЬ») (Лыткарино, Московская обл.). Доклад: Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (Пиза). Доклад: Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography
VIII-th International Workshop NDT in Progress (Прага). Доклад: Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography
Международная конференция «Микроэлектроника 2015», «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» (Сочи). Доклад: Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
24-th European conference on radiation and its effects on components and systems (RADECS-2015) (Москва). Доклад: Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
ХIV Всероссийская научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА» (Москва). Доклад: Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)
2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 (Paris). Доклад: High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures
XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
2014
The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering (Куалу-Лумпир). Доклад: Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components

Участие в конференциях и выставках

2017 год

Международный Форум «Микроэлектроника 2017», 3-я Международная конференция «Микроэлектроника – ЭКБ и электронные модули», 2 -7 октября 2017 г. , г. Алушта (Республика Крым). Форма участия - представил доклады:

1. Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях

2. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП- и биполярных транзисторов.

3. Соавтор доклада "Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчёта низковольтных и микромощных КМОП СБИС". Другие соавторы Харитонов И. А., Лебедев С. В., Стахин В. Г.,

XV-ая научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА», 27-29 сентября 2017 г., г. Москва – Дубна. Форма участия - представил доклад:

- SPICE модели Si/SiGe биполярных и МОП-транзисторов для расчета ИС с учетом влияния радиации и температуры,

- Соавтор доклада "TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПт при повышенных температурах", другие соавторы: Харитонов И.А., Попов Д.А.,

- Соавтор доклада: "Компактная SPICE модель для расчета электрических характеристик SiGe ГБТ при криогенных температурах". Другие соавторы: О.В. Дворников, Н.Н. Прокопенко, М.В. Кожухов, Будяков А.С., Будяков П.С.

16-ая Российская научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА», c 3 по 7 июля 2017 года, г. Суздаль. Форма участия - представил доклад:

- Расчет задержек в межсоединениях цифровых СБИС с учетом электро-тепловых эффектов. Соавторы Е.И. Батаруева, Н.И. Рябов

- Соавтор доклада "ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ SPICE-МОДЕЛЕЙ КНИ МОПТ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ (ДО МИНУС 200°C)" (соавторы: И.А. Четвериков, Е.Ю. Кузин)

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017, 18 -23 июля 2017, г. Жуковский (Моск. обл.) (https://www.aviasalon.com/). «МАКС» является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов. Форма участия -cоавтор экспоната «Программно-аппаратный комплекс для исследования электронной компонентной базы для аэро-космических применений» (раздел «Вузовская наука и авиационно-техническое творчество молодежи».). Соавторы: Харитонов И.А., Львов Б.Г., Самбурский Л.М., Попов Д.А., Исмаил-Заде М.Р., Кожухов М.В., Балакин С.В., Кофанов Ю.Н., Манохин А.И., Мелех Н.А.).

Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», с 20 по 23 июня 2016 г., г. Новосибирск, МВК «Новосибирск Экспоцентр» . Соавтор экспоната «Аппаратно-программный комплекс для измерения и параметризации компонентов экстремальной электроники для гражданского и специального применений.» (другие соавторы: И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде и др.).

Крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». 13 - 17 марта 2017, США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины».Форма участия - предсталение доклада: «High Temperature Submicron SOI CMOS Technology Characterization for Analog and Digital Applications up to 300°C», соавторы Харитонов И.А., Самбурский Л.М. , Стахин В.Г., Лебедев С.В., Исмал-Заде М.Р., Игнатов П.

Cеминар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 1 -2 марта 2017 г., проводил ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород). Форма участия - cоавтор доклада «Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС» (авторы К. О. Петросянц, И. А. Харитонов , Л. М. Самбурский, М.Р. Исмаил-Заде, В. Г. Стахин, С. В. Лебедев)

2016 год

24-ой Международный форум по телекоммуникациям (24-th Telecommunications Forum, TEFOR 2106). Белград, Сербия, 22-23 ноября 2016 г. Форма участия - cсоавтор доклада: Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, Соавторы: И.А. Харитонов, Е.И. Батаруева

Международная конференция 22-nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). Будапешт, Венгрия, 21-23 сентября 2016. Форма участия- соавтор доклада "Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)". Авторы:Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A.

Международный форум «Микроэлектроника 2016», г. Алушта, Республика Крым, 26 - 30 сентября 2016 г. 2-я Международная научная конференция «Интегральные схемы и электронные модули». Форма участия - соавтор докладов: 1) "Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Схемотехнические SPICE-модели." Петросянц К.О. 2) "Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КМОП КНИ транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью ." Авторы: Петросянц К.О., Попов Д.А. 3) "Исследование характеристик КМОП КНИ транзисторов для высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм". Авторы: Петросянц К.О., Харитонов, И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М.Р., Лебедев С. В., Стахин В. Г. (Зеленоградский нанотехнологичечский Центр).

Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем», проводимая ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино, 7-8 июня 2016. Форма участия - соавтор докладов: 1) "Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторах, выполненных по различным вариантам КМОП технологии.", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, Д.А. Попов, Р.Ш. Ихсанов (ФГУПП «НИИП»); 2) Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300оС)", авторы К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Д.А. Попов , В. Г. Стахин, С. В. Лебедев (3АО «Зеленоградский нанотехнологический центр»)

Международная конференция The IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016), 6.04.2016 - 8.04.2016, Бразилия, Фос-ду-Игиасу. Форма участия - докладчик. Доклад "Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model". Соавторы: Львов Б.Г., Харитонов И.А, Самбурский Л.М.

2015 год

Международная конференция Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium (SEMITHERM- 2015). Крупнейший международный форум по вопросам теплового проектирования и контроля элеткронных компонентов и систем. San Jose, CA, USA, 15-19 марта Доклад "Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD". Соавтор -Торговников Р.А.

III Национальная ежегодная выставка-форум ВУЗПРОМЭКСПО-2015, Москва, площадка Технополиса «Москва», 2- 4 декабря 2015 года. Участие с экспонатами Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ в рамках проекта 5 -100 . Экспонаты:

- Система целевой подготовки и переподготовки инженерных кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей;

- Аппаратно-программный комплекс для исследования тепловых режимов электронных компонентов (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

- Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной стойкости электронной компонентной базы (разработка выполнена научной группой под руководством проф. Петросянца К.О.);

Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress. Meeting of NDT Experts», 12 -14 октября 2015 г., Чехия, г. Прага . Форма участия- докладчик на тему «Неразрушающий тестирование перегрева электронных компонентов методами инфракрасной термографии» («Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography»). Соавтор- проф. Харитонов И.А.

Международная специализированная выставка «Импортозамещение—2015», МВЦ «Крокус-ЭКСПО», 14 - 17 сентября 2015 г. Форма участия- доклад от МИЭМ НИУ ВШЭ на тему «Система целевой подготовки и переподготовки кадров в области электроники для аэрокосмической и оборонных отраслей». Соавторы - Тихонов А. Н., Абрамешин А. Е., Львов Б. Г., Увайсов С. У., Харитонов И. А. (все МИЭМ НИУ ВШЭ), Балакин С. В. (РКК «Энергия» им. С. П. Королёва), Крутиков В. Н. (ВНИИОФИ), Казанский А. Г. (НИИСУ), Четыркин А. Н. (НИИКП).

ХIV научно-техническая конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». Москва, ОАО НПП «Пульсар», 7-9 октября 2015 года .Форма участия- соавтор докладов: "Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, В.М. Олухов. Соавтор доклада "Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C)". Соавторы И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский

МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение» - Микроэлектроника 2015, Крым, Алушта 28.09 – 03.10.2015 г. Форма участия- выступление с заказными докладами: Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР. Соавторы: П.А. Козынко, Н.И. Рябов, И.А. Харитонов. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С). Соавторы: С. В. Лебедев, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, В. Г. Стахин, И. А. Харитонов . Заказной доклад "Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов" (без соавторов)

Крупнейшая международная конференция по методам и применениям инфракрасной термографии (The 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications). Охватывает широкий круг вопросов, касающихся методов и областей применения термографии: аппаратура для термографии, методы термографии, обработка тепловизионных изображений, области примененния термографии от материалов до зданий, здоровья людей, астрономии. Пиза, Италия, 29.09.2015 - 2.10.2015. Форма участия- соавтор доклада на тему "Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography" (Анализ нагрева проводников современных печатных плат протекающим токов с помощью средств термографии). Соавторы: И.А. Харитонов, А.А. Попов

Крупнейшая международная Европейская конференция по радиационной стойкости «Radiation Effects on Components and Systems» (RADECS 2015), 14-18 сентября 2015 г. Москва. Посвящена представлению и обсуждению последних достижений в области радаиационных эффектов в электронных и фотоэлектронных материалах, приборах, схемах, сенсорах, системах. Форма участия - докладчик. Доклады: "Rad-hard versions of spice MOSFET models for effective simulation of SOI/SOS CMOS circuits taking into account radiation effects", "SiGe HBT TCAD simulation taking into account impact of proton radiation", "TCAD simulation of total ionization dose response of 45nm high-k mosfets on bulk silicon and SOI substrate". Соавторы I.A. Kharitonov, L.M. Sambursky, A.S. Mokeev, D.A. Popov, M.V. Kozhukhov

