Глава
Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС космического назначения.
В книге
Представлена система теплового проектирования на уровнях кристалла ИС и печатных плат. Система интегрирована в САПР Mentor Graphics и состоит из трёх подсистем: теплового проектирования в IC Station; теплового проектирования в Expedition PCB; тепловых измерений для проверки результатов теплового моделирования.
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов.
В сборнике приведены статьи преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов МИЭМ, которые посвящены применению Интернет и САПР в научной и образовательной деятельности. Рассмотрены вопросы применения принципов автоматизации проектирования при построении информационно-образовательных сред, функционирующих в Интернет. Ряд статей посвящен применению САПР и наукоемкого программного обеспечения в процессе проектирования электронной аппаратуры, созданию клиент-серверных вариантов подсистем САПР, работающих в Интернет, а также использованию Интернет-технологий в образовательном процессе.
Сборник предназначен специалистам, занимающихся внедрением Интернет и САПР в практическую деятельность.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при использовании EKV-RAD на моделирование аналоговой схемы затрачивается до 15-30% меньше процессорного времени, а на моделирование цифровой на 40-50% меньше в сравнении с моделью BSIMSOI-RAD.
В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые пользователем.
Учебное пособие содержит тестовые задания по современным СВЧ приборам: детекторным диодам, варикапам, p-i-n диодам, диодам с барьером Шотки, диодам Ганна, лавинно-пролетным диодам, биполярным транзисторам, полевым транзисторам, в т.ч. на гетеропереходах.
Пособие предназначено для промежуточного контроля знаний студентов 3 курса, для проведения контроля остаточных знаний на старших курсах, а также для самоконтроля при самостоятельном (внеаудиторном) изучении дисциплины «Приборы СВЧ и оптического диапазона».