• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Излучающие структуры для кремниевой фотоники на основе растянутых Ge микроструктур

С. 410-410.
Алёшкин В., Байдакова Н., Вербус В. А., Машин А., Морозова Е., Нежданов Е., Новиков А., Скороходов Е., Шенгуров Д., Юрасов Д., Яблонский А.

Одним из путей увеличения эффективности источников излучения для Si фотоники на основе Ge является его растяжение, которое позволяет трансформировать Ge в прямозонный полупроводник . Однако необходимые для этого высокие значения деформации (двуосные 1.5-1.8% или одноосные 4.5-5%) для достаточно толстых слоев Ge могут быть реализованы только локально, с использованием различных методов. В работе представлены результаты по формированию методом «концентрации напряжений» одноосно растянутых Ge микроструктур («микромостиков») различного дизайна и исследованию их излучательных свойств.