Ипортозамещение

Ежегодная 18-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2015» (г. Лыткарино), 2-3 июня 2015 г. Конференция прошла в соответствии с Планом проведения научно-технических мероприятий Госкорпорации «Росатом». Ее провjдил ФГУП «Научно-исследовательский институт приборов». Форма участия: докладчик. Доклад: "Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик". Соавторы: И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский,

Joint IEEE International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon , EUROSOI-ULIS- 2015, 2015 Bologna, Italy, 26.01.2015 - 28.01.2015 Соавтор доклада, докладчик "SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects". K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, L.M. Sambursky

15-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур». 25.02.2015 - 26.02.2015 Российская Федерация, Нижний Новгород. Форма участия: соавтор доклада. Доклад: Универсальная SPICE модель КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе платформ BSIM-SOI и EKV-SOI. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский

2014 год

11-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника».25-27 ноября 2014, Крокус Экспо, " Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники с учетом температуры и радиации", "Исследование тепловых полей в мощных полупроводниковых компонентах с помощью ИК тепловизионной установки". Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и наноэлектроника" К.О. Петросянца и И.А. Харитонова.

XI Международная научно-практическая конференция «ИННОВАЦИИ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИОННЫХ И КОММУНИКАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» (ИНФО-2014) 1.10.2014 - 10.10.2014 Российская Федерация, Сочи. Соавтор доклада, докладчик "Подсистема проектирования интегральных схем с учетом действия фактров температуры и радиации доклада на конференции". Петросянц К.О., Харитонов И.А., Кожухов М.В., Самбурский Л.М.

1-й Всероссийский форум технологического лидерства России "ТЕХНОДОКТРИНА-2014", 6.11.2014 - 7.11.2014 Российская Федерация, Москва. Соавтор доклада , докладчик "Система целевой подготовки специалистов в области электроники для аэрокосмической отрасли, построенная на базе научно-образовательных модулей «вуз-предприятие»". А.Н. Тихонов, Б.Г. Львов, К.О. Петросянц, С.У. Увайсов, И.А. Харитонов , С.В. Балакин, А.Н. Четыркин, В.Н. Крутиков

10th European Workshop on Microelectronics Education, 14.05.2014 - 16.05.2014 Эстония, Таллин, соавтор доклада "The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link", A.N. Tikhonov, B.G. Lvov, K.O. Petrosyants, S.U. Uvaysov, I.A. Kharitonov, V. Balakin, A.N., Chetyrkin, V.N. Krutikov. Докладчик

III Международная научно-практическая конференция Innovative Information Technologies, 21.04.2014 - 25.04.2014, Чехия, Прага. Соавтор доклада, докладчик "EXPANDING COMMERCIAL SPICE POSSIBILITIES IN THE FIELD OF EXTREME ENVIRONMENT ELECTRONICS DESIGN BY USING NEW BJT AND MOSFET MODELS WITH ACCOUNT FOR RADIATION INFLUENCE". K.O. Petrosyants, I.A. Kharitonov, M.V. Kozhukhov, L.M. Sambursky

The International Conference On Advances in Computer Science and Electronics Engineering, 8.03.2014 - 9.03.2014 Малайзия, Куалу-Лумпир. Соавтор доклада. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components. K. O. Petrosyants, I. A. Kharitonov, P.A. Kozynko, N.I. Ryabov,

14-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2014 - 28.02.2014 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: Соавтор доклада. Доклад: Моделирование элементов БиКМОП БИС с учетом радиационных эффектов. К.О. Петросянц, И.А. Харитонов, Л.М. Самбурский, М.В. Кожухов

2013 год

10-я Международная специализированная выставка «Силовая электроника», с 26 по 28 ноября 2013, Крокус Экспо, павильон 2, раздел "Молодая силовая электроника России". Форма участия - участие с 2-мя экспонатами:
1)База данных по характеристикам и параметрам моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2)Исследование тепловых характеристик преобразователей напряжения с помощью ИК тепловизионной установки
Экспонаты выполнены и представлены аспирантами и студентами МИЭМ НИУ ВШЭ под руководством профессоров каф. "Электроника и Электротехника". К.О. Петросянц - один из руководителей экспонатов.

Международная научно-практическая конференция"Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий", (ИНФО-2013), Сочи, 1-10 октября 2013. Соавтор доклада, докладчик "Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры", авторы: Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М.

Европейская конференция 16th Digital Systems Design (DSD 2013) объединенная с 39th Software Engineering and Advanced Applications (SEAA 2013) конференцией, г. Santander, Испания, 4 - 6 сентября 2013 г. Форма участия- соавтор стендового доклад на тему: "Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems".

Техническое совещание «Проблемы математического моделирования РЭА на этапах её разработки», ФГУП «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова», 22.08.2013, организованное в соответствии с решением секции «Радиационно-стойкая ЭКБ» Межведомственного совета главных конструкторов по радиоэлектронной компонентной базе по проблеме моделирования радиоэлектронной аппаратуры в условиях воздействия ионизирующего излучения, прошедшем 13 июня 2013 г. в Госкорпорации «Росатом». Форма участия - соавтор доклада на тему «Моделирование электронных компонентов с учётом тепловых и радиационных эффектов». Соавторы: Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В., А.В. Сидоров, В.В.Карушев, С.В. Смирнов.

II Международная научно-практическая конференция "Инновационные информационные технологии", Чехия, Прага, 22–26 апреля.
Форма участия - руководитель секции "Инновационные информационные технологии в науке", докладчик. Темы докладов: "SPICE-МОДЕЛИ КРЕМНИЕВЫХ БТ И КРЕМНИЙ‑ГЕРМАНИЕВЫХ ГБТ, УЧИТЫВАЮЩИЕ ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ФАКТОРОВ", соавтор - Кожухов М. В.; "ПРИМЕНЕНИЕ ПАКЕТОВ ПРОГРАММ TCAD И HSPICE ДЛЯ АНАЛИЗА ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ЯЧЕЙКАХ КМОП ИС С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ ЭФФЕКТА САМОРАЗГРЕВА", соавторы Харитонов И.А., Попов Д. А.

Международная конференция «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), г. Сямынь, КНР, март, 13-14, 2013 г.
Форма участия - докладчик. тема доклада «Hardware-software subsystem for MOSFETs characteristic measurement and parameter extraction with account for radiation effects».
13-ий научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
27.02.2013 - 28.02.2013 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Доклад Кремний-германиевая Би-КМОП технология для создания радиационно-стойких аналого-цифровых СБИС

2012 год
12-й научно-практический семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур».
29.02.2012 - 1.03.2012 Российская Федерация, Нижний Новгород
форма участия: докладчик
Тема доклада "Моделирование характеристик элементной базы 0,35 мкм КМОП СБИС КНИ с учетом радиационных воздействий"

Межотраслевая школа-семинар "Радиационные испытания-2012"
18.06.2012 - 21.06.2012 Российская Федерация, Дубна Московской области
форма участия: докладчик
Тема доклада "Методы математического моделирования элементов ИС и ИС при радиационном воздействии

Научно-техническая конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКА-2012»
26.06.2012 - 29.06.2012 Российская Федерация, Суздаль
формы участия: докладчик
Доклады:
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА МЕХАНИЗМ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ КНИ КМОП ОЗУ
Макромодель EKV RAD для КНИ/КНС МОП транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

18th International Workshop on Thermal investigations of ICs and Systems "Therminic 2012"
24.09.2012 - 27.09.2012 Венгрия, Будапешт
форма участия: докладчик
Доклад : Quasi – 3D approach for BGA Package Thermal Modeling.

Конференция «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем» (MQ&ISM-2012)
16.09.2012 - 23.09.2012 Австрия, Вена
форма участия: докладчик
Доклад: Программно-аппаратный комплекс для расчета и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения

Всероссийская научная школа по проектированию интегральных схем
11.09.2012 - 13.09.2012 Российская Федерация, Москва
форма участия: докладчик
Доклад: Схемотехнические SPICE-модели элементов аналого-цифровых ИС

Международная конференция IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12)
14.09.2012 - 12.09.2012 Украина, Харьков
форма участия: докладчик
Доклады:
New version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System
Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS
Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

Крупнейший международный научно-технический семинар-выставка по исследованию тепловых процессов в электронных компонентах
«IMAPS Advanced Technology Workshop and Tabletop Exhibition on Thermal Management», 12 - 14 ноября 2012 г.,Кремниевая долина,
г. Лос-Гатос (Калифорния, США),
форма участия: докладчик
Доклад «Experimental Investigation of Temperature-Current Rise in Embedded PCB Traces»
("Экспериментальное исследование температурно-токовых характеристик трасс печатных плат со встроенными активными
компонентами») был признан одним из лучших и отмечен Оргкомитетом IMAPS–2012 специальной грамотой.

