Физические процессы в биполярном транзисторе

А. П. Лысенко

?

Физические процессы в биполярном транзисторе

М. : РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.

Рассматриваются вопросы физики биполярных транзисторов. Хотя список учебной и научной литературы, в которой разбираются вопросы теории транзисторов, весьма велик, многолетний опыт преподавания этого раздела твердотельной электроники показывает, что универсального учебника нет. Сделана попытка изложить достаточно сложные физические процессы в максимально упрощенном варианте. Приведены расчетные формулы и диаграммы, необходимые студентам для выполнения курсовых работ по перечисленным выше дисциплинам.

Приоритетные направления: инженерные науки

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: a bipolar transistor биполярный транзистор

Физические процессы в биполярном транзисторе

Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties

Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.

Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...

Добавлено: 14 мая 2026 г.

Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena

Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.

Добавлено: 20 апреля 2026 г.

Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates

Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.

Добавлено: 27 ноября 2024 г.

Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods

Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.

...

Добавлено: 21 октября 2024 г.

Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm

Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge

Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.

Добавлено: 10 апреля 2024 г.

High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)

Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.

Добавлено: 29 января 2024 г.

Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics

Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.

Добавлено: 15 сентября 2023 г.

Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer

Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.

Добавлено: 16 ноября 2022 г.

Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function

Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.

Добавлено: 1 ноября 2022 г.

Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations

Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.

Добавлено: 4 февраля 2022 г.

Theory of Ionic Liquids with Polarizable Ions on a Charged Electrode

Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Synthesis, structure, and PDE inhibiting activity of the anionic DNIC with 5-(3-pyridyl)-4H-1,2,4-triazole-3-thiolyl, the nitric oxide donor.

Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559

Добавлено: 16 сентября 2021 г.

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.

Добавлено: 31 мая 2019 г.

Обобщённая TCAD-модель для учёта радиационных эффектов в структурах МОП и биполярных транзисторов

Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.: М.: Техносфера, 2017. С. 344–347.

Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...

Добавлено: 18 октября 2017 г.

Измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов под действием радиации

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Измерительная техника 2016 № 10 С. 55–60

Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования этой системы для исследования радиационной стойкости транзисторов и определения параметров SPICE-моделей для расчёта схем.Рассмотрена специфика измерений электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов, подвергнутых воздействию нейтронного, электронного и γ-излучений. Разработана автоматизированная система измерений. Приведены примеры использования ...

Добавлено: 5 декабря 2016 г.

IV-Characteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors

, I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky и др., Advanced Materials Research 2015 Vol. 1083 P. 185–189

Электрические характеристики облученного транзистора в ряде случаев приходиться измерять внутри радиационной камеры с использованием длинных кабелей, что приводит к существенной погрешности измерения. В этой статье сравниваются электрические характеристики биполярного транзистора после воздейсвтия радиации и измеренные по 4-х проводной и 2-х проводной схеме, а также приведены результаты прямых (без кабелей) измерений. Показано значительное увеличение погрешности измерений ...

Добавлено: 18 февраля 2016 г.

Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.

В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...

Добавлено: 16 февраля 2016 г.

Моделирование элементов БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.

Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...

Добавлено: 16 февраля 2016 г.