Кожухов Максим Владимирович
- Доцент, Научный сотрудник:Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова / Департамент электронной инженерии
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2013 году.
- Научно-педагогический стаж: 9 лет.
Образование, учёные степени
- 2016Кандидат технических наук
- 2011
Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
- 2011
Специалитет: Московский государственный институт электроники и математики, специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника», квалификация «Инженер»
Учебные курсы (2024/2025 уч. год)
- Аналоговые и цифровые устройства (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Аналоговые и цифровые устройства (Маго-лего; 1-4 модуль)Рус
- Аналоговые и цифровые устройства (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Маго-лего; 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2022/2023 уч. год)
- Аналоговые и цифровые устройства (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1-3 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
- Аналоговые и цифровые устройства (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Инжиниринг в электронике, микро- и наноэлектронике (семинар наставника) (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Учебные курсы (2020/2021 уч. год)
- Измерение и контроль параметров электронных компонентов и средств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
- Проектирование аналоговых и цифровых устройств (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 1-й курс, 1-4 модуль)Рус
- Системы автоматизированного проектирования изделий микро- и наноэлектроники (Магистратура; где читается: Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова; 2-й курс, 1, 2 модуль)Рус
Конференции
- 2016Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» (Москва). Доклад: TCAD моделирование характеристик кремниевых и кремний-германиевых биполярных транзисторов с учетом радиационных эффектов
- 2015XXV Международная конференция «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь). Доклад: Приборно-технологическое моделирование характеристик SiGe ГБТ при воздействии протонов
- 2013
IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13) (Ростов-на-Дону). Доклад: SPICE Model Parameters Extraction Taking into Account the Ionizing Radiation Effects
Публикации34
- Статья Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А., Грушин А. И., Исмаил-Заде М. Р. Анализ конструкции р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом // Наноиндустрия. 2024. Т. 17. № S10-2(128) . С. 672-678. doi
- Статья Дюканов П. А., Кожухов М. В., Попов Д. А., Грушин А. И., Исмаил-Заде М. Р. Интеграция полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в биполярный технологический процесс. Объемный кремний // Успехи прикладной физики. 2024. Т. 12. № 4. С. 334-342. doi
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Харитонов И. А., Попов Д. А., Силкин Д. С. Программно-аппаратный комплекс для определения параметров SPICE-моделей электронных компонентов для гражданских и специальных применений // Наноиндустрия. 2023. Т. 16. № S9-1(119). С. 179-188. doi
- Статья Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В., Попов Д. А., Пугачев А. А., Самбурский Л. М., Силкин Д. С., Харитонов И. А. Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старения // Наноиндустрия. 2022. Т. 15. № S8-1(113). С. 183-194. doi
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kozhukhov M., Ismail-zade M. R., Kharitonov I. A., Li B. SPICE Compact BJT, MOSFET and JFET Models for ICs Simulation in the Wide Temperature Range (from -200 °C to +300 °C) // IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems. 2021. Vol. 40. No. 4. P. 708-722. doi
- Статья Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р. SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2021. № 4. С. 81-85. doi
- Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации // В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. М. : МАКС Пресс, 2020. С. 394-397. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem, in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4. doi
- Статья Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А. Динамика солнечной и геомагнитной активности. I. Источники геомагнитной активности, корональная масс-эжекция, высокоскоростные потоки солнечного ветра // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2019. Т. 170. № 3. С. 13-27.
- Статья Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Кожухов М. В. Динамика солнечной и геомагнитной активности. II. Периодические вариации солнечной и геомагнитной активности // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2019. Т. 171. № 4. С. 24-38.
- Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D. Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structures // Sensors and Transducers. 2018. Vol. 227. No. 11. P. 42-50.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Savchenko E. M., Budyakov A. S. SPICE-model of SiGe HBT Taking into Account Radiation Effects, in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings. M. : IEEE, 2018. Ch. 380. P. 1-4. doi
- Статья Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Павлов Ю. С. Динамика КР-индекса геомагнитной активности для семи солнечных циклов (в период 1932 – 2014 годов). Сезонные вариации // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2018. Т. 167. № 6. С. 48-56.
- Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщенная TCAD-модель для учета радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 404-405. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M., Sambursky L. M., Ismail-zade M. R. An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. V., Prokopenko N. N. Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range, in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC). IEEE, 2017. doi P. 1-5. doi
- Глава книги Petrosyants K. O., Popov D., Kozhukhov M. General Approach to TCAD Simulation of BJT/HBT and MOSFET Structures after Proton Irradiation, in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
- Статья Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiation / Пер. с рус. // Measurement Techniques. 2017. Vol. 59. No. 10. P. 1104-1111. doi
- Глава книги Petrosyants K., M.V. Kozhukhov. TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects, in: PROBLEMS OF ADVANCED MICRO- AND NANOELECTRONIC SYSTEMS DEVELOPMENT (MES) SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016 Part IV, Design of Electron Component Base Part Part IV: SELECTED ARTICLES of the VII All-Russia Science&Technology Conference MES-2016. M. : ., 2017. Ch. 1. P. 2-10.