9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника»,27- 29 ноября, Москва, МВК «Крокус Экспо»
В рамках специального проекта "Молодая силовая электроника" аспирантами и студентами кафедры "Электроника и наноэлектроника" МИЭМ НИУ ВШЭ
были представлены два экспоната :
1) Аппаратно- программный комплекс для определения параметров моделей полупроводниковых элементов силовой электроники.
2) Печатные платы со встроенными активными компонентами.
К.О. Петросянц - руководитель выставленных работ.

Публикации

2024⁵

Статья Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Numerical Thermal Modelling of Electronic Systems in Package // Journal of Physics: Conference Series. 2024. Vol. 2701. Article 012115. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Modelling of Advanced Electronic Systems in Package, in: Theory and Applications of Engineering Research Vol. 3 Vol. 3: Theory and Applications of Engineering Research. Kolkata : B P International, 2024. doi Ch. 6. P. 120-156. doi
Статья Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С., Грабежова В. К. TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2024. Т. 29. № 4. С. 489-503. doi
Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Тегин М. С. Моделирование электротепловых переходных процессов в мощных электронных схемах на печатных платах с использованием программного обеспечения Comsol, Spice, «Асоника-ТМ» // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2024. Т. 29 . № 1. С. 65-78. doi
Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С., Попов Д. А., Исмаил-Заде М. Р., Переверзев Л. Е., Морозов А. А., Тургенев П. В., Шипицин Д. С., Ласточкин О. В., Краснюк А. А., Петров К. А. Оценка средствами TCAD стойкости ячеек памяти СОЗУ к воздействию ОЯЧ при уменьшении проектных норм до 28 нм // Наноиндустрия. 2024. Т. 17. № S10-1(128). С. 302-312. doi

2023³

Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Тегин М. С. Multi-level electro-thermal simulation of power PCB electronic modules for motor driving, in: WSEAS Transactions on Circuits and Systems Vol. 22: Volume 22, 2023, Art. #14. WSEAS Press, 2023. doi P. 126-134. doi
Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А., Переверзев Л. Е., Морозов А. А., Тургенев П. В. Особенности TCAD-SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2023. Т. 28. № 6. С. 826-837. doi
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi

2022⁶

Глава книги K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov, M.R. Ismail-Zade. Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells, in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT) / Сост.: И. А. Иванов, O. Stukach.; Ed. by O. Stukach. M. : IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Sambursky L. M. Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C), in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2022. doi P. 1-4. doi
Статья Petrosyants K. O., Denis S. Silkin, Popov D. Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling // Micromachines. 2022. Vol. 13. No. 8. Article 1293. doi
Статья K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov. Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 8. P. 644-648. doi
Статья K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Li B., Zhang X. TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation // Russian Microelectronics. 2022. Vol. 51. No. 7. P. 545-551. doi
Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi

2021⁹

Статья Wang Y., Liu F., Li B., Li B., Huang Y., Yang C., Zhang J., Wang G., Luo J., Han Z., Petrosyants K. O. Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2021. Vol. 68. No. 8. P. 1660-1667. doi
Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
Глава книги Петросянц К. О. TCAD и SPICE моделирование элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 112-116. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Pugachev A., Kharitonov I. A., Dymov D. TCAD-model of betavoltaic battery with vertical micro trenches structure, in: Proceedings of 9-th European conference on renewable energy systems (ECRES 2021), 21-23 April 2021, Istanbul , Turkey Vol. 1. Ankara, Turkey: , 2021. P. 481-483.
Статья Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., Ли Б., Чжан С. TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2021. Т. 26. № 5. С. 374-386. doi
Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Исследование возможностей применения различных промышленных экстракторов для определения параметров SPICE-моделей субмикронных МОПТ в диапазоне температуры до 300°С // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 117-120. doi
Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования // В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021. М. : МАКС Пресс, 2021. doi С. 120-123. doi
Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов // В кн.: Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов Т. 14. Вып. 7s. М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. doi С. 286-288. doi
Глава книги Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021) Вып. 4. М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6. doi

2020¹²

Статья Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M. Compact Si JFET Model for Cryogenic Temperature // Cryogenics. 2020. Vol. 108. P. 1-6. doi
Статья Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Simulation of Integrated Circuit Systems in Packages // Energies. 2020. Vol. 13. No. 12. P. 1-17. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Simulation of Multi-Chip Stack Embedding Package, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 1-7. doi
Глава книги Ismail-zade M. R., Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Zhang X., Li B., Luo J., Han Z. SPICE Modeling of Small-Size Bulk, SOI and SOS MOSFETs at Deep-Cryogenic Temperatures, in: 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2020. doi P. 97-103. doi
Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Силкин Д. С. SPICE-модели для учета радиационных и низкотемпературных эффектов в суб-100 нм МОП-транзисторных структурах // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S5-2. С. 386-392. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers, in: 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). San Jose, CA USA: IEEE, 2020. P. 56-60. doi
Глава книги K. O. Petrosyants, D. A. Popov, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky, Li B., Wang Y. C. TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, in: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2020). / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 4. ИППМ РАН, 2020. P. 2-8. doi
Глава книги Petrosyants K., D.A. Popov, Li B., Wang Y. TCAD-SPICE Investigation of SEU Sensitivity for SOI and DSOI CMOS SRAM Cells in Temperature Range up to 300 °C, in: Proceedings of the 3nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT 2020). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2020. Ch. 15. P. 31-34.
Статья K. O. Petrosyants, M. R. Ismail-Zade, L. M. Sambursky. The Special Features of Simulation of the Current–Voltage Characteristics of JFETs in the Cryogenic Temperature Range / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2020. Vol. 49. No. 7. P. 501-506. doi
Глава книги Петросянц К. О. Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 35-40. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Пугачев А. А. Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели // В кн.: Наноиндустрия. Специальный выпуск: Международный форум "Микроэлектроника-2019". 5-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули" Т. 1. Вып. 96. Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020. С. 291-294. doi
Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397. doi

2019¹⁰

Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. Comparison of Self-heating Effect in SOI MOSFETs with Various Configuration of Buried Oxide, in: Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Pugachev A., Lvov B. G. I-V- Characteristics Analysis of Betavoltaic Microbatteries Using TCAD Model // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1353. No. 1. P. 1-7. doi
Глава книги Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology, in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018 Vol. 11022G. SPIE, 2019. P. 1-6. doi
Статья Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D. Quasi-3D TCAD modeling of STI radiation-induced leakage currents in SOI MOSFET structure // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1163. P. 1-6. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi-3D Thermal Model of Stacked IC-TSV-BGA Package, in: 25th INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC 2019). Milan : IEEE, 2019. Ch. 8923865. P. 1-4. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi
Статья Petrosyants K. O., Popov D. Simulating the Self-Heating Effect for MOSFETs with Various Configurations of Buried Oxide / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2019. Vol. 48. No. 7. P. 467-469. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Pugachev A. A., Kharitonov I. A. Universal physical model of low-power and long lifetime betavoltaic microbatteries, in: Proceedings of the Seventh European Conference on Renewable Energy Systems (ECRES2019). Madrid : , 2019. P. 1-7. (в печати)
Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Исследование с помощью TCAD быстродействия субмикронных МОП-структур с неравномерным легированием канала // В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия. НИИСИ РАН, 2019. С. 27-28.
Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184. doi

2018¹⁸

Глава книги Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., Dvornikov O. V., Lvov B. G., Kharitonov I. A. Automation of Parameter Extraction Procedure for Si JFET SPICE Model in the −200…+110°C Temperature Range, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-5. doi
Глава книги Petrosyants K. O. Compact Device Models for BiCMOS VLSIs Simulation in the Extended Temperature Range (from -200°C to +300°C), in: 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018). IEEE, 2018. P. 1-6. doi
Глава книги Petrosyants K.O., Ryabov N.I., Batarueva E.I. Compact SPICE Models of the Standard Layout Fragments in LSI Interconnections, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 580-584. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov, Boris G. Lvov, Ekaterina I. Batarueva Б. Е. Development of Compact SPICE-models of IC Resistive Interconnects with Different Configurations, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 10. P. 1-4. doi
Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
Глава книги Petrosyants K.O., Kharitonov I.A. SPICE Simulation of Total Dose and Aging Effects in MOSFET Circuits, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). IEEE Computer Society, 2018. P. 760-765.
Глава книги Петросянц К. О. SPICE модели элементов БиКМОП СБИС для сверхнизких температур // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 65-66.
Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Savchenko E. M., Budyakov A. S. SPICE-model of SiGe HBT Taking into Account Radiation Effects, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4. doi
Глава книги Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET для расширенного диапазона температуры до –200°C // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018) / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. Вып. 3. М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 111-117. doi
Статья Petrosyants K., Popov D., Bykov D. TCAD Simulation of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k MOSFET Structures / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2018. Vol. 47. No. 7. P. 487-493. doi
Глава книги Petrosyants K., Stukach O. Welcome to the 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. P. 1-1. doi
Статья Петросянц К. О. Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 402-403. doi
Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование эффекта саморазогрева КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2018. Т. 23. № 5. С. 521-525. doi
Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 404-405. doi
Статья Лебедев С. В., Петросянц К. О., Стахин В. Г., Харитонов И. А. Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 412-414. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р. Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г. М. : Техносфера, 2018. С. 308-312.
Статья Петросянц К. О. Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 42-45. doi
Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Харитонов И. А. Экспериментальное исследование и моделирование ВАХ субмикронных МОП-транзисторов в диапазоне температуры -200…+300°C // В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 67-68.

