?
Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology
P. 1–6.
Ключевые слова: CMOS SOI/SOSтехнология «кремний на сапфире»asymmetric dopingMOSFET performanceасимметричное легированиебыстродействие МОП
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
Vol. 11022G. , SPIE, 2019.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн.: XVIII Научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 24 - 27 июня 2019 года, г. Суздаль, Россия.: НИИСИ РАН, 2019. С. 27–28.
В работе рассматривается использование конструкций КНИ МОПТ с неравномерным легированием канала. С помощью Sentaurus TCAD промоделированы ВАХ КНИ МОПТ с однородным и неравномерным легированием канала (до 50% длины канала), а также зависимость времени задержки КМОП схем на основе исследуемых транзисторов. ...
Добавлено: 15 марта 2020 г.
Попов Д. А., Харитонов И. А., В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments IIIТ. 3. Вып. III.: CreateSpace, 2014. С. 4–6.
В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной ...
Добавлено: 5 июня 2014 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116–121.
Разработанные spice-модели фоточувствительных элементов были использованы для моделирования характеристик фоточувствительных элементов с горизонтальной структурой: фотодиода и биполярного транзистора, – изготовленных по КМОП-технологии «кремний на сапфире» (КНС КМОП) 0,5 мкм компании Peregrine, и ФДУЗ, изготовленного по отечественной 2 мкм КНС КМОП-технологии. Показана хорошая точность совпадения измеренных и смоделированных характеристик. ...
Добавлено: 5 декабря 2012 г.
Харитонов И. А., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358–361.
Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.