?
The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects
P. 35-36.
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures are emphasized. Application of the subsystem is illustrated on the example of radiation hardened 0.25 μm SOI MOSFET test structures.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42-45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Добавлено: 23 января 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3. * 3.: M. : HSE, 2014. P. 244-253.
The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented ...
Добавлено: 16 мая 2014 г.
Добавлено: 17 октября 2014 г.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Добавлено: 28 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Кожухов М. В., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Харитонов И. А., Самбурский Л. М., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Добавлено: 12 марта 2015 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., , in : Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). : Piscataway : IEEE, 2017. P. 504-511.
Добавлено: 29 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402-403
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in : 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings. : M. : HSE, 2016. P. 1-4.
The paper describes the features of an automated system for measurement and processing of electrical characteristics of BJTs and MOS transistors in the presence of thermal and radiation effects. Automation is made possible with employing of long measurement cables and a ramified scripting system. The system is based on a set of measuring instruments, methods ...
Добавлено: 28 сентября 2016 г.
Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2018). : IEEE Computer Society, 2018. P. 760-765.
Добавлено: 30 октября 2018 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569-581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Гладышева Е. И., , in : Proceedings of 24-th Telecommunications Forum. : Beograd : IEEE Region 8, Telekom Srbija a.d., 2016. P. 1-4.
Добавлено: 25 ноября 2016 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн. : Спецвыпуск Наноиндустрия. Российский форум "Микроэлектроника-2021". 7-я Научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули» Сборник тезисов. Т. 14. Вып. 7s.: М. : Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2021. С. 912-913.
Добавлено: 5 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., , in : Proceedings 16th Euromicro Conference on Digital System Design DSD 2013 Proceedings of the 16th Euromicro Conference on Digital System Design (DSD 2013) Santander, Spain. : Santander : IEEE Computer Society Conference Publishing Services (CPS), 2013. P. 479-482.
Описан метод учета радиационных эффектов (суммарной дозы и потока частиц) в процессе анализа целостности сигналов в цифровых системах. Показано, что учет этих эффектов в IBIS моделях может быть достигнут путем корректции параметров входных схем защиты (GND_Clamp, POWER_Clamp), выходных характеристик (PULL_UP, PULL_DOWN), и скорости нарастания сигнала. пррведены примеры моделирования выходных сигналов и взаимных наводок с помощью пакета HyperLynx ...
Добавлено: 15 октября 2013 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.