• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
«Высшая школа экономики»
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
4 марта 2021
Кто следит за порядком в живой клетке – взгляд физиков
Итальянские и российские исследователи подтвердили гипотезу о том, что  самоподдерживающийся порядок в ядерной (эукариотической) клетке – результат совместного действия двух спонтанных механизмов. Одинаковые молекулы  собираются в «капли» на мембране, а затем отрываются от нее в форме крошечных пузырьков, обогащенных собравшимися вместе молекулами. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Physical Review Letters.
3 марта 2021
Большой адронный коллайдер – фабрика открытий новых адронов
Коллаборация одного из экспериментов Большого адронного коллайдера, LHCb, в которую входит также и группа ученых Высшей школы экономики, опубликовала сообщение об открытии новых тетракварков – экзотических адронов, состоящих из четырех кварков. Эти открытия стали возможны благодаря массивным выборкам данных, собранным экспериментом LHCb при помощи алгоритмов, разработанных в ВШЭ.
2 марта 2021
Как канцерофобия и отсутствие культуры общения врача с пациентами мешает борьбе с раком в России
Онкологические заболевания окутаны множеством мифов. Последствия заблуждений и слабой информированности плачевные — запущенные стадии заболевания, ранние смерти. Профилактика и ранняя диагностика рака должны стать рутинными практиками, считают участники круглого стола «От канцерофобии к онконастроженности», организованного в НИУ ВШЭ проектной группой «Онкология и дефициты агентности: автономные практики заботы россиян о себе в условиях кризиса биомедицины».

Глава

Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology

P. 1-6.
Adonin A. S., Petrosyants K. O., Popov D.
Язык: английский
Полный текст (PDF, 3.07 Мб)
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: CMOS SOI/SOSasymmetric dopingMOSFET performance
Публикация подготовлена по результатам проекта: Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)

В книге

Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018
Под науч. редакцией: V. F. Lukichev, K. V. Rudenko. Vol. 11022G. SPIE, 2019.
Похожие публикации
Multi-level Methodology for CMOS SOI/SOS MOSFET Parameterization for IC Radiation Hardness Simulation with SPICE
Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.

Представлена методология многоуровневой параметризации элементов для предсказания радиационной стойкости СБИС с помощью средств САПР. Методология включает моделирование технологии изготовления и самих полупроводниковых КМОП КНИ /КНС приборов с учетом радиационных эффектов, исследование тестовых структур, определение параметров SPICE моделей. Приведенные результаты показывают хорошее совпадение результатов моделирования и измерения параметров стойкости элементов ИС и СБИС к радиационному воздействию.

Добавлено: 12 апреля 2012
Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц
Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014