Дисковые микрорезонаторы с нарушением симметрии: численный расчет

В. А. Вербус; Степихова М. В.; Сергеев C. М.; Новиков А. В.; Красильник З. Ф.

АБВ
АБВ
АБВ

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

19 мая 2026 г.

Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря

В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.

18 мая 2026 г.

В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского

Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.

15 мая 2026 г.

В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций

Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации

?

Дисковые микрорезонаторы с нарушением симметрии: численный расчет

С. 514–515.

Вербус В. А., Степихова М. В., Сергеев C. М., Новиков А. В., Красильник З. Ф.

В работе приводятся результаты численного расчета дисковых микрорезонаторов с нарушением симметрии, формируемых на базе кремниевых структур. Под нарушением симметрии подразумевалось наличие дефектов – отверстий разного диаметра на внешней границе диска. В предельном случае рассчитывался микрорезонатор, представленный половиной диска. Для микро-резонаторов с разной степенью нарушения симметрии рассчитаны структура поля и добротность собственных мод. Показано, что дефекты на краю диска разрушают структуру мод шепчущей галереи, изменяя характер и добротность мод микрорезонато-ра. В случае микрорезонатора, представленного половиной диска, наиболее добротными оказываются моды радиального ха-рактера. Расчеты выполнялись с разными граничными условиями, учитывающими потери излучения на внешней границе мик-рорезонатора.

Язык: русский

Полный текст

Текст на другом сайте

Ключевые слова: дисковые микрорезонаторы

В книге

Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.). В 2 т.

Т. 2. , Н. Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, 2016.

Фотолюминесценция дисковых резонаторов, сформированных на базе светоизлучающих структур n(Ge QDs-Si)/SOI

Вербус В. А., Сергеев C. М., Степихова М. В. и др., В кн.: Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–18 марта 2016 г.). В 2 т.Т. 2.: Н. Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета, 2016. С. 722–723.

В работе приводятся результаты исследований дисковых микрорезонаторов (с диаметрами 5–40мкм), сформированных на базе светоизлучающих структур n(GeQDs-Si)/SOI. Исследования проводились методом микрофотолюминесценции (микроФЛ) в диапазоне длин волн 1,3–1,7 мкм, соответствующем диапазону излучательной способности структур с наноостровками Ge(Si) (GeQDs). Всигнале ФЛ исследуемых структур обнаружен вклад резонансного характера, связываемый с модами шепчущей галереи, определены значения добротности резонансных пиков. Для ...

Добавлено: 9 марта 2017 г.