• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE

P. 358-361.

Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.

В книге

Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE
Под редакцией: S. Chumachenko, E. Litvinova. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010.