• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Пробеги электронов в толстых и тонких слоях веществ в модели обобщенной диффузии

С. 110-116.
Конов К. И., Никеров В. А.

В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение электронов с энергией 3-100 кэВ в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в корень из (Z/3) значения. При этом ошибка появляется при Z>3, достигая при Z=82 пятикратного значения. Существенно, что в соответствии с моделью обобщенной диффузии толщина слоя среднего пятикратного пробега на много порядков ослабляет поток электронов. Также проанализирована характерная ошибка расчетов пробегов, которая связана с некорректностью использования среднего зарядового числа в веществах и смесях, состоящих из атомов с существенно различным зарядовым числом. Показано, что при этом имеет место завышение пробегов электронов в полиэтилене, полистироле и хлористом водороде на 10-23%.