Глава
Passive mode-locking of p-doped quantum dot semiconductor lasers
P. 012068-1-012068-6.
We analyzed the localized charge dynamics in the system of interacting single-level quantum dots (QDs) coupled to the continuous spectrum states in the presence of Coulomb interaction between electrons within the dots. Different dots geometry and initial charge configurations were considered. The analysis was performed by means of Heisenberg equations for localized electrons pair correlators. We revealed that charge trapping takes place for a wide range of system parameters and we suggested the QDs geometry for experimental observations of this phenomenon. We demonstrated significant suppression of Coulomb correlations with the increasing of QDs number. We found the appearance of several time scales with the strongly different relaxation rates for a wide range of the Coulomb interaction values.
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей заряда в активной области, позволяют кардинально улучшить характеристики полупроводниковых лазеров, а также создать принципиально новые приборные структуры, например, микролазеры на кремнии.
Учебное пособие «Лазеры и микролазеры на основе квантовых точек» адресовано студентам магистратуры и аспирантам, чье направление подготовки связано с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами и наноструктурами, в том числе магистрантам направлений «Физика», «Прикладные математика и физика», «Электроника и наноэлектроника»
Рассмотрены вопросы создания эталонных источников низкоуровнего оптического сигнала на основе наноразмерных диафрагм и полупроводниковых квантовых точек. Предложено использование технологии фокусированного ионного пучка для выделения одиночных квантовых точек.