• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Моделирование структуры SiGe гетеропереходного биполярного транзистора с учетом эффекта саморазогрева

С. 267-273.
Петросянц К. О., Торговников Р. А.

С помощью приборно-технологической САПР проведено электро-тепловое моделирование современных п/п структур SiGe ГБТ. Показано, что для приборов, работающих с высокими плотностями тока и/или удельной мощности, наличие в структурах диэлектрической щелевой изоляции существенно ограничивает возможности отвода тепла, что повышает рабочую температуру приборов и приводит к деградации электрических параметров.