2017²⁰

Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. 45nm High-k MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrates Modeling to Account for Total Dose Effects, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Safonov S. O., Stakhin V. G. Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C) // Microelectronics and Reliability. 2017. Vol. 79. P. 416-425. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Prokopenko N. N. Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range, in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2017. doi P. 1-5. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R. Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications, in: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Lebedev S. V., Sambursky L. M., Stakhin V. G., Kharitonov I. A., Ismail-zade M. R., Ignatov P. V. High temperature submicron SOI CMOS technology characterization for analog and digital applications up to 300°C, in: 33rd Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). PROCEEDINGS 2017. Denver : IEEE, 2017. P. 229-234. doi
Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
Статья Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov, Boris G. Lvov. Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model // Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51. doi
Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В. TCAD моделирование дозовых радиационных эффектов в суб-100 нм high-k МОП-транзисторных структурах // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2017. Т. 22. № 6. С. 569-581. doi
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. TCAD моделирование радиационно-индуцированных токов утечки стока в КНИ МОПТ при повышенных температурах // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
Глава книги Petrosyants K., M.V. Kozhukhov. TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects, in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base Part Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016. M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
Глава книги Dvornikov O. V., Dziatlau V., Prokopenko N., Petrosyants K., Kozhukhov M., Tchekhovski V. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors, in: 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). IEEE, 2017. doi P. 1-6. doi
Глава книги Петросянц К. О. Библиотека SPICE-моделей МОП и биполярных транзисторов для расчёта КМОП и БиКМОП СБИС космического назначения // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 49-50.
Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.
Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Статья Петросянц К. О., Батаруева Е. И., Рябов Н. И. РАСЧЕТ ЗАДЕРЖЕК И ПОТЕРЬ НАПРЯЖЕНИЯ В МЕЖСОЕДИНЕНИЯХ БИС С ПОМОЩЬЮ КОМПАКТНОЙ ЭЛЕКТРО-ТЕПЛОВОЙ SPICE-МОДЕЛИ // Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета. 2017. № 4 (выпуск 62). С. 89-94. doi
Глава книги Петросянц К. О., Гладышева Е. И., Рябов Н. И. Расчёт задержек в межсоединениях цифровых БИС с учётом электротепловых эффектов // В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 51-52.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Характеризация элементов высокотемпературных КМОП ИС // В кн.: Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
Книга Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие / Под общ. ред.: К. О. Петросянц. М. : Солон-Пресс, 2017.

2016¹⁷

Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. Complex for automated measurement and processing of BJTs and MOSFETs characteristics for extremal applications, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-4. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Lvov B. G. Fault Simulation in Radiation-Hardened SOI CMOS VLSIs using Universal Compact MOSFET Model, in: Proceedings of the IEEE Latin-American Test Symposium (LATS-2016). NY : The Institute of Electrical and Electronics Engineering, Inc., 2016. P. 117-122. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Nikita I. Ryabov, Kozynko P. A., Boris G. Lvov. Hardware-Software Subsystem for Multilevel Thermal Fault Detection and Analysis of Electronic Components, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. P. 1-6. doi
Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M. Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2016. Vol. 63. No. 4. P. 2016 -2021. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov. Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages, in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. M. : HSE, 2016. Ch. 7491801. P. 1-6. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Gladysheva E. I. Simulation of CMOS IC’s Waveforms Distortions in PCB Traces with Account for Radiation Effects, in: Proceedings of 24-th Telecommunications Forum. Beograd : IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1-4. doi
Статья Petrosyants K., Popov D., L. M. Sambursky, I. A. Kharitonov. TCAD Leakage Current Analysis of a 45 nm MOSFET Structure with a High-k Dielectric / Пер. с рус. // Russian Microelectronics. 2016. Vol. 45. No. 7. P. 460-463. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M., Veniamin G. Stakhin, Kharitonov I. A. Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C), in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). IEEE, 2016. P. 250-254. doi
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
Книга Адонин А. С., Петросянц К. О. Интегральные схемы со структурой КМОП «кремний на сапфире». М. : Химия, 2016. (в печати)
Глава книги Лебедев С. В., Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Стахин В. Г., Харитонов И. А., Исмаил-Заде М. Р. Исследование характеристик КНИ МОП-транзисторов высокотемпературных ИС (до 300°С) при уменьшении размеров до 0,18 мкм. // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 237-238.
Глава книги Петросянц К. О. Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 18-19.
Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Моделирование конструктивно-технологических разновидностей КНИ МОП-транзисторов с повышенной радиационной и температурной стойкостью // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 303-308.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш. Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование сбоеустойчивости КМОП КНИ ячеек памяти при воздействии отдельных тяжелых частиц при повышенной температуре (до 300oС) // В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
Глава книги Петросянц К. О. Моделирование элементов БИС с учётом радиационных эффектов // В кн.: Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Глава книги Петросянц К. О. Схемотехнические SPICE модели элементов БИС, учитывающие радиационные эффекты // В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.

2015²²

Глава книги Kharitonov I. A., Petrosyants K. O., Popov A. V. Analysis of temperature-current rise in modern PCB traces by means of thermography, in: Proceedings of the 13th International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications (AITA-2015). Piza : CNR-ISTI, Italy; Fondazione “Giorgio Ronchi”, Firenze, 2015. P. 171-174.
Глава книги Petrosyants K. O., Torgovnikov R. Electro-Thermal Modeling of Trench-Isolated SiGe HBTs Using TCAD, in: 31-th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium,. San Jose : IEEE, 2015. P. 172-175. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Popov D. High-k Gate Stacks Influence on Characteristics of Nano-scale MOSFET Structures, in: 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015 Vol. 119. P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176. doi
Статья Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky, M. V. Kozhukhov. IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Advanced Materials Research. 2015. Vol. 1083. P. 185-189. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Non-destructive Testing of Electronic Components Overheating Using Infrared Thermography, in: Proceedings of The VIII-th International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress 2015. Brno : Brno University of Technology, 2015. P. 127-131.
Глава книги Petrosyants K. O., Rjabov N. Quasi –3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices, in: International Conference on Simulation, Modeling and Mathematical Statistics (SMMS-2015). Lancaster : DEStech Publications,Inc., 2015. P. 252-257.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Mokeev A. S. Rad-Hard Versions of SPICE MOSFET Models for Effective Simulation of SOI/SOS CMOS Circuits Taking into Account Radiation Effects, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 23-26. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M. SOI/SOS MOSFET Universal Compact SPICE Model with Account for Radiation Effects, in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308. doi
Глава книги Konstantin O. Petrosyants, Maxim V. Kozhukhov. SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiation, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 9-12. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Popov D. TCAD Simulation of Total Ionization Dose Response of 45nm High-K MOSFETs on Bulk Silicon and SOI Substrate, in: Proceedings of the 24th European conference on radiation and its effects on components and systems -2015 (RADECS 2015), Moscow, Russia, 14-18 September. Piscataway : Institute of Electrical and Electronic Engineers, 2015. P. 27-30. doi
Статья Петросянц К. О., Попов Д. А., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Анализ с помощью системы TCAD токов утечки 45 нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 1. С. 38-43.
Статья К.О. Петросянц, М.В. Кожухов Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2015. Т. 20. № 6. С. 648-651.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В. Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С) // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 239-240.
Глава книги Петросянц К. О. Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 215-216.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Мокеев А. С. Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик // В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Определение параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов в диапазоне температуры (–60 °C … +125 °C) // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР // В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.
Глава книги Петросянц К. О., Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование 45нм high-k МОПТ с учетом воздействия гамма излучения // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов // В кн.: Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.) / Под общ. ред.: Г. Г. Бондаренко; науч. ред.: Г. Г. Бондаренко. М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 415-423.
Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
Статья Доморацкий Е. П., Петросянц К. О. Устройство регистрации импульсных микроизображений. Патент на изобретение № 2551895 // Бюллетень изобретений. Заявка рег. № 2014116106 от 23.04.2014. 2015
Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Олухов В. Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.

