?
Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)
С. 239-240.
При решении задачи создания на базе КНИ КМОП технологии высокотемпературных (с предельной рабочей температурой до 300°С) полупроводниковых микросхем для различных применений необходимо использовать методы и средства компьютерного моделирования. К сожалению, существующие в настоящее время SPICE-модели КНИ МОПТ рассчитаны на диапазон рабочих температур до +150°С. В настоящей работе диапазон существующих стандартных моделей КНИ МОПТ расширен до 300°С.
Язык:
русский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
В книге
М. : Техносфера, 2015
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916-922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Добавлено: 25 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. : М. : Техносфера, 2015. С. 215-216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Самбурский Л. М., Исмаил-Заде М. Р., Кузин Е. Ю. и др., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 55-56.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 82-83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Кулыгин В. Н., Полесский С. Н., В кн. : Сборник трудов V Международной научно-практической конференции учащихся и студентов. : Протвино : УЦ Прометей, 2012. С. 522-523.
В материаллах рассматривается программа расчета показателей надежности электронных модулей. ...
Добавлено: 1 декабря 2014 г.
Чумаченко Е. Н., Олесов Е. Е., Бобер С. А. и др., Российский стоматологический журнал 2014 Т. 18 № 6 С. 36-38
В статье рассматривается последовательность трехмерного математического моделирования интактного или де
пульпированного моляра верхней челюсти с наличием керамических вкладок или композитных реставраций для даль
нейшего изучения напряженно-деформированного состояния зуба и реставрационных материалов при функциональ
ных нагрузках. ...
Добавлено: 20 июля 2015 г.
Дёмин Д. О., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 118-119.
Работа посвящена разработке системы трехмерной визуализации результатов моделирования осесимметричных задач процессов обработки металлов давлением. Рассматриваются функциональные возможности разрабатываемой программы. ...
Добавлено: 6 июня 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
М. : Физматлит, 2013
...
Добавлено: 5 ноября 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Борисов Н. И., Востриков А. В., Кравченко Н. П. и др., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 4(51) С. 49-57
В данной статье рассматривается метод построения макромоделей линейных электрических эквивалентных схем в однородном координатном базисе. Подробно описан метод обращения полиномиальной матрицы второй степени, на котором основано построение макромодели. Метод позволяет существенно снизить трудоемкость построения макромоделей схем, содержащих большое количество индуктивных элементов, и матрицы моделей которых близки к плотным. ...
Добавлено: 21 октября 2014 г.
Кулыгин В. Н., Жаднов В. В., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции (2015). : М. : НИУ ВШЭ, 2015. С. 513-515.
Рассмотрена структура файлов хранения проектных данных программы расчета показателей долговечности. Описаны алгоритмы выборки данных из файлов проекта а так же формирования структуры устройства. Сделаны выводы. ...
Добавлено: 3 декабря 2015 г.
Алакоз Г. М., Курак М. В., Сериков А. П., М. : Национальный открытый университет «ИНТУИТ», 2015
В книге обобщен опыт создания и применения полностью отечественных битпотоковых технологий, для распространения которых в области супрамолекулярных и нанометровых вычислителей достаточно заменить инициализацию инструкций инструктированным синтезом реализующих их устройств. Раскрыты все этапы и поддерживающие их инструментальные платформы микропрограммного конструирования алгоритмически ориентированных (сверх)параллельных бит-потоковых субпроцессоров. Показано, что высокая живучесть бит-потоковых субпроцессоров поддерживается как за счет толерантного ...
Добавлено: 3 марта 2016 г.
Щирый А. О., Коновальчик А. П., Плаксенко О. А., Наукоемкие технологии в космических исследованиях Земли 2019 Т. 11 № 1 С. 4-11
Статья посвящена разработке отечественной системы автоматизированного проектирования радиолокационных систем (РЛС), радиолокационных комплексов, радиолокационных станций. Специфика разрабатываемой системы проектирования наиболее выражена в учете сценариев использования проектируемого изделия в условиях конкретных средств воздушно-космического нападения и обороны, что в сочетании с прочим функционалом позволяет осуществлять обоснование облика перспективных радиолокационных систем (комплексов, станций). В работе представлена концепция пяти уровней ...
Добавлено: 2 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Козынко П. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2007 № 6 С. 30-38
В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые ...
Добавлено: 26 декабря 2012 г.
ИППМ РАН, 2021
Выпуск III настоящего периодического издания содержит 31 доклад из числа представленных на X
Юбилейную Всероссийскую научно-техническую конференцию «Проблемы разработки
перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2020» (Москва, Зеленоград, март-ноябрь 2021 г.).
Работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами институтов РАН, специалистами
российских научно-производственных организаций и предприятий, преподавателями, научными
сотрудниками, аспирантами и студентами вузов, а также сотрудниками ряда зарубежных организаций
и вузов, работающих ...
Добавлено: 12 ноября 2021 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Рябов Н. И. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). : Х. : Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 2009. P. 247-250.
Представлена система теплового проектирования на уровнях кристалла ИС и печатных плат. Система интегрирована в САПР Mentor Graphics и состоит из трёх подсистем: теплового проектирования в IC Station; теплового проектирования в Expedition PCB; тепловых измерений для проверки результатов теплового моделирования. ...
Добавлено: 17 марта 2013 г.
М. : Техносфера, 2015
В сборник включены тезисы докладов конференции, освещающие актуалные вопросы разаработки, производства и применения отечественных интегральных схем и высокоинтегрированных микроэлектронных модулей. ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018
Материалы сборника отражают современное состояние российской микро- и наноэлектроники, методов и средств разработки микро- и наноэлектронных схем и систем и являются важным источником информации по перспективным направлениям исследований и инвестиций в сфере микро- и наноэлектроники.
Представленные работы выполнены научными сотрудниками и аспирантами РАН, специалистами работающих в России научно-производственных организаций, преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами высших ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018). Вып. 3.: М., Зеленоград : ИППМ РАН, 2018. С. 103-110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
Орехов Е. В., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.