"Наноэлектроника и схемотехника". Учебник для академического бакалавриата. 3-е изд. испр. и доп. в двух частях. М.: Издательство Юрайт, 2016. Часть 2. Схемы памяти. 250 с.Часть 1. Схемы логики. 269 с.

Т. 2: "Наноэлектроника и схемотехника". Учебник для академического бакалавриата. 3-е изд. испр. и доп в двух частях. М.: Издательство Юрайт, 2016, Часть 2. Схемы памяти. 250 с. М. : Юрайт, 2016.

Трубочкина Н. К.

В учебнике представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза является не транзистор, а материал и переход (связь)  между материалами.

Приводятся данные экспериментального 2D и3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальной проектной нормой 10-20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник.

Во втором томе рассматриваются  схемы памяти компьютеров.

Представлены модели, схемы и наноструктуры  элементов и схем памяти бионического компьютера.

Ключевые слова: наноэлектроника, переходная схемотехника, схемотехника, nanoelectronics, circuit design, transition circuit design, Design rule 10-20 nm, проектная норма 10-20 нм, схемы памяти, memory circuits