• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

С. 239-240.

При решении задачи создания на базе КНИ КМОП технологии высокотемпературных (с предельной рабочей температурой до 300°С) полупроводниковых микросхем для различных применений необходимо использовать методы и средства компьютерного моделирования. К сожалению, существующие в настоящее время SPICE-модели КНИ МОПТ рассчитаны на диапазон рабочих температур до +150°С. В настоящей работе диапазон существующих стандартных моделей КНИ МОПТ расширен до 300°С.