?
Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии
С. 97-98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, а для варианта “quasi-SOI” защелкивание отсутствует до значений 100 МэВ·см2/мг.
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. и др., В кн. : 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». : ФГУП "НИИП", 2016. С. 56-57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Попов Д. А., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. : М. : ООО "Спектр", 2019. С. 270-277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 4 С. 96-97
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры. ...
Добавлено: 6 октября 2013 г.
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Харитонов И. А. и др., , in : International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts. : M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
В тезисах приведены результаты 3D приборно-технологического моделирования эффектов саморазогрева в n-канальных объемных и КНИ n-МОП транзисторах с проектными нормами 0.1 мкм. Был проведен расчет температурных полей в каналах МОП-транзисторов и определены их максимальные рабочие температуры. Исследован эффект саморазогрева в КНИ n-МОП-транзисторах с различной толщиной приборного слоя кремния. ...
Добавлено: 11 января 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). : Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки ...
Добавлено: 4 октября 2013 г.
ФГУП "НИИП", 2016
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 15 января 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Kuznetsov V., Kechiev L., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 1 января 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Артюхова М. А., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014. : М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 294-296.
Рассмотрен метод оценки показателей надежности бортовой аппаратуры космических аппаратов
при воздействия ионизирующих излучений космического пространства. Данное научное исследование
(№14-05-0038) выполнено при поддержке Программы «Научный фонд НИУ ВШЭ» в 2014 г. ...
Добавлено: 30 ноября 2014 г.
Харитонов И. А., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.
Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Исмаил-Заде М. Р., Петросянц К. О., Самбурский Л. М. и др., , in : 2020 26th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). : IEEE, 2020. P. 97-103.
Добавлено: 5 июня 2021 г.
Полесский С. Н., Артюхова М. А., Лебедева Н. А., В кн. : Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014. : М. : НИЯУ МИФИ, 2014. С. 163-164.
Рассматривается метод определения вероятности безотказной работы функционального узла аппаратуры космического аппарата за срок активного существования в условиях низкоинтенсивного ионизирующего облучения при анализе надежности усилителя мощности. ...
Добавлено: 7 июля 2014 г.
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Добавлено: 5 апреля 2016 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Жаднов В. В., В кн. : Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ). Вып. 33.: М. : Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
1. Двусторонняя печатная плата, включающая диэлектрическую подложку из, по меньшей мере, двух слоев стеклоткани, с отверстиями и контактными площадками и сформированную на ней электрическую схему, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка дополнительно снабжена защитным экраном, размещенным между слоями стеклоткани и выполненным из материала, обеспечивающего локальное экранирование для телесных углов до 2 стерадиан.
2. Двусторонняя печатная плата по ...
Добавлено: 9 апреля 2014 г.