SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры

Исмаил-Заде Мамед Рашидович; Самбурский Лев Михайлович

doi:10.29003/m1609.Silicon-2020/229-232

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Публикации

Глава

SPICE модели субмикронных КМОП транзисторов в диапазоне криогенной температуры

С. 229-232.

Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М.

В работе представлены SPICE Low-T модели субмикронных КМОП транзисторов, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне криогенной температуры (до 4 К). Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T моделей на основе результатов измерений или TCAD-моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в криогенном диапазоне температуры.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 403 Кб)

DOI

Ключевые слова: криогенная температура компактные SPICE-модели КМОП транзисторы SPICE-моделирование

В книге

Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.

Под науч. редакцией: Е. С. Горнев М.: МАКС Пресс, 2020.

Особенности моделирования ВАХ JFET-транзисторов в диапазоне криогенных температур

Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2019. Т. 24. № 2. С. 174-184.

Компактные модели JFET-транзисторов, используемые в коммерческих версиях SPICE-подобных программ, ориентированы только на стандартный диапазон температур от –60 до +150 °С и не пригодны для расчета электронных схем в диапазоне криогенных температур (ниже –120 °С). В работе представлена Low-T SPICE-модель JFET для расчета схем в расширенном диапазоне температур, в том числе криогенных (от –200 до +110 °С). Модель учитывает изменения ВАХ, обусловленные влиянием сверхнизкой температуры: увеличение напряжения насыщения VDsat, снижение тока отсечки Ip и крутизны BETA, отрицательный наклон LAMBDA выходных ВАХ, увеличение сопротивления сток–исток RD за счет эффекта «вымораживания» и др. С этой целью в модель дополнительно введены зависимости перечисленных параметров от температуры. Разработана процедура экстракции SPICE-параметров Low-T SPICE-модели JFET согласно результатам измерений стандартного набора ВАХ в диапазоне криогенных температур. Погрешность расчета ВАХ не превышает 10–15 % в диапазоне температур от –200 до +110°С.

Добавлено: 5 июня 2019

Исследование характеристик и определение параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ в диапазоне температуры до 300°C

Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др. В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.

Добавлено: 13 сентября 2017

Generalized Test Automation Method for MOSFET’s Including Characteristics Measurements and Model Parameters Extraction for Aero-Space Applications

Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al. In bk.: Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). Piscataway: IEEE, 2017. P. 504-511.

Добавлено: 29 октября 2017

Моделирование сбоев в КНИ/КНС КМОП-схемах с использованием универсальной SPICE-модели

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 53-54.

Добавлено: 13 сентября 2017

Особенности моделирования субмикронных МОП-транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС

Лебедев С. В., Петросянц К. О., Стахин В. Г. и др. Наноиндустрия. 2018. № 82. С. 412-414.

Добавлено: 30 января 2019

Radiation-Induced Fault Simulation of SOI/SOS CMOS LSI’s Using Universal Rad-SPICE MOSFET Model

Konstantin O. Petrosyants, Lev M. Sambursky, Igor A. Kharitonov et al. Journal of Electronic Testing: Theory and Applications (JETTA). 2017. Vol. 33. No. 1. P. 37-51.

Добавлено: 16 февраля 2017