Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц Константин Орестович

Глава

Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов

С. 215-216.

Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ).

Язык: русский

Полный текст (PDF, 903 Кб)

Ключевые слова: биполярный транзистор МОП транзисторы TCAD модели SPICE модели компонентов радиационная стойкость САПР

Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)

В книге

Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов

Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.

М.: Техносфера, 2015.

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе

Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.

При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.

Добавлено: 12 апреля 2012

Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014

М.: НИЯУ МИФИ, 2014.

Рассматриваются внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры, проблемы оценки и обеспечения радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.

Добавлено: 28 февраля 2014

Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний

Харитонов И. А. В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

Добавлено: 12 апреля 2012

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012

Интернет и автоматизация проектирования

М.: МГИЭМ, 2001.

В сборнике приведены статьи преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов МИЭМ, которые посвящены применению Интернет и САПР в научной и образовательной деятельности. Рассмотрены вопросы применения принципов автоматизации проектирования при построении информационно-образовательных сред, функционирующих в Интернет. Ряд статей посвящен применению САПР и наукоемкого программного обеспечения в процессе проектирования электронной аппаратуры, созданию клиент-серверных вариантов подсистем САПР, работающих в Интернет, а также использованию Интернет-технологий в образовательном процессе.

Сборник предназначен специалистам, занимающихся внедрением Интернет и САПР в практическую деятельность.

Добавлено: 31 марта 2014

Конференция молодых учёных и специалистов по теории систем и вопросам САПР: Тезисы докладов

М.: ЦНИИ ИТЭИПСАСУ, 1983.

Добавлено: 31 марта 2014

Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics

Петросянц К. О., Козынко П. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.

В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые пользователем.

Добавлено: 26 декабря 2012

BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012