• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Повреждение поверхностного слоя вольфрама при облучении стационарными ионными и импульсными пучково-плазменными потоками гелия
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург нашли способ ускорения нейросетей при помощи микролазеров
Ученые Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук Шаньдунь (Китай) смогли напрямую сопоставить скорость микродисковых лазеров, работающих от оптической и электрической энергии. Результаты позволят оптимизировать работу источников излучения в фотонных чипах для нейросетей и дата-центров. Исследование опубликовано в журналеJournal of Lightwave Technology.
30 сентября 2026 г.
ВШЭ создала веб-приложение для оценки эффекта биочар-проектов
Центр цифровых технологий для природно-климатических проектов НИУ ВШЭ разработал веб-приложение для предварительной оценки проектов по производству биочара из растительных остатков и его внесению в почву. Инструмент позволяет рассчитать потенциальный объем производства биочара и углеродных единиц, определить необходимую площадь сельскохозяйственных земель, оценить объем инвестиций и ожидаемый экономический эффект проекта.
30 сентября 2026 г.
«Нужно быть готовым отстаивать свою позицию перед более опытными исследователями»
Татьяна Багриновцева занялась нейробиологией, потому что интересовалась устройством человеческого мозга. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» она рассказала о новой методике маркировки нейронов, работе с клеточными культурами и о любимом месте в Самаре — городской набережной.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Повреждение поверхностного слоя вольфрама при облучении стационарными ионными и импульсными пучково-плазменными потоками гелия

Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез. 2024. № 3. С. 79–92.
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н., Мансурова А. Н., Масляев С. А., Демин А. С., Морозов Е. В., Епифанов Н. А., Михайлова А. Б., Латышев С. В., Бондаренко Г. Г., Гайдар А. И., Матвеев Е. В., Монахов И. С.

Проведены сравнительные исследования повреждаемости поверхности вольфрама при облучении стационарными потоками ионов гелия и импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы в ионно-лучевом ускорителе ИЛУ и в установке Плазменный фо-кус (ПФ) «Вихрь». Параметры облучения стационарными потоками ионов He+ в ИЛУ: энергия ионов гелия 30 кэВ, дозы 1,0·1018 и 2,0·1018 см–2, температура мишеней в процессе облучения не превышала ~500 К. Для облучения импульсными потоками ионов гелия и гелиевой плазмы в установке ПФ «Вихрь» образцы размещались в катодной зоне камеры ПФ «Вихрь» на расстоянии 2, 4 и 6 см от анода. Параметры облучения образцов в ПФ «Вихрь»: длительность ионного и плазменного воздействия составляет 10—30 и 50—200 нс соответственно, плотность мощности плазмы в интервале ∼107—109 Вт/см2, ионов ~109—1010 Вт/см2, число импуль-сов N = 5, 15 и 30, энергия ионов гелия составляла ~100 кэВ, температура плазмы ~1 кэВ. При облучении стационарными потоками ионов He+ дозой 1018 cм–2 обнаружено образование блистеров с периферийным разрывом крышек, характерным для хрупкого материала. Увеличение дозы облучения в 2 раза приводит к смене механизма разрушения поверхности — наблюдается отшелушивание слоёв (флекинг). При облучении образцов в ПФ «Вихрь» происходит оплавление поверхностного слоя, поверхность приобретает волнообразный рельеф, на ней появляются трещины, кратеры — следы выхода газа (гелия) и нераскрывшиеся блистеры, причём размер кратеров составляет ∼1—2 мкм, что сопоставимо с размерами блистеров при ионной имплантации He+ в ИЛУ. Выполнено численное моделирование воздействия пучка быстрых ионов гелия на W в установке ПФ «Вихрь». Методами рентгеноструктурно-го анализа обнаружены следующие эффекты: уменьшение параметров решётки при всех режимах воздействия ионных и плазменных потоков; изменения в различной степени размеров области когерентного рассеяния (ОКР), величины микродеформации решётки и текстуры. Обнаружено снижение микротвёрдости образцов вольфрама после обработки гелиевой плазмой и ионами He+ в ПФ «Вихрь», что может быть результатом воздействия двух конкурирующих факторов: отжига дефектов при мощных тепловых нагрузках (уменьшает Hμ ) и термических напряжений, возникающих при кристаллизации и охлаждении оплавленного поверхностного слоя (увеличивают Hμ ) . Обсуждаются механизмы наблюдаемых явлений.

