Сверхпроводимость в тонких пленках нитрида рутения

С. 105–106.

Ильин А. С., Стругова А. О., Кон И. А., Соболевский О. А., Моргун Л. А., Садаков А. В., Мартовицкий В. П., Рыбальченко Г. В., Зайцев-Зотов С. В.

Обнаружена сверхпроводимость в пленках RuN, полученных методом реактивного магнетронного распыления. Критическая температура сверхпроводящего перехода составляет от 0,77 до 1,29 К, в зависимости от подложки. Определены параметры кристаллической решетки сверхпроводящих пленок: решетка кубическая с параметрами a = b = c = 4.5586 Å, a = b = g = 87.96°. Результаты измерения температурных зависимостей второго критического магнитного поля Hc2(T) зависят от подложки и в рамках модели WHH дают значения Hc2(0) = 2.3-4.1 T и ξ = 9 - 12 нм для длины когерентности.

Ключевые слова: Critical temperature, Критическая температура, superconductivity, сверхпроводимость, тонкие пленки, thin films, superconducting thin films, сверхпроводниковые тонкие пленки, critical field, критическое поле, ruthenium nitride, reactive magnetron sputtering, нитрид рутения, реактивное магнетронное распыление

В книге

Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.) в 2х томах. Том 1

Т. 1: Секции 1, 2, 4, 6. , Н. Новгород: ИПФ РАН, 2023.