Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

Петросянц Константин Орестович; Харитонов Игорь Анатольевич; Самбурский Лев Михайлович; Попов Дмитрий Александрович; Стахин Вениамин Георгиевич; Лебедев Сергей Валентинович

Глава

Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

С. 239-240.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Стахин В. Г., Лебедев С. В.

При решении задачи создания на базе КНИ КМОП технологии высокотемпературных (с предельной рабочей температурой до 300°С) полупроводниковых микросхем для различных применений необходимо использовать методы и средства компьютерного моделирования. К сожалению, существующие в настоящее время SPICE-модели КНИ МОПТ рассчитаны на диапазон рабочих температур до +150°С. В настоящей работе диапазон существующих стандартных моделей КНИ МОПТ расширен до 300°С.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 856 Кб)

Ключевые слова: КНИ МОП транзисторы SPICE модели компонентов высокотемпературная электроника САПР

Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2015)

В книге

Моделирование КНИ МОП-транзисторов для высокотемпературных КМОП интегральных схем (до 300°С)

Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.

М.: Техносфера, 2015.

Метод иерархического макромоделирования в задачах анализа линейных электрических эквивалентных схем в САПР

Абрамешин А. Е., Борисов Н. И., Кравченко Н. П. и др. Качество. Инновации. Образование. 2013. № 11. С. 40-46.

В статье предлагается метод моделирования линейных эквивалентных электрических схем, формируемых с помощью искусственных электроаналогий, основанный на их двухступенчатой редукции. На первом этапе моделирования модель каждой подсхемы исходной схемы формальным образом преобразуется в макромодель, отражающей только лишь ее соотношения типа «вход-выход». На втором этапе модель, состоящая из макромоделей, преобразуется в макромодель следующего иерархического уровня. Математический аппарат макромоделирования основан на обращении в аналитическом виде полиномиальных регулярных матриц высоких степеней. Предлагаемый метод позволяет значительно сократить трудоемкость моделирования и многовариантного анализа больших эквивалентных электрических схем.

Добавлено: 17 ноября 2013

Всесоюзная студенческая научно-техническая конференция «Автоматизация проектирования и конструирования в электронном машиностроении»: Тезисы докладов

М.: МИЭМ, 1988.

В настоящем сборнике содержаться тезисы докладов Всесоюзной студенческой научно-технической конференции «Автоматизация проектирования и конструирования в электронном машиностроении», проводимой Минвузом РСФСР и МИЭМ. Тематика докладов охватывает вопросы САПР в электронном машиностроении.

Добавлено: 10 марта 2014

Thermal Design System for Chip- and Board-level Electronic Components

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'09). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2009. P. 247-250.

Представлена система теплового проектирования на уровнях кристалла ИС и печатных плат. Система интегрирована в САПР Mentor Graphics и состоит из трёх подсистем: теплового проектирования в IC Station; теплового проектирования в Expedition PCB; тепловых измерений для проверки результатов теплового моделирования.

Добавлено: 17 марта 2013

Опыт применения САПР при проектировании аппаратуры на основе ПЛИС

Аминев Д. А. Техника средств связи. Серия: Техника телевидения. 2009. № 1. С. 25-30.

Перечислены основные особенности САПР, применяемых при разработке аппаратуры с использованием ПЛИС. Приведен пример создания рабочих проектов ПЛИС. Рассмотрены некоторые встречающиеся проблемы и предложены способы их решения

Добавлено: 13 июля 2013

Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012

Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012

Интернет и автоматизация проектирования

М.: МГИЭМ, 2001.

В сборнике приведены статьи преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов МИЭМ, которые посвящены применению Интернет и САПР в научной и образовательной деятельности. Рассмотрены вопросы применения принципов автоматизации проектирования при построении информационно-образовательных сред, функционирующих в Интернет. Ряд статей посвящен применению САПР и наукоемкого программного обеспечения в процессе проектирования электронной аппаратуры, созданию клиент-серверных вариантов подсистем САПР, работающих в Интернет, а также использованию Интернет-технологий в образовательном процессе.

Сборник предназначен специалистам, занимающихся внедрением Интернет и САПР в практическую деятельность.

Добавлено: 31 марта 2014

Конференция молодых учёных и специалистов по теории систем и вопросам САПР: Тезисы докладов

М.: ЦНИИ ИТЭИПСАСУ, 1983.

Добавлено: 31 марта 2014

Усовершенствованная подсистема электротеплового моделирования систем на печатных платах в САПР Mentor Graphics

Петросянц К. О., Козынко П. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2007. № 6. С. 30-38.

В базовый маршрут проектирования печатных плат компании Mentor Graphics включен этап автоматизированного электротеплового моделирования. Разработана программа-диспетчер TransPower, управляющая итерационным процессом электротеплового расчета, объединяющая в единый цикл программы электрического (Analog Designer) и теплового (BETAsoft) моделирования. В результате резко снижены трудоемкость и время выполнения этапа электротеплового моделирования печатных плат, повышена точность и достоверность расчетов, исключены ошибки, вносимые пользователем.

Добавлено: 26 декабря 2012