- Глава книги Dvornikov O. V., Dziatlau V., Prokopenko N., Petrosyants K., Kozhukhov M., Tchekhovski V. The Accounting of the Simultaneous Exposure of the Low Temperatures and the Penetrating Radiation at the Circuit Simulation of the BiJFET Analog Interfaces of the Sensors, in: 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). IEEE, 2017. doi P. 1-6. doi
- Статья Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Кожухов М. В., Семенов В. Т. Влияние рекуррентных высокоскоростных потоков солнечного ветра на формирование структуры энергетических спектров электронов на геостационарной орбите // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2017. Т. 156. № 1. С. 33-49.
- Статья Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Кожухов М. В., Семенов В. Т. Модуляция интенсивности потоков частиц галактических космических лучей и частиц внешнего радиационного пояса рекуррентными высокоскоростными потоками плазмы солнечного ветра // Вопросы электромеханики. Труды ВНИИЭМ. 2017. Т. 157. № 2. С. 32-40.
- Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов // В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
- Статья Petrosyants K. O., Kozhukhov M. Physical TCAD model for proton radiation effects in SiGe HBTs // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2016. Vol. 63. No. 4. P. 2016 -2021. doi
- Статья Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Кожухов М. В. Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации // Измерительная техника. 2016. № 10. С. 55-60.
- Глава книги Кожухов М. В., Безродных И. П., Морозова Е. И., Петрукович А. А., Будяк М. Н., Семенов В. Т., Мусалитин А. А. Структура энергетических спектров потоков электронов внешнего радиационного пояса земли и динамика поглощенной дозы радиации в период минимума солнечной активности в 2007 г. И 2009 г. // В кн.: Актуальные проблемы создания космических систем дистанционного зондирования Земли. М. : АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016. С. 300-309.
- Статья Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП-транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС // Информационные технологии. 2015. Т. 21. № 12. С. 916-922.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Kozhukhov M. Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence, in: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3 / Ed. by S. U. Uvaysov. Part 3. M. : HSE, 2014. P. 244-253.
- Глава книги Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Кожухов М. В. ПОДСИСТЕМА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С УЧЕТОМ ДЕЙСТВИЯ ФАКТОРОВ ТЕМПЕРАТУРЫ И РАДИАЦИИ // В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014 / Отв. ред.: И. А. Иванов; под общ. ред.: С. У. Увайсов; науч. ред.: А. Н. Тихонов. М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 475-478.
- Книга Л. М. Самбурский, М. В. Кожухов, Д. А. Попов Проектирование логической схемы на основе БМК «Мелисса»: Методические указания у выполнению домашнего задания по дисциплине «Микросхемотехника». М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
- Глава книги Петросянц К. О., Кожухов М. В. Схемотехническая SPICE-модель биполярного транзистора, учиты-вающая влияние различных видов радиации // В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 23-26.
- Глава книги Petrosyants K. O., Kozhukhov M. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
- Статья Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., Орехов Е. В. Математические модели, встроенные в систему TCAD, для учёта влияния гамма- и нейтронного излучения на полупроводниковые приборы // Известия Южного федерального университета. Технические науки. 2012. № 6(131). С. 77-82.
- Глава книги Petrosyants K. O., Vologdin E., Kozhukhov M. Si BJT and SiGe HBT Performance Modeling after Neutron Radiation Exposure, in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11) / Отв. ред.: S. Chumachenko, E. Litvinova.; Ed. by В. Хаханов. Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
Опыт работы
2019-н.в. Доцент Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
2017-2019 Старший преподаватель Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
2013-2015 Ассистент Департамента электронной инженерии МИЭМ НИУ ВШЭ
Информация*
- Общий стаж: 12 лет
- Научно-педагогический стаж: 9 лет
Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки
Проекты ученых МИЭМ НИУ ВШЭ завоевали две медали на Международном Салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед»
С 19 по 21 марта 2024 г. в выставочном зале бизнес-центра «Амбер-Плаза» проходил XXVII Московский Международный Салон изобретений и инновационных технологий «Архимед». Участниками Салона стали представители 272 организаций из 28 государств и 30 регионов Российской Федерации, которые продемонстрировали широкой научно-технической общественности 570 российских и 198 зарубежных инновационных проектов и изобретений, в том числе два проекта МИЭМ НИУ ВШЭ.
Контроль электронных компонентов и другие важные исследования – в основе взаимоотношений с компанией «ФОРМ»
29 мая в МИЭМ НИУ ВШЭ прошел семинар «Современные инструменты контроля и исследований электронной компонентой базы», организованный совместно департаментом электронной инженерии МИЭМ и предприятием ООО «ФОРМ», разработчиком и производителем автоматизированных средств измерений электронных компонентов - Тестеров FORMULA.