2014¹⁰

Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194. doi
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. Multilevel System for Thermal Design, Control and Management of Electronic Components // International Journal of Advancements in Electronics and Electrical Engineering. 2014. Vol. 3. No. 2. P. 22-27.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozynko P., Rjabov N. The System for Thermal Control of Electronic Components, in: Proccedings of the International Conference on Advances in Computer Science and Electronics Engineering (CSEE 2014), 08-09 March, 2014, Kuala Lumpur, Malaysia. , 2014. P. 150-154.
Глава книги Tikhonov А. N., Lvov B. G., Petrosyants K. O., Uvaysov S. U., Kharitonov I. A., Balakin Staniclav, Chetyrkin A., Krutikov V.N. The System of Microelectronics Education for Aerospace Industry Based on “University-Enterprise” Link, in: Proceedings of the Tenth Workshop on Microelectronics Education (EWME 2014 ) Vol. 1. Tallinn : Tallinn University of Technology, 2014. Ch. S04-02. P. S04-02-0027-S04-02-0035.
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов // Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы. 2014. № 1 (232). С. 3-18.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 23-26.
Статья Доморацкий Е. П., Петросянц К. О. Телевизионный датчик импульсных микроизображений // Датчики и системы. 2014. № 4. С. 19-24.
Статья Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И., Харитонов И. А. Электротепловое проектирование «разумных» мощных микросхем с использованием системы Mentor Graphics // Силовая электроника. 2014. № 4. С. 42-48.

2013¹⁶

Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Account for radiation effects in signal integrity analysis of PCB digital systems, in: Proceedings 16th Euromicro Conference on Digital System Design DSD 2013 Proceedings of the 16th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD 2013) Santander, Spain. Santander : IEEE Computer Society, 2013. P. 479-482.
Глава книги Petrosyants K. O., Kortunov A. V., Kharitonov I. A., Попов А. А., Гоманилова Н. Б., Rjabov N. Analysis and Simulation of Temperature-Current Rise in Modern PCB Traces, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 308-311.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Popov D. Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
Глава книги Petrosyants K., Kharitonov I. A., Kozynko P., Popov A. Electronic components thermal regimes investigation by IR thermography, in: Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications. Turin : Politecnico di Torino, 2013. P. 185-189.
Статья Petrosyants K. O., Popov A. A. Experimental investigation of temperature-current rise in fine PCB copper traces on polyimide, aluminium and ceramic (Al2O3) substrates // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 739. P. 155-160. doi
Статья Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects // Advanced Materials Research. 2013. Vol. 718–720. P. 750-755. doi
Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 320-326.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects, in: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen : , 2013. P. 35-36.
Статья К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 6. С. 85-87.
Глава книги К. О. Петросянц, Смирнов Д. С., М. В. Кожухов Влияние электронного и гамма-излучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярных транзисторов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 239-242.
Глава книги Харитонов И. А., Гоманилова Н. Б., Петросянц К. О., Самодуров Д. А., Александров А. В., Малышев А. А., Чемеза Д. М. Информационно-измерительный комплекс для определения параметров схемотехнических SPICE моделей электронных компонентов с учетом температуры // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2013) / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 274-276.
Глава книги К. О. Петросянц Моделирование тепловых режимов электронных компонентов // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции / Отв. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Савченко Е. М., А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов. М. : МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 229-232.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. Применение пакетов программ TCAD и HSPICE для анализа переходных процессов в ячейках КМОП ИС с учетом влияния эффекта саморазгрева // В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: С. У. Увайсов. Т. 3. М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 451-458.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Богатырев В. Н., Поварницына З. М., Щекин А., Гоманилова Н. Б. Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.) / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296-302.
Статья Петросянц К. О., Попов Д. А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

2012¹⁸

Глава книги Petrosyants K. O., Rjabov N. Logi-Thermal Analysis of Digital Circuits Using Mixed-Signal Simulator Questa ADMS, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 541-544.
Глава книги Petrosyants K., Kozynko P., Kharitonov I. A., Sidorov A., Chichkanov Y. New Version of Automated Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 289-292.
Глава книги Petrosyants K., Rjabov N. Quasi – 3D Approach for BGA Package Thermal Modeling, in: Collection of papers presented at the 18th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems / Отв. ред.: P. E. Raad, A. Poppe.; Ed. by M. Rencz, B. Courtois. Budapest : EDA Publishing Association, 2012. P. 158-161.
Глава книги Петросянц К. О., Самбурский Л. М. SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116-121.
Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Bogatyrev V., Povarnitcyna Z., Drozdenko E. Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Глава книги Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D. TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs, in: International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.. M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
Статья K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov, Popov D. TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs // Proceedings of SPIE. 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П., Воеводин А. В. Исследование стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц ячеек КНИ КМОП ОЗУ методами смешанного 3D TCAD-SPICE моделирования // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 413-418.
Глава книги Петросянц К. О., Грязнов Е. Г., Мансуров А. Н. Конструкции ячеек радиационно-стойких энергонезависимых ОЗУ, интегрированных в КМОП КНИ процесс // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 608-611.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Адонин А. С. Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Ятманов А. П. Моделирование влияния паразитного биполярного транзистора на механизм одиночных сбоев ячейки памяти КНИ КМОП ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 21-32.
Глава книги Петросянц К. О., Торговников Р. А. Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учетом эффекта саморазогрева // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 267-273.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И. Оценка эффективности теплоотвода BGA корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ // В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г. / Отв. ред.: А. Пронин, Е. Череменская, А. Мартынов; науч. ред.: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко. М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 206-210.
Глава книги Петросянц К. О. Программно-аппаратный комплекс для расчёта и оценки радиационной и температурной стойкости электронной компонентной базы аэрокосмического назначения // В кн.: Менеджмент качества и менеджмент информационных систем (MQ&ISM-2012). Материалы международной конференции / Под общ. ред.: В. Н. Азаров. М. : Фонд «Качество», 2012. С. 31-35.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Адонин А. С., Сидоров А. В., Александров А. В. Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов / Отв. ред.: В. С. Борискин; под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2012. С. 187-192.
Глава книги Быков Д. В., Кечиев Л. Н., Львов Б. Г., Петросянц К. О. ФГБОУ ВПО "Московский государственный институт электроники и математики" // В кн.: История отечественной электроники Т. 2. М. : ЗАО "Издательский дом "Столичная энциклопедия", 2012. С. 506-521.

2011⁸

Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects // Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
Глава книги Petrosyants K., Torgovnikov R., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
Глава книги Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
Глава книги Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A. TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 188-190.
Глава книги Petrosyants K., Rjabov N. Temperature Sensors Modeling for Smart Power IC, in: Proceedings of 27-th IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium, San Jose, USA, March 2011. San Jose : IEEE Components, Packaging and Manufacturing Technology Society, 2011. P. 161-165.
Глава книги Petrosyants K., Rjabov N. Thermal Analysis of the Ball Grid Array Packages, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275-278.
Статья Петросянц К. О., Торговников Р. А. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 81-83.
Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20-28.

2010⁹

Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.
Глава книги Bykov D., Petrosyants K. O., Kharitonov I. A. Microelectronics education at MIEM: from materials to system on chip/board, in: Proceedings of the 8th European Workshop on Microelectronics Education, Darmstadt, Germany, 10-12 May 2010. Darmstadt : -, 2010. P. 39-44.
Глава книги Petrosyants K. O., Kozynko P., Kharitonov I. A., Rjabov N. Multi-level Thermal Design of Electronic Components: from Submicron Devices and ICs to Systems on a Board, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 330-333.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В. Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И. Моделирование датчиков температуры мощных интеллектуальных ИС // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010. Сборник трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2010. С. 80-85.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Ятманов А. П. Определение емкостных параметров модели BSIMSOI из результатов приборно-технологического моделирования // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 73-78.
Глава книги Петросянц К. О., Торговников Р. А. Определение паразитных емкостей SiGe гетеропереходного биполярного транзистора для схемотехнических моделей Mextram, HICUM // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Осипенко П. Н., Горбунов М. С. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией // В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). / Науч. ред.: В. Я. Стенин. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
Статья Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Ятманов А. П. Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

2009³

Глава книги Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A., Kozynko P. Electro-thermal simulation: a new Subsystem in Mentor Graphics IC Design Flow, in: Collection of Papers Presented at the 15th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2009) / Ed. by B. Courtois, M. Rencz, T. Baelmans, B. Vandevelde, T. Persoons. Leuven : EDA Publishing Association, 2009. P. 70-74.
Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N., Kozynko P. Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250.
Статья Петросянц К. О., Ширабайкин Д. Анализ времени отказа межсоединений субмикронных СБИС // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2009. № 3(77). С. 87-89.

2008²

Глава книги Petrosyants K. O., Kozynko P. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Collection of Papers Presented at the 14th International Workshop on THERMal INvestigation of ICs and Systems (THERMINIC 2008) / Ed. by B. Courtois, M. Rencz, C. Lasance, V. Székely. Rome : EDA Publishing Association, 2008. P. 76-79.
Глава книги Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А., Козынко П. А. Реализация процесса электротеплового моделирования в САПР БИС Mentor Graphics // В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2008. Сборник научных трудов / Под общ. ред.: А. Л. Стемпковский. М. : ИППМ РАН, 2008. С. 243-246.

