Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.)

М. : НИЯУ МИФИ, 2013.

Научный редактор: Стенин В. Я.

Сборник научных трудов содержит статьи по материалам докладов 15-й Российской научно-технической конференции «Электроника, микро и наноэлектроника» (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.). 

Представленные работы выполнены преподавателями, научными сотрудниками, аспирантами и студентами НИЯУ МИФИ, НИИСИ РАН, а также специалистами других научно-исследовательских организаций и вузов.

Сборник предназначен для специалистов, аспирантов и студентов, интересующихся работами в области современной электроники.

Главы книги

Cравнительный анализ SPICE-моделей КНИ/КНС МОП-транзисторов для учёта радиационных эффектов

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303–309.

Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной. ...

Добавлено: 10 июня 2013 г.

Проектирование радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2013. С. 296–302.

Описаны блок-схема, приведены результаты моделирования и исследования экспериментальных образцов радиационно-стойкого прецизионного усилителя на базе КНС КМОП-технологии с автокоррекцией нуля. При проектировании схемы усилителя использованы схемотехнические модели КНС КМОП-транзисторов, полученные из результатов исследования тестовых структур с учетом радиационного и температурного воздействия. Показано, что схема усилителя обеспечивает поддержание дрейфа нуля не более 0,2 мкВ/°C в диапазоне температур ‑40…+65 °C ...

Добавлено: 10 июня 2013 г.

Ключевые слова: наноэлектроника, микроэлектроника, электроника

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям (2013)