?
Тепловизионный контроль и исследования теплового состояния микросхемы 1НТ251А
С. 25–27.
Uvaysov S. U., Kofanov Y. N., Пятницкая Г. А., Сегень А. В.
Language:
Russian
In book
М., Сочи: [б.и.], 1999.
Madera A. G., Компьютерные исследования и моделирование 2018 Т. 10 № 4 С. 483–494
The article is devoted to the effect of thermal feedback, which occurs during the operation of integrated circuits and electronic systems with their use. Thermal feedback is due to the fact that the power consumed by the functioning of the microchip heats it and, due to the significant dependence of its electrical parameters on temperature, ...
Added: November 6, 2019
Madera A. G., Тепловые процессы в технике 2018 Т. 10 № 3-4 С. 144–151
Рассматривается эффект тепловой обратной связи, возникающий в электронных системах (интегральных микросхемах, резисторах, электро- радиоэлементах) в процессе своего функционирования. Тепловая обратная связь возникает во всех электронных системах, у которых эксплуатационные параметры и мощности потребления зависят от температуры саморазогрева, а температуры, в свою очередь, – от потребляемых мощностей. Возникающее при этом интерактивное взаимовлияние параметров функционального и теплового ...
Added: October 29, 2018
Madera A. G., Труды НИИСИ РАН 2018 Т. 8 № 2 С. 26–28
Потребляемая микросхемой мощность преобразуется в тепло, которое приводит к нагреванию микросхемы. В силу значительной зависимости электрических параметров микросхемы от температуры ее мощность потребления подвергается изменению, которое, в свою очередь, изменяет температуру и, как следствие, мощность потребления. Взаимно-обусловленное взаимодействие и влияние параметров электрического и теплового режимов друг на друга, возникающее в процессе работы микросхемы, называется тепловой ...
Added: October 29, 2018
Лемешко Н. В., Kechiev L., Zakharova S. S., М.: Грифон, 2016.
Рассматриваются вопросы моделирования электронных средств в задачах обеспечения внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, основные программные средства и их возможности при проектировании печатных плат. Впервые в отечественной литературе детально рассмотрены IBIS-модели интегральных микросхем. Описаны ключевые слова и правила составления спецификации IBIS для интегральных компонентов, даны рекомендации по практическому применению IBIS-моделей, в том числе в составе коммерческих пакетов. Значительное ...
Added: May 13, 2016
Свиридов А. С., Колганов А. А., В кн.: Сборник трудов VIII международной научно-практической конференции "Информационные и коммуникационные технологии в образовании, науке и производстве".: Протвино: Управление образования и науки г. Протвино, 2014. С. 730–737.
Исследование различных схем малошумящего усилителя МАХ2659 на стабильность S-параметров ...
Added: December 13, 2015
Kechiev L., Шатов Д. С., В кн.: Вторая научно-техническая конференция "Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости" ТехноЭМС-2015.: М.: Грифон, 2014. С. 52–54.
Application of the software for modelling of decoupling condensers in power system circuits of microcircuits is considered. Recommendations about a rational choice of condensers are given. ...
Added: April 4, 2015
Uvaysov S. U., Kofanov Y. N., Пятницкая Г. А. et al., В кн.: Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем.: Пенза: [б.и.], 1995. С. 117–118.
Added: February 6, 2014
Andreevskaya T. M., Пашев Р. Ю., Abrameshin A. E., В кн.: Труды международной научно-практической конференции "International Scientific – Practical Conference" INNOVATIVE INFORMATION TECHNOLOGIES", Prague, 2013, April 22-26Т. 3.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 527–530.
В статье дается метод диагностирования интегральных схем на основании идентификации внутренних параметров тестовой структуры в виде полупроводникового диода. ...
Added: November 5, 2013
Kechiev L., Abrameshin A. E., Галухин И. А. et al., Технологии электромагнитной совместимости 2012 № 3 С. 44–58
Рассматривается моделирование одного из базовых встроенных элементов защиты на МОП-транзисторе: n-МОП транзистор с заземлённым затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST). Модель этого элемента защиты, включенная в модели некоторых микросхем, позволит проводить виртуальные эксперименты по воздействию ЭСР на элементную базу и на аппаратуру, в которой она применяется. Рассматривается моделирование работы микросхем в условиях воздействия ЭСР. Даются ...
Added: October 17, 2012
Petrosyants K., Rjabov N., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 275–278.
New quasi – 3D numerical model for thermal analysis of the BGA packages is presented. The general 3D heat transfer problem is correctly transformed to the set of 2D equations for temperature distributions in different layers of the package. The complexity and CPU time of the thermal analysis are many times reduced. The results of ...
Added: April 12, 2012