?
Self-Heating Investigation in SOI MOSFET Structures with High Thermal Conductivity Buried Insulator Layers
P. 56-60.
Ключевые слова: thermal conductivityКНИ МОПТсаморазогревтеплопроводностьSOI MOSFETsself-heatingburied oxideскрытый оксидpower dissipationрассеяние мощности
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1-16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Савина О. Н., Беспалов П. А., Central European Astrophysical Bulletin 2011 Vol. 35 No. 1 P. 83-91
Об ионно-акустической неустойчивости и аномальной теплопроводности в солнечной переходной области. ...
Добавлено: 12 декабря 2012 г.
Показано, что стандартная модель BSIM3 не обеспечивает корректного описания более крутого характера сток-затворной характеристики при низких температурах (до -200°C), вызванного бо́льшим проявлением механизмов рассеяния носителей заряда при общем возрастании подвижности. Представлена улучшенная макромодель МОПТ для низкой температуры с управляемым источником напряжения, подключенным последовательно м затвором, который зависит от температуры и приложенного внешнего напряжения на затворе, ...
Добавлено: 9 сентября 2018 г.
Макарова В. В., Горбачева С. Н., Антонов С.В. и др., Журнал прикладной химии 2020 Т. 93 № 12 С. 1696-1715
Рассмотрены теоретические аспекты и экспериментальные данные о влиянии добавок твердых микро- и наноразмерных частиц на теплопроводность жидких сред (наножидкостей). Согласно теоретическим расчетам, кратное увеличение теплопроводности возможно только для покоящихся сред при условии формирования в них перколяционных структур из наночастиц модификатора, тогда как в случае циркулирующего теплоносителя и (или) хаотичного распределения частиц в его среде прирост ...
Добавлено: 29 января 2023 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Самбурский Л. М. и др., , in : Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). : IEEE, 2016. P. 250-254.
Добавлено: 1 ноября 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521-525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Thermal properties of sediments in the East Siberian Arctic Seas: A case study in the Buor-Khaya Bay
Chuvilin E., Bukhanov B., Grebenkin S. и др., Marine and Petroleum Geology 2021 Vol. 123 Article 104672
Добавлено: 5 октября 2021 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). : Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021). Вып. 4.: М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Беспалов П. А., Савина О. Н., Письма в Астрономический журнал 2008 Т. 34 № 5 С. 378-386
Доказан обобщенный закон Видемана–Франца для неизотермической квазинейтральной плазмы сразвитой ионно-звуковой турбулентностью и кулоновскими соударениями. Полученные результаты использованы для объяснения аномально низкой теплопроводности в переходной области солнечной атмосферы между хромосферой и короной. Определены модельные распределения температуры в нижней короне и переходной области, которые соответствуют известным экспериментальным данным. Полученные результаты полезны для объяснения резкого изменения температуры турбулентной ...
Добавлено: 12 декабря 2012 г.
П.А. Беспалов, О.Н. Савина, Письма в Астрономический журнал 2015 Т. 41 № 10 С. 651-656
Обсуждается связь процессов образования и свойств областей солнечной атмосферы, характеризующихся резким градиентом электронной температуры, с электростатической турбулентностью, обеспечивающей высокую эффективную частоту соударений электронов и низкую теплопроводность среды. Получены простые зависимости для коэффициента теплопроводности, эффективной частоты соударений и шумовых электрических полей. Для трубки относительно слабого магнитного поля, проходящей из хромосферы в корону, на основе известных ...
Добавлено: 4 июня 2015 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Беспалов П. А., O.N. Savina, Astronomy Letters 2015 Vol. 41 No. 10 P. 601-605
Обсуждается связь процессов образования и свойств областей солнечной атмосферы, характеризующихся резким градиентом электронной температуры, с электростатической турбулентностью, обеспечивающей высокую эффективную частоту соударений электронов и низкую теплопроводность среды. Получены простые зависимости для коэффициента теплопроводности, эффективной частоты соударений и шумовых электрических полей. Для трубки относительно слабого магнитного поля, проходящей из хромосферы в корону, на основе известных ...
Добавлено: 30 сентября 2015 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., В кн. : Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: Материалы XV научно-технической конференции, 27-29 сентября 2017. : М., Дубна : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2017. С. 224-226.
С помощью Synopsys TCAD проводилось моделирование тока стока n-канального КНИ МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения и повышении температуры от 27°С до 160°С. Показано, что полный ток утечки стока при повышенной температуре существенно выше суммы теплового тока необлученного транзистора и радиационного тока утечки при комнатной температуре. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Попов Д. А., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. : М. : ООО "Спектр", 2019. С. 270-277.
Разработана TCAD RAD-THERM библиотека физических моделей, учитывающих воздействие радиационных (нейтронного, протонного и гамма излучения) и температурных (зависимость коэффициента теплопроводности от температуры, легирования и толщины слоя кремния) эффектов. Результаты моделирования согласуются с экспериментальными данными, погрешность не превышает 15%-20%. ...
Добавлено: 19 ноября 2019 г.
Беспалов П. А., Савина О. Н., Письма в Астрономический журнал 2009 Т. 35 № 5 С. 382-388
В рамках модельных расчетов показана возможность возбужденияионно-звуковых колебаний потоками тепла в плазме. Обсуждается вероятное влияние ионно-звуковых колебаний на формирование температурных перепадов при критических потоках тепла. Величина критического потока тепла соответствует известным экспериментальным данным о потоке тепла из Короны в атмосферу. ...
Добавлено: 12 декабря 2012 г.
Добавлено: 30 января 2018 г.
Makarova V. V., Gorbacheva S. N., Kostyuk A. V. и др., Journal of Energy Storage 2022 Vol. 47 Article 103595
Добавлено: 29 января 2023 г.
Харитонов И. А., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.
Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Mamed R. Ismail-zade, Aleksandr Y. Romanov, Egor Y. Kuzin и др., , in : Proceedings of the 2017 IEEE Russia Section Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering Conference (2017 ElConRus). * 2.: M. : IEEE, 2017. P. 423-428.
Добавлено: 6 марта 2017 г.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.