В материалах рассмотрена проблема проектной оценки надежности современных ИМС большой степени интеграции
В работе затронуты острые проблемы проведения ускоренных испытаний, закупаемых заграницей (США, Япония, Китай и др.) интегральных микросхем (ИМС) и отсутствия в отчетах по надежности электронных компонентов по итогам проведенных испытаний фирм-производителей (Reliability Report) данных о параметрах долговечности. Предлагается применять разработанную методику прогнозирования долговечности ИМС путем использования Reliability Report и расчетов необходимых параметров. Также приведена блок-схема программы автоматизации расчета показателей долговечности ИМС иностранного производства разных фирм-производителей.
В выпуске представлены тезисы докладов конференции «Школа молодых учёных «Микроэлектроника-2019», освещающие актуальные темы по вопросам разработки и применения перспективной элементной базы микроэлектроники, электронных модулей, а также процессов их производства, что послужит обмену актуальной информацией между учёными и специалистами, занимающимися разными направлениями развития электронной компонентной базы.
Конференция THERMINIC является ежегодной конференцией, которая позволяет исследователям всего мира обсуждать наиболее важные вопросы и лучшие практические применения в области тепловых явлений в микроэлектронике. Эти вопросы становятся всё более критичными в связи с ростом числа элементов на кристалле и в связи с переходом к нанотехнологии. Всё это требует развития теплового моделирования, измерений и теплового управления. Тепловое управление становится наиболее значимым фактором на всех уровнях. Рост рассеиваемого тепла и распространение микросистем в корпусе порождает новые тепловые проблемы, поэтому желательно их регулярное обсуждение. В конечном итоге, растёт необходимость в точной постановке граничных условий электронной части, что требуется для совместного анализа тепловых характеристик систем в целом.
Разработано программное обеспечение для анализа задержек в межсоединениях ИС в зависимости от температурных эффектов. Методика численого расчета задержек в межсоединениях позволяет учитывать произвольне распределение температуры в кристаллах.