?
РАЗРАБОТКА ЭЛЕМЕНТОВ КОМПЬЮТЕРНОЙ СИСТЕМЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛА ДАВЛЕНИЕМ
С. 118–119.
Работа посвящена разработке системы трехмерной визуализации результатов моделирования осесимметричных задач процессов обработки металлов давлением. Рассматриваются функциональные возможности разрабатываемой программы.
Язык:
русский
В книге
М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016.
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Коновальчик А. П., Конопелькин М. Ю., Щирый А. О. и др., Вестник воздушно-космической обороны 2020 Т. 28 № 4 С. 111–118
Статья посвящена этапам проектирования в разрабатываемой отечественной системе автоматизированного проектирования (САПР) радиолокационных станций (РЛС), комплексов и систем. Представлена концепция проектирования в САПР, включающая три уровня представления РЛС: системный, функциональный и структурно-конструктивный. Рассмотрен инструментарий САПР. Описан маршрут проектирования РЛС, состоящий из следующих основных этапов: этап предварительной оценки параметров РЛС, этап имитационного моделирования, этап технико-экономического анализа варианта ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск II настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ...
Добавлено: 25 октября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск I настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем –2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организацийи предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций ...
Добавлено: 26 августа 2021 г.
ИППМ РАН, 2020.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Аксенов С. А., Sorgente D., Defect and Diffusion Forum 2018 Vol. 385 P. 443–448
The work is dedicated to determination of stress-strain behavior of Ti6Al4V alloy deformed in conditions of biaxial tension provided by free bulging testing. The dome height during each test was continuously measured and recorded using a magnetostrictive position transducer. All the tests were performed using stepped pressure regime with jump pressure changing between two values ...
Добавлено: 26 декабря 2019 г.
М.: ООО "Спектр", 2019.
В выпуске представлены тезисы докладов конференции «Школа молодых учёных «Микроэлектроника-2019», освещающие актуальные темы по вопросам разработки и применения перспективной элементной базы микроэлектроники, электронных модулей, а также процессов их производства, что послужит обмену актуальной информацией между учёными и специалистами, занимающимися разными направлениями развития электронной компонентной базы. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
Зотов А. Н., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2019.
В данной работе рассмотрен стандарт IPC2581 и преимущества, получаемые при его использовании для импорта данных о характеристиках печатных узлов в систему расчета показателей долговечности АСОНИКА-К-Д ...
Добавлено: 15 мая 2019 г.
Зотов А. Н., В кн.: Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы двадцать второго научно-технического семинара.: М.: Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, 2019. С. 78–81.
В работе рассматриваются вопросы снижения трудоемкости ввода исходных данных в автоматизированные системы проектных исследований надежности. Проведен анализ существующих способов импорта данных, применяемых в системах автоматизированного проектирования, на основе которого была обоснована необходимость создания программного модуля, предназначенного для импорта данных в автоматизированные системы проектных исследований надежности. Приведено описание такого модуля, разработанного
для системы АСОНИКА-К-СЧ, и пример его ...
Добавлено: 21 апреля 2019 г.
Стебенев А. Ю., Востриков А. В., Прокофьева Е. Н. и др., В кн.: ШАГ В БУДУЩЕЕ: ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ И ЦИФРОВАЯ ЭКОНОМИКАВып. 5.: Издательский дом ГУУ, 2018. С. 160–166.
Цветная металлургия выступает в качестве одной из базовых и экономикообразующих отраслей страны. Для анализа современных IT-решений компании выбрана корпорация Русский алюминий (РУСАЛ) – в исследовании рассмотрены ключевые характеристики компании, структура, цели и IT – технологии для разработки эффективных предложений по их совершенствованию. ...
Добавлено: 6 февраля 2019 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 103–110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55–56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.