• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
home
vision user
search
Расширенный поиск
Приоритетные направления
по году
Тематика

Новости

20 февраля 2019

Связь фонологии и математики

Исследователи Вышки показали, что фонологические способности ребенка (чувствительность к звуковому составу речи, умение идентифицировать отдельные звуки и слоги) связаны с его математическими достижениями в начальной школе. Однако связь между звуковой речевой сензитивностью и освоением математики варьируется в зависимости от социально-экономического статуса семьи ребенка.

18 февраля 2019

Цена знаний

На стоимость занятий у репетиторов влияют не только опыт преподавания, наличие ученой степени и отзывы учеников, но и пол педагога. К такому выводу пришли Аина Нурмагомбетова и Кирилл Маслинский из Питерской Вышки.  Социологи проанализировали более 14 тысяч анкет репетиторов и измерили, как профессиональные и социально-демографические характеристики преподавателей влияют на рынок теневых образовательных услуг. Исследование стало лучшей научно-исследовательской работой по социологии на открытом конкурсе НИРС 2018 года.

15 февраля 2019

Орден эмансипации

В петровскую эпоху был создан первый в России орден для дам — Святой Екатерины, или орден Освобождения, главой которого и стала царица Екатерина Алексеевна. В этой частной истории отчетливо проявились серьезные политические амбиции жены монарха. О том, как в истории учреждения «дамского ордена» отразились планы бывшей царской любовницы повысить свой статус и перестроить очередь на престол в пользу своих детей, рассказал Игорь Федюкин.

Глава

Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов

С. 215-216.
Петросянц К. О.

Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ).

Язык: русский
 Полный текст (PDF, 903 Кб)
Ключевые слова: биполярный транзисторМОП транзисторыTCAD моделиSPICE модели компонентоврадиационная стойкостьСАПР
Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2016)

В книге

Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов
Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.
М.: Техносфера, 2015.
Похожие публикации
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
Добавлено: 12 апреля 2012
Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014
М.: НИЯУ МИФИ, 2014.

Рассматриваются внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры, проблемы оценки и обеспечения радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.

Добавлено: 28 февраля 2014
Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний
Харитонов И. А. В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

Добавлено: 12 апреля 2012
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012
Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012
Интернет и автоматизация проектирования
М.: МГИЭМ, 2001.

В сборнике приведены статьи преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов МИЭМ, которые посвящены применению Интернет и САПР в научной и образовательной деятельности. Рассмотрены вопросы применения принципов автоматизации проектирования при построении информационно-образовательных сред, функционирующих в Интернет. Ряд статей посвящен применению САПР и наукоемкого программного обеспечения в процессе проектирования электронной аппаратуры, созданию клиент-серверных вариантов подсистем САПР, работающих в Интернет, а также использованию Интернет-технологий в образовательном процессе.

Сборник предназначен специалистам, занимающихся внедрением Интернет и САПР в практическую деятельность.

Добавлено: 31 марта 2014
Конференция молодых учёных и специалистов по теории систем и вопросам САПР: Тезисы докладов
М.: ЦНИИ ИТЭИПСАСУ, 1983.
Добавлено: 31 марта 2014
Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics
Петросянц К. О., Козынко П. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.

В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые пользователем.

Добавлено: 26 декабря 2012
BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012