Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology

Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.

Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.

Добавлено: 12 апреля 2012

Modeling of the submicron MOSFETs characteristics for UTSi technology

Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D. In bk.: International Conference on Micro- and Nanoelectronics - 2018, ICMNE 2018. SPIE, 2018. P. 29-29.

Добавлено: 22 октября 2018

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014