?
Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС
С. 82-83.
Kharitonov I. A., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Added: September 13, 2017
Petrosyants K. O., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 18-19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Added: October 10, 2016
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 5 (85) С. 81-83
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916-922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Added: February 25, 2016
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016). : IEEE, 2016. P. 250-254.
In this work, results of electrical measurements and their analysis are demonstrated for a small-scale 180-nm SOI CMOS
technology in the extended temperature range (up to 300°C). Comparison with high temperature electrical characteristics
of 0.5 um technology is drawn. Modified model for SOI MOSFETs, based on BSIMSOI model is developed and model
parameters are extracted for SPICE simulation ...
Added: November 1, 2016
Kozhukhov M., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81-85
A SPICE macromodel of the SiGe HBTs taking into account aging effects is presented. It consists of the standard core model selected by the designer and an additional subcircuit taking into account the hot-carrier effects. The macromodel was included on SPICE-like simulators. The advantages of SPICE-model version of SiGe HBT are high accuracy of description for device ...
Added: November 15, 2021
Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Universal SPICE model for submicron SOI/SOS
MOSFETs based on BSIMSOI and EKV-SOI platforms with
account for total ionizing dose-induced effects (TID), pulsed
radiation effects, single events is presented. A special subcircuit
consisting of parasitic transistors for sidewall and backgate
leakage currents and other elements is connected to the standard
SPICE model. In addition, the radiation-dependent parameters
are described by physically based mathematical ...
Added: March 12, 2015
Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. et al., М. : Солон-Пресс, 2017
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Added: February 28, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures ...
Added: January 23, 2014
Petrosyants K. O., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Added: October 10, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Added: March 21, 2014
Петросянц К. О., В кн. : Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). : М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: April 13, 2016
Petrosyants K. O., Ismail-zade M. R., Kozhukhov M. et al., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183-194
The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300°C and aging during long-term operation. ...
Added: July 7, 2022
Костенников С. И., Tumkovskiy S., В кн. : Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы восемнадцатого научно-технического семинара. : М. : Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, 2015. С. 339-344.
Рассмотрено три варианта тестовых схем для верификации скорости нарастания выходного напряжения макромодели операционного усилителя (ОУ). Рассмотренные варианты проиллюстрированы на примере SPICE-макромоделей ОУ LMH6642 компании Texas Instruments и ОР37 компании Analog Devices. ...
Added: March 14, 2015
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. et al., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 9 С. 563-572
Main stages of projective model order reduction (MOR) methods for electrical circuits include model construction by Pade approximation, implementation of Krylov subspace methods for essential decrease of computational noise, application of congruent transform to save circuit passivity, using block-Krylov methods for multiport circuits and multipoint rational-Krylov algorithms to mitigate the redundancy of reduced models. The ...
Added: February 12, 2019
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. et al., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 7 С. 435-444
The directions of improvement of minimax methods for circuit design problems are considered. The choices of generalized quality criterion for the circuit design is discussed. It is concluded that the minimax criterion has advantages over other formulations of design targets. New approach to setting of individual objectives for each performance indicator is proposed. The approach ...
Added: February 12, 2019
Demin D., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 118-119.
Работа посвящена разработке системы трехмерной визуализации результатов моделирования осесимметричных задач процессов обработки металлов давлением. Рассматриваются функциональные возможности разрабатываемой программы. ...
Added: June 6, 2016
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
The effects of proton irradiation on SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) are investigated using Synopsys/ISE TCAD tool. To account for the impact of proton irradiation models for carrier lifetime degradation under irradiation are included in the program. The results of modeling the impact of protons of different energies are presented. For SiGe HBT increase in ...
Added: October 21, 2012
Ulyanov S., Gourary M. M., Rusakov S. G. et al., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2017 No. 1 P. 39-45
The paper presents an approach to the implementation of multiport linear dynamical blocks in a
circuit simulator. Block characteristics are supposed to be presented in the form of rational transfer functions. The
approach is based on the state space method, which allows avoiding problems of numerical convolution. The extension of the approach to the case of the exponential-rational form of transfer function ...
Added: February 19, 2018
Petrosyants K. O., Popov D., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
TID response of 45nm high-k bulk and SOI MOSFETs was of simulated. The set of new physical semi-empirical models accounting for TID dependences trap densities, carrier mobilities, carrier lifetime was developed and introduced into TCAD. Acceptable agreement between simulated results and experimental data was achieved. ...
Added: October 16, 2017
Petrosyants K. O., Kozynko P., Известия высших учебных заведений. Электроника 2007 № 6 С. 30-38
The automatic electro-thermal simulation has been implemented in Mentor Graphics PCB Design Flow. New program-dispatcher TransPower has been developed to control the electro-thermal calculation process, combining the programs of the electric (Analog Designer) and thermal (BETAsoft) simulation into a single cycle. As a result, the labor consumption and the PCB electro-thermal simulation time have been ...
Added: December 26, 2012
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
И.П. Безродных (. И., А.П. Тютнев, В.Т. Семёнов (. В., АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2017
В третьей части книги представлены результаты экспериментальных исследований влияния ионизирующего излучения на изделия электронной техники. Книга предназначена для конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры космических аппаратов, она также может быть полезна для научных работников и инженеров, специализирующихся в области электроники и радиационной физики.
Введение. Обеспечение надежной эксплуатации космических аппаратов в космосе сопряжено с решением целого комплекса научно-технических ...
Added: December 29, 2017