?
Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVII
Вып. 67.
М. :
РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012.
Труды 67-й Всероссийской конференции с международным участием «Научная сессия, посвященная Дню радио» Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С.Попова.
Главы книги
Елизаров А. А., Закирова Э. А., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 366–369.
Проведен анализ современных направлений разработки и проектирования печатных плат для микрополосковых СВЧ устройств. Предложена модификация многослойной печатной платы с подвешенной подложкой и диэлектрическим экраном. Показано, что использование такой конструкции платы позволяет обеспечить согласование ее диэлектрических слоев между собой с линейным уменьшением их волнового сопротивления от плоскости экрана к плоскости импедансных проводников, что позволяет избежать возникновения ...
Добавлено: 31 октября 2012 г.
Елизаров А. А., Шаймарданов Р. В., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 369–372.
Проведено исследование электрода для трансуретральной микроволновой термотерапии на основе замедляющей системы типа коаксиальный ребристый стержень. Получены аналитические соотношения, позволяющие осуществлять расчет ее дисперсионных характеристик и волнового сопротивления в зависимости от геометрических размеров образующих проводников и диэлектрического заполнения. Приведены результаты численного моделирования электрода с помощью программных средств Ansoft HFSS v.10. Дано качественное сравнение теоретических зависимостей и ...
Добавлено: 31 октября 2012 г.
Нефедов В. Н., Омиров А. А., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 379–382.
В статье показано, что использование режима взаимодействия электронного потока с высшими пространственными гармониками π- вида в коаксиальных магнетронах увеличивает характеристическое сопротивление, что открывает возможность уменьшения требуемой для стабильности работы длительности фронта модулирующего импульса. Показано, что при выборе оптимальных параметров коаксиального магнетрона возможно получение большого как контурного, так и предельного электронного КПД по сравнению с системой ...
Добавлено: 4 ноября 2012 г.
Чистяков К. И., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 388–390.
Рассмотрена проблема повышения выходной мощности и долговечности магнетронов коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн. Предлагается применение режима взаимодействия электронного потока с высшей пространственной гармоникой π вида колебаний. Описаны преимущества этого режима перед применяемыми в настоящее время. Рассмотрены его недостатки и способы их устранения. Приведены расчетные данные, согласно которым, использование рассматриваемого режима взаимодействия является перспективным в ...
Добавлено: 9 февраля 2013 г.
Солнцев В. А., Шульга А. И., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 354–357.
Дан анализ подавления нелинейных искажений в усилителе путем воздействия на его характеристики сигнала огибающей усиливаемых ВЧ колебаний. Медленное в масштабе ВЧ колебаний изменение характеристик приводит к появлению дополнительных частотных составляющих колебаний, компенсирующих нелинейные искажения исходного сигнала. Описаны различные варианты включения компенсирующего сигнала. Описаны критерии применения усилителей на лампе с бегущей волной и твердотельных усилителей. Рассмотрен ...
Добавлено: 14 февраля 2013 г.
Солнцев В. А., Омельчук И. С., В кн.: Труды Российского научно-технического общества радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова. Выпуск LXVIIВып. 67.: М.: РНТОРЭС им. А.С.Попова, 2012. С. 350–353.
Исследованы свойства петляющих замедляющих систем( ЗС) типа цепочек связанных резонаторов (ЦСР ) с разными щелями связи. Показана возможность работы таких ЗС во второй полосе пропускания и увеличения рабочей частоты ЛБВ при сохранении размеров ЗС ...
Добавлено: 15 февраля 2013 г.
Язык:
русский
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178
Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Khomitsky D.V., Bastrakova M. V., Pashin D. S., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 08 Article 085427
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика твердого тела 2026 Т. 68 № 4 С. 639–648
Рассматривается задача о динамике туннелирования и переворота спина электрона под действием бигармонического электрического поля, приложенного к двойной квантовой точке на основе арсенида галлия с сильным спин-орбитальным взаимодействием. При настройке частоты первой гармоники на зеемановское расщепление в одной точке и частоты второй гармоники на разность потенциальных энергий в соседних точках для определенных амплитуд гармоник наблюдаются два ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Выполнено расширенное исследование спин-зависимого фотоэлектрического эффекта в диодах Шоттки на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и близкорасположенным дельта-слоем Mn. Эффект заключается в зависимости сигнала фотоэдс от знака циркулярной поляризации облучающего структуру света. Эффект носит резонансный характер: при накачке светом с энергией, соответствующей основному переходу в квантовой яме, значение разностной фотоэдс максимально. Эффект объясняется конкуренцией ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Томаева М. А., Неверов В. Д., Шаненко А. А. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 P. 1–6
Добавлено: 5 сентября 2026 г.
Shabanov N., Kuricheva O., Kurbatova J. и др., / Series Working Papers SSRN "Department of Economics Ca’ Foscari University of Venice". 2026.
Добавлено: 21 августа 2026 г.