2007²

Глава книги Petrosyants K. O., Kozynko P. Automatic Electro-Thermal Analysis in Mentor Graphics PCB Design System, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'07). Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2007. P. 599-602.
Статья Петросянц К. О., Козынко П. А. Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics // Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.

Научный руководитель диссертационных исследований

на соискание учёной степени кандидата наук

1
Исмаил-Заде М. Р. Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей MOSFET и JFET-транзисторов с учетом тепловых эффектов, 2022
2
Попов Д. А. Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов, 2020
3
Кожухов М. В. Разработка и исследование моделей радиационных воздействий для расчета характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с помощью системы TCAD, 2016
4
Самбурский Л. М. Разработка и исследование схемотехнических SPICE-моделей элементов радиационно-стойких и фоточувствительных КМОП БИС со структурой КНИ / КНС, 2013
5
Стецкевич А. М. Разработка макромодели операционного усилителя с учетом теплового и радиационного воздействия (aспирантура: 1-й год обучения)
6
Казачков А. О. Разработка и исследование SPICE-моделей гибридных СВЧ модулей на основе GaN транзисторов (aспирантура: 2-й год обучения)

Опыт работы

Опыт работы - более 45 лет.

Достижения: дважды лауреат Премии Правительства РФ в области науки и образования .

Ординарный профессор НИУ ВШЭ.

Занимаемые должности:

с 1993 по 2012 - зав. кафедрой "Электроники и электротехники", декан факультета АВТ МИЭМ,

с 2012 по настоящее время - профессор, профессор-исследователь НИУ ВШЭ

Информация^*

Общий стаж: 62 года
Научно-педагогический стаж: 55 лет
Преподавательский стаж: 50 лет

Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки

Опубликованные тезисы докладов (кроме списка публикаций)

Петросянц К. О., Торговников Р. А. Элементная база SiGe БиКМОП СБИС ведущих зарубежных компаний для создания высокоскоростных систем передачи информации // Материалы VI семинара «Перспективы создания отечественной СВЧ электронной компонентной базы для высокоскоростных систем передачи информации 4‑го поколения», М., ФГУП «НПП „Пульсар“», апр. 2011
Петросянц К. О. Электро-тепловое моделирование полупроводниковых приборов, микросхем и электронных модулей // Материалы совещания по САПР РЭА КМЭ при секции № 1 НТС Ядерного Оружейного Комплекса Госкорпорации «РОСАТОМ», М., ВНИИА, окт. 2011
K. O. Petrosyants. Models and Software Tools for Electro-Thermal Design of Semiconductor Devices and ICs // Proc. of Workshop «Design of semiconductor components and electronic based miniaturized systems: European and Russian R/D cooperation», Ulyanovsk, Russia, May 2011

Участие в грантах, НИР, ОКР

2015

- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик . Заказчик- ФГУП «ВНИИА». Руководитель работы.

- НИР «Разработка и исследование моделей МОП-КНИ транзисторов с учетом воздействия нейтронов». Заказчик - ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова». Руководитель работы.

2014

- Разработка методов, моделей и баз данных для проектирования электронных компонентов ЭВМ и РЭА космического назначения (полупроводниковых приборов, микросхем, СБИС, печатных плат) с учетом радиации и температуры. Грант РФФИ. 14-29-09145. Форма участия - участник гранта.
- Разработка методик экстракции параметров моделей электронной компонентной базы с учетом тепловых и радиационных эффектов из результатов измерений их характеристик. Работа по заказу ФГУП ВНИИА. Форма участия - Руководитель работы.

2013

- ОКР «Разработка параметров модели для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», Шифр: ОКР «Угра-МИЭМ» Этап 2. (заказчик ОАО «НПО ИТ»). Форма участи - отвественный исполнитель.
- НИР «Проведение исследований по созданию SPICE моделей электронных компонентов с учетом температурного воздействия», шифр «МОДЕЛЬ» (заказчик - ФГУП «ВНИИА» им. Н.Л. Духова». Форма участи - Руководитель работы

.
- Фундаментальная НИР "Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям", в рамках плана Фундаментальных исследований НИУ ВШЭ, ТЗ 108. Форма участи - руководитель работы.

Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (2-ой этап) - Руководитель
НИР «Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям» в рамках программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ- Руководитель.
2012

Грант РФФИ "Исследование и разаработка методов и средств электро-теплового проектирования микроэлектронных систем: полупроводниковых чипов, печатных плат и блоков " . ИППМ РАН, № проекта 12-07-00506 (1-ый этап) - Руководитель
НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап) - Руководитель
НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (3-ий этап). – Исполнитель
НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (3-ой этап). - Исполнитель
НИР «Исследование конструктивно-технологических решений по созданию базовых элементов радиационно-стойких КМОП СБИС со структурой «кремний на изоляторе», гос. бюдж. - Руководитель
НИР «Разработка физических моделей приборного моделирования характеристик субмикронных транзисторов КМОП КНИ с учетом воздействия спецфакторов», «Модель-С-МИЭМ-2012», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС», г. Нижний Новгород). - Руководитель
НИР «Разработка математических моделей электронных компонентов с учетом воздействия спецфакторов», (заказчик - ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ», г. Снежинск). - Руководитель
ОКР «Разработка параметров моделей для проектирования аналоговых и цифро-аналоговых специализированных интегральных схем для радиационно-стойкой аппаратуры», «Угра-МИЭМ», 1-ый этап, (заказчик- ОАО «НПО ИТ», г. Королев). - Руководитель

2011

НИР «Разработка перспективных конструктивно-технологических решений твердотельных интеллектуальных силовых микросхем на основе комбинированной Би-КМОП-ДМОП технологии», гос. бюдж. - Руководитель

НИР «Поисковые исследования в области СВЧ БИС на основе кремний-германиевых гетероструктур для систем беспроводной связи и радарной техники», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Руководитель
НИР «Исследование характеристик субмикронных и глубоко субмикронных кремний-германиевых биполярных и МОП гетероструктурных транзисторов аналого-цифровых Би-КМОП СБИС для радио- и теле-коммуникационных систем», гос. бюджет, задание Минобрнауки в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» (2-ой этап). - Исполнитель
НИР «Разработка моделей, методов, алгоритмов проектирования интеллектуальных силовых модулей», грант РФФИ РАН, гос. бюджет (2-ой этап) - Исполнитель
НИР «Разработка методик модификации SPICE-моделей МОП КНИ транзисторов и экстракции их SPICE-параметров», (заказчик ФГУП «ФНПЦ НИИИС»). - Руководитель
ОКР «Моделирование и испытания радиационностойких интегральных преобразователей»прикладная, Этап 3, (заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
ОКР«Испытание на радиационную стойкость ИС опытного образца ИПТ», шифр «Таймыр-МИЭМ-2»,(заказчик ФГУП «НПО ИТ» г. Королев). - Руководитель
НИР «Экспериментальные и теоретические исследования характеристик полупроводниковых приборов, элементов интегральных схем и РЭА с учетом влияния температуры и радиации, гос.бюджет. - Руководитель

Расписание занятий на сегодня

Расписание занятий по физической культуре в спортивных секциях

Полное расписание

ноя

2024

Профессор МИЭМ Константин Петросянц награжден званием «Почетный работник электронной промышленности» на форуме «Микроэлектроника-2024»

В рамках форума «Микроэлектроника-2024»*, который прошел после завершения Школы молодых ученых (ШМУ) на базе Федеральной территории «Сириус», профессор Московского института электроники и математики (МИЭМ) Константин Петросянц был удостоен высокого звания «Почетный работник электронной промышленности».

ноя

2024

Школа молодых ученых в “Сириусе”: успехи и перспективы российской электроники

Недавно прошла Школа молодых ученых (ШМУ) на базе Федеральной территории “Сириус”, организованная ОНИТ РАН, АО “НИИМЭ” и МФТИ. Мероприятие собрало студентов, аспирантов и преподавателей из разных университетов России, включая представителей МИЭМ НИУ ВШЭ, а также сотрудников таких организаций, как АО “НИИМЭ”, СБЕР, “НМ-ТЕХ”, YADRO. Отдельно стоит отметить, что профессор МИЭМ Константин Петросянц получил награду за значительный вклад в развитие отрасли и подготовку специалистов.

апр

2024

Человек своего времени

Поздравляем с юбилеем Константина Петросянца

мар

2024

Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»

С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.

фев

2024

«Все направления связаны с решением государственных задач по достижению научно-технологического суверенитета»

Научный руководитель и директор МИЭМ НИУ ВШЭ Евгений Крук рассказал об основных направлениях научно-исследовательской деятельности МИЭМ в ближайшие несколько лет.

