Глава
Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology
P. 1-6.
Публикация подготовлена по результатам проекта:
Комплексное мультифизическое моделирование базовых конструкций и технологий нового поколения микроминиатюрных, микромощных полупроводниковых фото- и бета-вольтаических элементов питания и сенсоров с длительным сроком службы для автономных медицинских и технических систем различного назначения(2019)