?
Имитационное моделирование процесса прокатки прутка круглого сечения на гладкой бочке
С. 168–174.
В работе приведены результаты имитационного моделирования процесса прокатки с применением метода конечных элементов для решения задач формоизменения металлического прутка круглого сечения на гладкой бочке в изотермической и неизотермической постановке. Было проведено экспериментальное и теоретическое исследования процесса прокатки. Полученные результаты позволяют оценить влияние температуры на результаты моделирования.
В книге
М.: Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, 2016.
Степанянц В. Г., , in: 2025 International Russian Automation Conference (RusAutoCon).: IEEE, 2025. P. 982–986.
Добавлено: 3 октября 2025 г.
Издательство ПетрГУ, 2024.
В сборник включены доклады, представленные на Всероссийской научно-технической конференции «Электроэнергетика, электротехника и информационные технологии». Доклады охватывают широкий круг вопросов в области информационно-коммуникационных технологий и программно-технических комплексов, автоматизации технологических процессов и производств на базе современных технологий и оборудования, САПР, электромагнитной совместимости, релейной защиты и автоматики, передачи, распределения и потребления электроэнергии, электрического и электронного оборудования, математического моделирования в электроэнергетике, нейросетевых ...
Добавлено: 9 декабря 2024 г.
Цветков В. Э., Ландер Л. Б., Кононова Н. А. и др., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов имени Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2022. С. 200–203.
В работе рассмотрены различные виды теплопередачи в электронике, изучены методы теплоотвода в радиоэлектронных средствах (РЭС), а также проведено тепловое моделирование некоторых систем охлаждения в программном комплексе САПР SolidWorks. Данное исследование проводится в рамках разработки электронного учебного пособия по компьютерному моделированию РЭС с различными видами охлаждения. ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Американов А. А., Таржанов Т. В., Романова И. И. и др., Труды Института системного программирования РАН 2023 Т. 35 № 5 С. 67–80
В статье проведен анализ существующих методов для оптимизации временных затрат и вычислений при высокоуровневом моделировании сетей на кристалле. Приведено описание параметров и характеристик сетей на кристалле, рассчитываемых различными моделями, и проанализировано их влияние на скорость высокоуровневого моделирования. Проведена адаптация существующих методов оптимизации моделирования для внедрения в систему автоматизации проектирования сетей на кристалле. ...
Добавлено: 8 марта 2024 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Коновальчик А. П., Конопелькин М. Ю., Щирый А. О. и др., Вестник воздушно-космической обороны 2020 Т. 28 № 4 С. 111–118
Статья посвящена этапам проектирования в разрабатываемой отечественной системе автоматизированного проектирования (САПР) радиолокационных станций (РЛС), комплексов и систем. Представлена концепция проектирования в САПР, включающая три уровня представления РЛС: системный, функциональный и структурно-конструктивный. Рассмотрен инструментарий САПР. Описан маршрут проектирования РЛС, состоящий из следующих основных этапов: этап предварительной оценки параметров РЛС, этап имитационного моделирования, этап технико-экономического анализа варианта ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск II настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ...
Добавлено: 25 октября 2021 г.
ИППМ РАН, 2021.
Выпуск I настоящего периодического издания содержит 12 докладов из числа представленных на X Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем –2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.). Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами российских научно-производственных организацийи предприятий, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций ...
Добавлено: 26 августа 2021 г.
ИППМ РАН, 2020.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
М.: ООО "Спектр", 2019.
В выпуске представлены тезисы докладов конференции «Школа молодых учёных «Микроэлектроника-2019», освещающие актуальные темы по вопросам разработки и применения перспективной элементной базы микроэлектроники, электронных модулей, а также процессов их производства, что послужит обмену актуальной информацией между учёными и специалистами, занимающимися разными направлениями развития электронной компонентной базы. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
Зотов А. Н., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2019.
В данной работе рассмотрен стандарт IPC2581 и преимущества, получаемые при его использовании для импорта данных о характеристиках печатных узлов в систему расчета показателей долговечности АСОНИКА-К-Д ...
Добавлено: 15 мая 2019 г.
Зотов А. Н., В кн.: Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы двадцать второго научно-технического семинара.: М.: Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, 2019. С. 78–81.
В работе рассматриваются вопросы снижения трудоемкости ввода исходных данных в автоматизированные системы проектных исследований надежности. Проведен анализ существующих способов импорта данных, применяемых в системах автоматизированного проектирования, на основе которого была обоснована необходимость создания программного модуля, предназначенного для импорта данных в автоматизированные системы проектных исследований надежности. Приведено описание такого модуля, разработанного
для системы АСОНИКА-К-СЧ, и пример его ...
Добавлено: 21 апреля 2019 г.
Стебенев А. Ю., Востриков А. В., Прокофьева Е. Н. и др., В кн.: ШАГ В БУДУЩЕЕ: ИСКУССТВЕННЫЙ ИНТЕЛЛЕКТ И ЦИФРОВАЯ ЭКОНОМИКАВып. 5.: Издательский дом ГУУ, 2018. С. 160–166.
Цветная металлургия выступает в качестве одной из базовых и экономикообразующих отраслей страны. Для анализа современных IT-решений компании выбрана корпорация Русский алюминий (РУСАЛ) – в исследовании рассмотрены ключевые характеристики компании, структура, цели и IT – технологии для разработки эффективных предложений по их совершенствованию. ...
Добавлено: 6 февраля 2019 г.
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 103–110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018.
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 55–56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Петросянц К. О., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 18–19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.