окт

2023

«Я счастливый человек, потому что участвовал в создании такого вуза»

МИЭМ ВШЭ отметил 100-летний юбилей основателя и первого ректора Евгения Арменского

июн

2023

МИЭМ НИУ ВШЭ примет активное участие в возрождении микроэлектроники в России

В ближайшие 2,5 года в Московском институте электроники и математики им. А.Н. Тихонова НИУ ВШЭ будет реализован масштабный проект в области микроэлектроники. На него по итогам конкурса, проведенного Российским научным фондом (РНФ), выделено 90 млн рублей, которые пойдут в том числе на приобретение оборудования. Таким образом, подтвердив свою репутацию крупного игрока на рынке микроэлектроники, МИЭМ будет способствовать ее ускоренному развитию в нашей стране.

мая

2023

В МИЭМ НИУ ВШЭ появилась аудитория имени Дмитрия Быкова

Церемония открытия аудитории, посвященной ректору МИЭМ (1990–2010 гг.), собрала друзей, коллег, членов семьи ученого

янв

2023

Награждение учёных МИЭМ

14 декабря прошло торжественное награждение МИЭМовцев медалями за успешную работу.

дек

2022

14 декабря состоялась церемония награждения сотрудников Вышки. Два ординарных профессора ДЭИ: К. О. Петросянц и Г. Г. Бондаренко -- были награждены университетскими медалями «Признание — 25 лет успешной работы»

В среду 14 декабря в Белом зале Дома Дурасова состоялось награждение сотрудников Вышки за выдающиеся результаты в профессиональной деятельности и в связи с 30-летием университета. Ведомственные и университетские медали, почетные звания и грамоты получили 69 человек.

дек

2022

Состоялась церемония награждения сотрудников Вышки

Награды получили 69 сотрудников

окт

2022

Ученые МИЭМ приняли участие в Российском Форуме «Микроэлектроника 2022»

От нашего института были представлены четыре доклада

ноя

2021

Учителя и ученики растут вместе!

От МИЭМ НИУ ВШЭ на Школу молодых ученых «Микроэлектроника-2021» прибыла делегация «учителей» и «учеников».

сен

2021

Результаты конкурса на формирование проектных групп

В МИЭМ НИУ ВШЭ ежегодно проводится конкурс факультетов на формирование проектных групп для всех работников и обучающихся НИУ ВШЭ (Москва).

дек

2020

Защита диссертации Д.А. Попова

17 декабря прошла успешная защита диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.13.12 «Системы автоматизации проектирования» старшим преподавателем Департамента компьютерной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Поповым Дмитрием Александровичем.

окт

2020

Ученые и студенты МИЭМ приняли участие в VI Международном Форуме «Микроэлектроника 2020»

В рамках Форума, который прошел 22-24 сентября в Гурзуфе, состоялись XIII Международная Конференция «Кремний-2020» и XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, где миэмовцы представили свои доклады. Студенческий доклад Дмитрия Звягинцева был признан лучшим в своей секции.

янв

2020

“Не бойтесь слова “аспирантура”!”

Продолжаем серию статей об аспирантской школе по техническим наукам. Сегодня наш герой — Мамед Исмаил-Заде, ещё один выпускник 2019-го года

окт

2019

25-й Международный симпозиум по тепловым исследованиям ИС и систем ‑ THERMINIC 2019

В трехдневном мероприятии, состоявшемся в Лекко, Италия, приняли участие более 120 делегатов конференции из 23 стран с широким кругом специалистов в области развития технологий и управления промышленностью, в том числе из МИЭМ НИУ ВШЭ.

июн

2019

Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»

29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.

апр

2019

Актуальные проблемы спецстойкой электроники

С 10 по 11 апреля 2019 в г. в загородном отеле «Чайка» (Нижегородская область, поселок Жёлнино), прошла конференция «Спецстойкая микроэлектроника 2019». Конференция организована Госкорпорацией «Росатом» в Нижнем Новгороде. Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, проектирования, производства и применения отечественной стойкой электронной компонентной базы; содействовать развитию отечественной стойкой микроэлектроники.

апр

2019

Юбилей Константина Орестовича Петросянца

9 апреля юбилей Константина Орестовича Петросянца, профессора департамента электронной инженерии.

окт

2018

Событие года в мире микроэлектронных технологий

С 1 по 7 октября 2018 в г. Алушта, Республика Крым, прошел IV Международный форум «Микроэлектроника 2018». МИЭМ НИУ ВШЭ на форуме представляли ученые департамента электронной инженерии.

окт

2018

В МИЭМ НИУ ВШЭ состоялось открытие памятной доски и аудитории-музея имени Е.В. Арменского

2 октября исполнилось 95 лет со дня рождения Евгения Викториновича Арменского, доктора технических наук, ординарного профессора НИУ ВШЭ, основателя и первого ректора МИЭМ. В минувшую субботу МИЭМ принимал добрых гостей – в институте состоялось торжественное открытие памятной доски и первой очереди аудитории-музея имени Арменского.

сен

2018

Ура! Я - студент!

Сентябрь пришел, учебный процесс стартовал! По традиции в МИЭМ НИУ ВШЭ по этому случаю состоялся праздник, где главными героями были первокурсники.

мая

2018

Точные измерения – основа качества и безопасности

С 15 по 17 мая 2018 года в Москве на ВДНХ в павильоне №75 прошли 14-ый Московский международный инновационный форум и выставка «Точные измерения – основа качества и безопасности», на которой МИЭМ НИУ ВШЭ представлял свои разработки.

мая

2018

Студенты МИЭМ НИУ ВШЭ - лауреаты всероссийской олимпиады по электронике.

Продолжаем поздравлять наших студентов с достижениями во Всероссийской студенческой олимпиаде. Команда из четырёх студентов МИЭМ НИУ ВШЭ, подготовленная преподавателями департамента электронной инженерии ординарным профессором К.О. Петросянцем и доцентом Л.М. Самбурским, участвовала в олимпиаде по разделу «Электроника».

мая

2018

Научно-техническая секция РКК «Энергия» одобрила доклады профессоров МИЭМ НИУ ВШЭ

На заседании Научно-технической секции Ракетно-космической корпорации «Энергия» им. П.А. Королёва были заслушаны доклады профессоров департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ Петросянца К.О., Харитонова И.А. и Жаднова В.В.

мар

2018

Международное взаимодействие в электронной отрасли

16 марта в МИЭМ НИУ ВШЭ завершился Международный московский IEEE-семинар «Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies» (MWENT-2018)

фев

2018

Зимняя инженерно-техническая школа – от учебы к профессии

В феврале в Учебном Центре НИУ ВШЭ «Вороново» прошла очередная Зимняя инженерно-техническая школа для абитуриентов магистратуры. Студенты 19-ти вузов из 17-ти городов России, Казахстана, Киргизии, Нигерии, Узбекистана и Украины слушали доклады представителей ведущих компаний и научных центров России, академических руководителей магистерских программ и ученых МИЭМ НИУ ВШЭ. О том, какие впечатления остались у ребят после школы, в материале ниже.

окт

2017

Международный форум «Микроэлектроника 2017»

Со 2 по 7 октября 2017 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2017». «Микроэлектроника 2017» - независимая высокоинтеллектуальная площадка для ведения конструктивного диалога между научным сообществом, производственными объединениями и представителями бизнес-структур микроэлектронного кластера и смежных высокотехнологичных отраслей.

окт

2017

XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем

В сербском городе Нови Сад при поддержке Международного института инженеров электротехники и электроники (IEEE) проходила XV Международная конференция в области проектирования и тестирования электронных схем (15-th IEEE EAST-WEST DESIGN & TEST SYMPOSIUM, EWDTS 2017). На конференции среди прочих сообщений были представлены два доклада сотрудников департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

сен

2017

Добро пожаловать в студенческую семью

Вновь МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу 1 сентября 2017 года было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.

авг

2017

Международный авиационно-космический салон МАКС-2017

С 18 по 23 июля 2017 года в городе Жуковский Московской области прошел Международный авиационно- космический салон МАКС-2017, который является одним из крупнейших и престижнейших мировых авиа-форумов.

июл

2017

«Делай в России!»

В г. Новосибирске в МВК «Новосибирск Экспоцентр» прошел Пятый юбилейный Международный форум технологического развития «Технопром» и выставка «НТИ ЭКСПО», которая традиционно проходит в рамках Форума.

июн

2017

Международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017

С 22 по 25 мая 2017 года в китайской «Кремниевой долине», в городе Чэнду – столице провинции Сычуань состоялась крупная международная конференция по надежности микро- и наноэлектронных приборов – 2017 International Workshop on Reliability of Micro-and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (May 22-24, 2017, Chengdu, China). Конференция собрала свыше 200 участников из США, России, Китая, Германии, Франции, Великобритании, Канады, Бельгии, Австрии.

