?
Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE
P. 358–361.
Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.
В книге
Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010.
Добавлено: 9 апреля 2025 г.
Ryzhenko I. N., Nepomnyaschy O. V., A. I. Legalov и др., Automatic Control and Computer Sciences 2023 Vol. 57 No. 7 P. 696–705
Добавлено: 27 февраля 2024 г.
Рыженко И. Н., Непомнящий О. В., Легалов А. И. и др., Моделирование и анализ информационных систем 2022 Т. 29 № 1 С. 60–72
Предложены методы повышения эффективности разработки СБИС на основе метода архитектурно-независимого проектирования. Рассмотрен маршрут высокоуровневого синтеза СБИС. Изложен принцип построения аппаратной модели СБИС на основе функционально-потоковой парадигмы программирования.
Представлены результаты разработки методов и алгоритмов трансформации, функционально-потоковых параллельных программ в программы на языках описания аппаратуры, обеспечивающих поддержку процесса проектирования цифровых однокристальных систем. Рассмотрены принципы оценки и выделены классы ...
Добавлено: 18 марта 2022 г.
Легалов А. И., Непомнящий О. В., Рыженко И. Н., Известия ЮФУ. Технические науки 2018 Т. 202 № 8 С. 38–47
Одним из актуальных направлений развития технологий проектирования сверхбольших интегральных схем и вычислительных систем на их основе является высокоуровневый синтез. При описании проекта на верхних уровнях закладываются концепции общесистемного взгляда на организацию всего процесса проектирования. Поэтому на первый план выходит развитие маршрутов и технологий, базирующихся на принципах высокоуровневого, архитектурно независимого проектирования, позволяющих осуществлять формирование комплексного подхода ...
Добавлено: 29 октября 2020 г.
Adonin A. S., Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018Vol. 11022G.: SPIE, 2019. P. 1–6.
Добавлено: 30 ноября 2019 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Н. Новгород: ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017.
Сборник трудов содержит материалы, посвященные результатам деятельности ведущих предприятий микроэлектронной промышленности, аккумулирующие передовые достижения естественных наук и существенно влияющие на тактико-технические характеристики и конкурентоспособность радиоэлектронной аппаратуры. ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М.: НИУ ВШЭ, 2018.
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом,
рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия,
рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников;
дается сводка имеющихся в настоящее время эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. ...
Добавлено: 15 марта 2018 г.
Piscataway: IEEE, 2017.
Основная цель East-West Design & Test Symposium (EWDTS) является обмен опытом между учеными и технологиями Восточной и Западной Европы, а также Северной Америки и других частей мира, в области проектирования, дизайна автоматизация и проверки электронных систем. Симпозиум направлен на привлечение ученых, особенно из стран Причерноморского региона, стран Балтии и Центральной Азии. EWDTS'16 охватывает (но не ограничивается) следующие темы: ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53–54.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
М.: НИИСИ РАН, 2017.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov и др., Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA) 2017 Vol. 33 No. 1 P. 37–51
Добавлено: 16 февраля 2017 г.
Yerevan: IEEE, 2016.
Основная цель East-West Design & Test Symposium (EWDTS) является обмен опытом между учеными и технологиями Восточной и Западной Европы, а также Северной Америки и других частей мира, в области проектирования, дизайна автоматизация и проверки электронных систем. Симпозиум направлен на привлечение ученых, особенно из стран Причерноморского региона, стран Балтии и Центральной Азии. EWDTS'16 охватывает (но не ограничивается) следующие ...
Добавлено: 29 октября 2016 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 303–308.
В работе с помощью средств TCAD проведено моделирование двух перспективных разновидностей глубоко субмикронных КНИ МОПТ с частично скрытым оксидом (Partial SOI) и L-образным скрытым оксидом (quasi-SOI) с целью оценки их радиационной стойкости и влияния эффекта «саморазогрева». На примере 100 нм КНИ МОП-транзистора показано, что новые структуры (Partial SOI и Quasi-SOI) по сравнению со стандартной КНИ МОПТ структурой ...
Добавлено: 11 октября 2016 г.
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Бондаренко Г. Г., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718–723
Добавлено: 21 сентября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 97–98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А. и др., В кн.: 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016».: ФГУП "НИИП", 2016. С. 56–57.
Представлены результаты совместного приборно-технологического (TCAD)-схемотехнического (SPICE) моделирования устойчивости ячейки памяти, изготовленной по высокотемпературной КНИ КМОП технологии (0.35 мкм) к воздействию тяжелых частиц при повышенной температуре. Показано, что устойчивость ячейки памяти заметно снижается при увеличении температуры от комнатной до 300°С. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.
ФГУП "НИИП", 2016.
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Добавлено: 20 июня 2016 г.