Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

С. 90-95.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Орехов Е. В., Зимин А. Е., Ятманов А. П., Устименко С. Н., Воеводин А. В., Суховирский Д. М., Тихонов Е. В., Захаров А. Г., Карачкин С. В.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Ключевые слова: КНИ МОП транзисторы, SPICE-модель, БИС ОЗУ, САПР CADENCE, суммарная поглощенная доза, радиационная стойкость

В книге

Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).

Под науч. редакцией: В. Я. Стенин М.: НИЯУ МИФИ, 2010.