апр

2017

Проблемы учета тепловых процессов в электронной аппаратуре

С 13 по 17 марта 2017 в США, штат Калифорния, в самом сердце «Кремниевой долины» проходил крупнейший мировой симпозиум по проблеме учета тепловых процессов в электронной аппаратуре The 33-th SEMI-THERM Symposium «Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management». В симпозиуме участвовали специалисты мировых фирм, научных лабораторий и университетских коллективов.

мар

2017

Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур

С 1 по 2 марта 2017 г. Федеральное государственное унитарное предприятие «Федеральный научно-производственный центр «Научно-исследовательский институт им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) проводил семинар «Проблемы создания специализированных радиационно-стойких сверхбольших интегральных систем (СБИС) на основе гетероструктур»

янв

2017

Поздравляем Константина Орестовича Петросянца с награждением Премией Правительства РФ

Константин Орестович Петросянц, ординарный профессор НИУ ВШЭ, профессор департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ награжден Премией Правительства РФ в области образования за создание высококачественных учебных изданий для системы образования Российской Федерации по направлению «Физика, технология, приборы и схемы современной микро- и наноэлектроники».

ноя

2016

MIEM School of Electronic Engineering Attends TELFOR 2016

On November 22-23, 2016, the 24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016) was held in Belgrade, Serbia. The event was organized by the Ministry of Education, Science and Technological Development of Serbia, the Ministry of Trade, Tourism and Telecommunications of Serbia, and IEEE Serbia and Montenegro Section.

ноя

2016

Международный форум по телекоммуникациям и информационным технологиям

С 22 по 23 ноября 2016 в г. Белград, Сербия, прошел 24-ый Международный Форум по телекоммуникациям (24th Telecommunications Forum (TELFOR 2016). Форум был организован Министерством образования, науки и технологического развития Сербии, Министерством торговли, туризма и телекоммуникаций Сербии, Отделением Общества IEEE по Сербии и Черногории.

ноя

2016

«Наша программа близка к аналогичным программам ведущих американских университетов, в первую очередь, MIT»

В 2017 году в Вышке открывается магистерская программа «Материалы. Приборы. Нанотехнологии». Ее студенты будут не просто изучать новейшие материалы и технологии, но и самостоятельно конструировать высокотехнологичные приборы. Подробнее о программе рассказывает ее научный руководитель, профессор НИУ ВШЭ, член-корреспондент РАН Максим Каган.

окт

2016

Знаковые события в области автоматизированного проектирования электронных устройств

В октябре 2016 года в г. Зеленограде прошла VII Всероссийская научно-техническая конференция "Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2016" (МЭС-2016)

окт

2016

Международный форум «Микроэлектроника 2016»

С 26 по 30 сентября 2016 в г. Алушта, Республика Крым, прошел Международный форум «Микроэлектроника 2016», где с докладами выступили сотрудники Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ

окт

2016

Высокотемпературная электроника: новые технологии в МИЭМ НИУ ВШЭ

С 21 по 23 сентября 2016 г. в городе Будапешт (Венгрия) проходило заседание 22-го Международного совещания по исследованию тепловых режимов интегральных схем и систем (22nd International Workshop on Thermal Investigation of ICs and Systems, Therminic 2016).

сен

2016

Добро пожаловать, первокурсник

1 сентября 2016 года, МИЭМ НИУ ВШЭ приветствовал своих первокурсников, которые стали полноправными членами нашей большой студенческой семьи. По этому поводу было организовано торжественное праздничное мероприятие под открытым небом перед зданием института.

июн

2016

ФГУПП «НИИП» - 60

Сотрудники департамента Электронной инженерии приняли участие в ежегодной Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем», проводимой ФГУПП «НИИП», г. Лыткарино.
В этом году ФГУПП «НИИП» отмечает свое 60-ти летие.

апр

2016

Konstantin Petrosyants Spoke at IEEE Latin American Test Symposium

On April 6th-9 th , the IEEE Latin American Test Symposium was held under the auspices of the Institute of Electrical and Electronics Engineers in the city of Foz do Iguaçu, Brazil.

мар

2016

19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника"

15-17 марта 2016 года в Москве, в МВЦ "Крокус Экспо" прошла 19-я Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих "ЭкспоЭлектроника". Выставка является крупнейшей по количеству и самой представительной по составу участников радиоэлектронной промышленности в России и Восточной Европе.

мар

2016

XVI ежегодный научно-практический семинар с международным участием «Проблемы создания специализированных СБИС на основе гетероструктур»

Мероприятие, в котором 2-3 марта 2016 г. приняли участие преподаватели департамента, было организовано ФГУП «Федеральный научно-производственный центр НИИ измерительных систем им. Ю.Е. Седакова» (г. Нижний Новгород) в лице Межведомственного центра по разработке и производству электронной компонентной базы.

ноя

2015

Итоги совещания в НПО Измерительной техники по вопросам сотрудничества

30 октября 2015 года в НПО Измерительной техники (г. Королев, Московская область) состоялось совещание по широкому кругу вопросов взаимодействия предприятия с МИЭМ НИУ ВШЭ.

окт

2015

Международное совещание VIIIth International Workshop NDT in Progress

С 12 по 14 октября 2015 г. в столице Чехии г. Прага состоялось Международное совещание экспертов по проблеме «Влияние неразрушающих методов тестирования и контроля на технический прогресс» (VIIIth International Workshop on NonDestructive Test (NDT) in Progress).

сен

2015

Выставка «Импортозамещение - 2015»

С 14 по 17 сентября 2015 г. в МВЦ «Крокус-ЭКСПО» проходила крупная международная специализированная выставка «Импортозамещение - 2015». Высокий статус выставки подтвердил визит на выставку представительной делегации во главе с Председателем Правительства РФ Д.А. Медведевым.

июн

2015

18-я Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015)

Сотрудники департамента приняли участие в ежегодной 18-ой Всероссийской научно-технической конференции «Радиационная стойкость электронных систем» (СТОЙКОСТЬ-2015), которая проходила 2-3 июня 2015 г. в г. Лыткарино.

апр

2015

Семинар "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития"

15 апреля 2015 г. в новом учебном корпусе МИЭМ НИУ ВШЭ пошел обзорный семинар по средствам проектирования компании Mentor Graphics "Решения компании Mentor Graphics в области средств проектирования электронных систем. Текущее состояние и перспективы развития". Семинар проводился совместно дистрибьютором Mentor Graphics, компанией ЗАО «МЕГРАТЕК» и МИЭМ НИУ ВШЭ.

июн

2013

Ученый совет: последнее заседание учебного года

28 июня на заседании Ученого совета ВШЭ утверждены контрольные цифры и правила приема в аспирантуру, приняты решения о создании факультета дизайна и ряда кафедр, одобрены несколько положений и регламентов, а также проведен конкурс профессорско-преподавательского состава.

апр

2013

Конференция AMT 2013

13 и 14 марта 2013 г. в городе Сямынь (Xiamen), КНР, проходила международная конференция по современным методам измерения и тестирования в электронике «3rd International Conference on Advanced Measurement and Test» (AMT 2013), организованная InformationEngineeringResearchInstitute (IERI, США/Сингапур).

дек

2012

Выставка «Силовая Электроника» в Москве

С 27 по 29 ноября в Москве в МВК «Крокус Экспо» прошла 9-я Международная выставка и конференция «Силовая Электроника». Участниками этого проекта выступили молодые научные сотрудники и аспиранты кафедры «Электроника и наноэлектроника» Московского института электроники и математики НИУ ВШЭ.

окт

2012

«Мы являемся пионерами в этой сфере»

Директор МИЭМ ВШЭ Александр Тихонов рассказывает о прошедшей в Австрии международной конференции «Менеджмент качества и менеджмент информационных систем».

окт

2012

Ученый совет МИЭМ

16 октября состоялось первое после объединения с Высшей школой экономики заседание Ученого совета Московского института электроники и математики.

Петросянц Константин Орестович

Образование, учёные степени и учёные звания

Профессиональные интересы

Достижения и поощрения

Полномочия / обязанности

Учебные курсы (2024/2025 уч. год)

Учебные курсы (2023/2024 уч. год)

Учебные курсы (2022/2023 уч. год)

Учебные курсы (2021/2022 уч. год)

Учебные курсы (2020/2021 уч. год)

Участие в редколлегиях научных журналов

Конференции

Участие в конференциях и выставках

Публикации

20245

20233

20226

20219

202012

201910

201818

201720

201617

201522

201410

201316

201218

20118

20109

20093

20082

20072

Научный руководитель диссертационных исследований

Опыт работы

Информация*

Опубликованные тезисы докладов (кроме списка публикаций)

Участие в грантах, НИР, ОКР

Расписание занятий на сегодня

2024⁵

2023³

2022⁶

2021⁹

2020¹²

2019¹⁰

2018¹⁸

2017²⁰

2016¹⁷

2015²²

2014¹⁰

2013¹⁶

2012¹⁸

2011⁸

2010⁹

2009³

2008²

2007²

Информация^*