?
Расчет ВАХ бетавольтаических микробатарей с использованием универсальной TCAD модели
С. 291-294.
Представлена TCAD-модель кремниевого бетавольтаического элемента для исследования зависимости характеристик элемента от его объемной структуры. Для имитации результатов генерации электронно-дырочных пар при воздействии излучения от источника бета-частиц применяется настроенная модель оптической генерации, имеющаяся в TCAD. Проведено исследование зависимости вольт-амперных характеристик бетавольтаического элемента от профиля легирующей примеси, температуры и типа полупроводникового материала для источника излучения Ni-63.
Ключевые слова: accelerated electronsоптоэлектронный преобразовательopen-circuit voltageфотовольтаический эффектбета частицыbetavoltaiccurrent–voltage characteristics
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
Т. 1. Вып. 96. , Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2020
Транспорт и отражение от различных сред ускоренных электронов и фотонов в модели обобщенной диффузии
Никеров В. А., Шолин Г. В., Инженерная физика 2012 № 11 С. 3-9
Последовательно сформулирована аналитическая модель обобщенной диффузии, позволившая в широком диапазоне энергий частиц и параметров среды рассчитать с точностью 10…30 % среднюю длину пробега вдоль координаты ускоренных электронов и фотонов, а также оценить распределение длин пробега и энерговклад. Рассчитаны коэффициенты объемного отражения ускоренных электронов и фотонов от различных сред методом диаграмм, причем в качестве нулевого приближения ...
Добавлено: 30 января 2013 г.
Тютнев А. П., Саенко В. С., Грач Е. П. и др., Высокомолекулярные соединения. Серия А 2011 Т. 52 № 7 С. 1122-1132
С использованием ускоренных электронов для генерации носителей заряда как в поверхностном слое полимера, так и в объеме экспериментально исследовано влияние заряженных центров на подвижность носителей заряда в молекулярно допированном поликарбонате. Предсказываемая теорией коррелированного беспорядка (дипольного стекла) сверхвысокая чувствительность подвижности к присутствию заряженных центров не обнаружена. Трансформация времяпролетных кривых с четко выраженным плато, свидетельствующим согласно теории ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Конов К. И., Никеров В. А., В кн. : Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 110-116.
В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение электронов с энергией 3-100 кэВ в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в корень из (Z/3) значения. При этом ошибка появляется ...
Добавлено: 3 октября 2013 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Белов А. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 1 С. 5-12
Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные ...
Добавлено: 14 мая 2015 г.
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 9 С. 17-26
Рассмотрена схема разработанного оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с компенсацией погрешности преобразования, возникающей из-за нестабильности амплитуды генератора несущей частоты. Определена эффективность компенсации. ...
Добавлено: 29 ноября 2013 г.
T. Karabassov, A.V. Guravova, A.Yu. Kuzin и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2020 Vol. 11 P. 252-262
Добавлено: 13 февраля 2020 г.
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 11 С. 21-26
Предложен схемотехнический вариант оптоэлектронного преобразователя перемещений во временной интервал с введением несущего сигнала в источник излучения. Показано, что в разработанном устройстве скомпенсированы амплитудные погрешности, связанные с нестабильностью светового потока, а также погрешности одноканального растрового модулятора. ...
Добавлено: 27 декабря 2013 г.
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2014 № 7 С. 3-12
Рассмотрен оптоэлектронный преобразователь перемещений временного типа с различными способами коррекции частотных погрешностей. Показано, что наиболее перспективным способом является использование контура автоматической подстройки частот. Разработана функциональная схема данного устройства и приведены основные функциональные зависимости. ...
Добавлено: 20 сентября 2014 г.
Kostromin S. V., Malov V., Тамеев А. Р. и др., Technical Physics Letters 2017 Vol. 43 No. 2 P. 173-176
Изготовлены органические фотовольтаические ячейки с объемным гетеропереходом, в которых в качестве фотоактивного слоя использованы смеси сополимера битиофена или ротаксана на его основе с производным фуллерена РС70ВМ. Определена подвижность носителей заряда в слоях смесей, измерены вольт-амперные характеристики фотовольтаических ячеек и построена диаграмма энергетических уровней компонентов ячейки. Установлено, что компонент полиротаксана−макроцикл−изолирует часть тиофеновых участков макромолекулы, затрудняя транспорт ...
Добавлено: 7 октября 2017 г.
Kalinovskii V. S., Kontrosh E. V., Klimko G. V. и др., Semiconductors 2020 Vol. 54 P. 355-361
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Потомский С. Ю., Косинский А. В., Метрология. Ежемесячное приложение к научно-техническому журналу «Измерительная техника» 2013 № 4 С. 3-8
Рассмотрен оптоэлектронный преобразователь перемещений во временной интервал с дифференциальным способом компенсации погрешностей одноканального растрового модулятора, возникающих из-за нестабильностей темнового напряжения фотоприемника и уровня напряжения источника постоянного напряжения. ...
Добавлено: 3 мая 2013 г.