?
Фотолюминесценция дисковых резонаторов, сформированных на базе светоизлучающих структур n(Ge QDs-Si)/SOI
С. 722–723.
В работе приводятся результаты исследований дисковых микрорезонаторов (с диаметрами 5–40мкм), сформированных на базе светоизлучающих структур n(GeQDs-Si)/SOI. Исследования проводились методом микрофотолюминесценции (микроФЛ) в диапазоне длин волн 1,3–1,7 мкм, соответствующем диапазону излучательной способности структур с наноостровками Ge(Si) (GeQDs). Всигнале ФЛ исследуемых структур обнаружен вклад резонансного характера, связываемый с модами шепчущей галереи, определены значения добротности резонансных пиков. Для дисков разного диаметра экспериментально полученные значения добротности составили Q~ 100 ÷ 500.
В книге
Т. 2. , Н. Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, 2016.