?
Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС
С. 82–83.
.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 5 С. 640–657
Операционные усилители широко используются в электронных системах, к которым предъявляются требования по стойкости к воздействию ионизирующих излучений. В связи с этим у разработчика ИС возникает необходимость проводить схемотехническое моделирование с учетом радиационных факторов. Основной проблемой этого метода моделирования операционных усилителей является отсутствие в SPICE-подобных программах адекватных моделей биполярных транзисторов, учитывающих влияние разных видов излучения. Существующие ...
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Харитонов И.А., Белопашенцев А.С., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 195–200
С использованием модифицированных SPICE-моделей МОПТ, расширенного пакета SPICE-моделирования с учетом эффектов старения даны количественные оценки усиления влияния эффектов горячих носителей и пробоя подзатворного диэлектрика на характеристики КМОП ОУ, а также время их бессбойной работы при уменьшении минимальных размеров транзисторов от 180 до 28 нм. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Коновальчик А. П., Конопелькин М. Ю., Щирый А. О. и др., Вестник воздушно-космической обороны 2020 Т. 28 № 4 С. 111–118
Статья посвящена этапам проектирования в разрабатываемой отечественной системе автоматизированного проектирования (САПР) радиолокационных станций (РЛС), комплексов и систем. Представлена концепция проектирования в САПР, включающая три уровня представления РЛС: системный, функциональный и структурно-конструктивный. Рассмотрен инструментарий САПР. Описан маршрут проектирования РЛС, состоящий из следующих основных этапов: этап предварительной оценки параметров РЛС, этап имитационного моделирования, этап технико-экономического анализа варианта ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск II настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ...
Добавлено: 25 октября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск I настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем –2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организацийи предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций ...
Добавлено: 26 августа 2021 г.
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
Тематика
Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры
Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои
Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения
Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий
Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.