Научное направление: Технологии материалов Физика
Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: вольфрамtungstenstationary flows of helium ionspulsed flows of helium ions and plasmadamage of surface layerстационарные потоки ионов гелияимпульсные потки ионов гелия и плазмыповреждение поверхностного слоя
Похожие публикации
Benchmarking exchangecorrelation functionals and van der Waals treatments for materials relevant to diamond-like carbon deposition
Карцев А. И., Васильев Д. А., Кущук Л. И. и др., Materials Today Communications 2026
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
The Search of the Process e+e−→(ω, ρ)→ηe+e− at 680–820 MeV c.m. Energy Range with the CMD-3 Detector
A. K. Narvatkina, Physics of Atomic Nuclei 2025 Vol. 88 No. 4 P. 386–393
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Polaron transport and Verwey transition in magnetite
Fominykh N., Стегайлов В. В., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 115132
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Role of dislocations in the mobility of pinned helium bubbles: Molecular dynamics simulations in aluminum
Piliugin L., Antropov A., Lobashev E. и др., Journal of Nuclear Materials 2026 Vol. 632 Article 156876
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
A Three-Party W-State Quantum Secret Sharing Protocol with X-Gate Encoding and Forbidden-Outcome Detection
Терегулов Т. Р., Лубенец Е. Р., / Series Quantum Physics "arXiv". 2026. No. 2609.31472.
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Constructing quasi-breathers in 𝛽-FPUT chain with the aid of genetic algorithm
Щербинин С. А., Корзникова Е. А., Дмитриев С. В. и др., Physics Letters A 2026 Vol. 591 Article 131884
В данной работе для поиска и характеризации различных квазидискретных бризеров (QB) в цепочке типа 𝛽-FPUT применяется простой генетический алгоритм (ГА). Рассматривая пространство начальных смещений частиц как ландшафт глобальной оптимизации, ГА максимизирует функцию локализации энергии, автоматически эволюционируя состояния-кандидаты в сторону сильно локализованных долгоживущих решений без каких-либо априорных предположений о симметрии. Было получено 200 QB с частотой ...
Добавлено: 28 сентября 2026 г.
Speed-up of Langmuir instability at large scales when the wave scattering is significant
Вергелес С. С., Воинцев И. А., Physics of Fluids 2026 Vol. 38 P. 024117-1–024117-8
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
Surface acoustic wave enabled all-optical determination of the interlayer elastic constants of a van der Waals interface
Frolov N. Y., Klokov A. Y., Sharkov A. I. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 P. 092201-1–092201-5
Добавлено: 26 сентября 2026 г.
InGaAsN/GaAs quantum-well-based microlasers improved by PECVD SiO2 passivation
Войтович В. И., Махов И. С., Мельниченко И. А. и др., Optics Letters 2026 Vol. 51 No. 17 P. 4872–4875
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Микролазеры с распределенными брэгговскими отражателями Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Оптика и спектроскопия 2026 Т. 134 № 3 С. 272–277
Представлены результаты по реализации генерации при повышенных температурах в лазерах с длиной волны генерации 980 nm на основе вертикального микрорезонатора с использованием непоглощающих на длине волны оптической накачки зеркал. Минимальная пороговая мощность накачки составила ~0.8 mW и соответствовала температуре 150 K. Добротность микрорезонатора, определенная на пороге генерации, превысила 13000. Максимальная рабочая температура микролазера составила 195 ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Одночастотная генерация лазеров на основе вертикального микрорезонатора при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 40–43
Реализована одночастотная генерация при 300 K в лазерах на основе вертикального микрорезонатора. Для лазеров с полупроводниковым выводным зеркалом пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 kW/cm2. Добротность микрорезонатора и длина волны излучения, определенные на пороге генерации, равнялись 8800 и ~ 959.8 nm. Применение конструкции микрорезонатора с гибридным выводным зеркалом позволило повысить добротность микрорезонатора (до 12 360) ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Высокодобротные планарные микрорезонаторы, обеспечивающие генерацию при комнатной температуре
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 18 С. 30–34
Представлены результаты реализации генерации при комнатной температуре в планарных вертикальных микрорезонаторах на основе зеркал Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As. При 300 K пороговая плотность мощности и добротность на пороге генерации составили 11.4± 0.7 kW/cm2 и 5070± 160 соответственно. Двукратное превышение порога генерации привело к увеличению добротности микрорезонатора до 19 000. Эффективный латеральный теплоотвод подтвержден малым сдвигом энергии кванта, который составил ...
Добавлено: 25 сентября 2026 г.
Critical dynamics of conformational exchange in a nearcritical solvent: A statistical-mechanical three-mode theory
Будков Ю. А., Kiselev M. G., Journal of Chemical Physics 2026 Vol. 165 No. 12 Article 124508
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
Effect of crack size and its position on cyclic deformation behavior of refractory highentropy alloy HfNbTiZr
Корзникова Е. А., Babicheva R. I., Davletbakov A. A. и др., JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ENGINEERING 2026 Vol. 21 Article 84
С помощью комбинированного моделирования методами Монте-Карло (МК) и молекулярной динамики (МД) исследовано влияние положения и размера трещины на ближний порядок (SRO) и поведение при высокотемпературном циклическом деформировании тугоплавкого высокоэнтропийного сплава (RHEA) HfNbTiZr с использованием моделей бикристаллов. Установлено, что на процесс формирования ближнего порядка влияет не только размер трещины (а именно величина ее раскрытия), но и ...
