?
Optically Pumped Terahertz Radiation Sources Based on Impurity Carrier Transitions in Quantum Wells
Ch. 2. P. 21–38.
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
A. N. Lyubchak, K. V. Shein, G.N. Goltsman и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 116–120
В данной работе представлено электромагнитное моделирование терагерцового фотодетектора на основе графена, интегрированного на кремниевый волновод. Этот детектор, рассчитанный на работу на частоте 150 ГГц, может быть использован в сетях связи шестого поколения (6G) для высокоскоростной обработки терагерцовых сигналов на чипе. Графен, благодаря своим уникальным свойствам, таким как нулевой зазор, высокая подвижность заряда и низкая электронная теплоемкость, является перспективным материалом для ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Kravtsov M., Shilov A. L., Yang Y. и др., Nature Nanotechnology 2025 Vol. 20 No. 1 P. 51–56
Добавлено: 9 октября 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Podoskin A. A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 68–76
Comprehensive studies of the luminescence of p–i–n structures with 10 compensated GaAs/AlGaAs quantum wells have been performed. The studies were carried out in the terahertz (THz) and near-infrared (NIR) spectral ranges with both optical and electrical pumping of nonequilibrium charge carriers. The THz photoluminescence spectra revealed an emission line caused by electron transitions from the first size-quantization ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Святодух С. С., Селиверстов С. В., Applied Physics Letters 2023 Vol. 124 No. 12
Добавлено: 12 мая 2024 г.
Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 8 С. 663–673
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Blank T. G., Grishunin K. A., K. A. Zvezdin и др., Physical Review Letters 2023 Vol. 131 No. 2 Article 026902
Взаимодействие одноциклового терагерцового электрического поля с топологическим изолятором MnBi2Te4 запускает сильно ангармоническую динамику решетки, способствуя полностью когерентной передаче энергии между невзаимодействующими в противном случае рамановско-активными Eg и инфракрасными (ИК) активными фононными модами Eu. Двумерная терагерцовая спектроскопия в сочетании с моделированием на основе классических уравнений движения и анализа симметрии выявляет многостадийный процесс, лежащий в основе возбуждения ...
Добавлено: 14 января 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 266 Article 120302
Добавлено: 12 ноября 2023 г.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32–43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.