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
First-principles study of the influence of the chlorine, oxide, and sulfur impurities on the grain boundary strength in aluminium and copper
Корзникова Е. А., Mukhametov A., Samikov I. и др., Computational Condensed Matter 2026 Vol. 47 Article e01295
Сплавы на основе алюминия (Al) и меди (Cu) могут подвергаться коррозии в агрессивных средах. Это происходит вследствие того, что коррозионно-активные ионы проникают в межзеренные области и взаимодействуют с атомами основной матрицы на границах зерен (ГЗ). Поэтому понимание механизмов, действующих на атомном уровне на границах зерен, имеет решающее значение для повышения коррозионной стойкости Al и Cu ...
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
ChronoCast: A time-series paradigm for molecular dynamics simulation using equivariant graph neural networks
Кузькин В. А., Кривцов А. М., Wang Y. и др., Physical Review E - Statistical, Nonlinear, and Soft Matter Physics 2026 Vol. 113 Article 65305
Мы предлагаем подход к моделированию молекулярной динамики на основе анализа временных рядов, получивший название ChronoCast; в нем используется усовершенствованная авторегрессионная эквивариантная графовая нейронная сеть, преобразующая традиционно трудоемкий процесс интегрирования уравнений движения в задачу прогнозирования. Такое переосмысление задачи открывает перспективный путь к преодолению проблемы огромных вычислительных затрат, характерной для исследования сложных физических систем с помощью классических ...
Добавлено: 24 сентября 2026 г.
Room temperature microlasers based on quasi-planar geometry
Крыжановская Н. В., Махов И. С., Драгунова А. С., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2026 Vol. 19 No. 1.1 P. 98–104
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Plasma excitations in thin-film NbN probed by terahertz spectroscopy
Андреева С. А., Gavrilov A. A., Dzhikirba K. R. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 Article 134515
Добавлено: 23 сентября 2026 г.
Influence of Pulsed Laser Radiation on the Morphology and Surface Properties of Tungsten Implanted with Helium Ions
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2026 Vol. 89 No. 1 P. S48–S55
Добавлено: 22 июля 2026 г.
Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и свойства поверхности вольфрама, имплантированного ионами гелия
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Коршунов С. Н. и др., Вопросы атомной науки и техники. Термоядерный синтез 2025 Т. 48 № 3 С. 135–146
Проведено исследование влияния мощного импульсного лазерного излучения (ЛИ), создаваемого в установке ГОС 1001 в режиме модулированной добротности с плотностью мощности потока, равной 1,0·1014 Вт/м2, длительно-стью импульса t = 50 нс, числом импульсов N от 1 до 8 на структуру и микротвёрдость поверхности образцов вольфрама, размещённых в вакуумной камере. Образцы облучены в исходном состоянии и после ...
Добавлено: 26 декабря 2025 г.
The Impact of Pulsed Helium Ion-Plasma Flows and Electron Beams Generated in the Plasma Focus Device on a Tungsten Single Crystal
Pimenov V. N., Borovitskaya I. V., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2025 Vol. 16 No. 6 P. 1863–1873
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Особенности повреждаемости поверхностных слоев монокристаллического вольфрама под воздействием мощных импульсных потоков ионов гелия и плазмы
Боровицкая И. В., Пименов В. Н., Масляев С. А. и др., Металлы 2025 № 4 С. 93–103
Проведено исследование структурного состояния и микротвердости поверхностного слоя образцов монокристаллического вольфрама после воздействия импульсными потоками ионов He+ и гелиевой плазмы, генерируемыми в установке Плазменный фокус «Вихрь» (ИМЕТ РАН). Параметры облучения: плотность мощности плазмы 108 Вт/см2 и ионов 2·109 Вт/см2 при длительности воздействия плазмы и ионов 100 и 20 нс соответственно; число импульсных воздействий 15; энергия ионов гелия ~100 кэВ; ...
Добавлено: 10 октября 2025 г.
Damage of the Tungsten Surface Layer under Irradiation by Steady-State Ion and Pulsed Beam-Plasma Helium Fluxes
Borovitskaya I. V., Pimenov V. N., Korshunov S. N. и др., Physics of Atomic Nuclei 2025 Vol. 88 No. 1 P. S67–S78
Добавлено: 22 июля 2025 г.
Two-temperature molecular dynamics simulations of crystal growth in a tungsten supercooled melt
Joás Grossi, Писарев В. В., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 35 No. 1 Article 015401
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору