?
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.
Петросянц К. О., Попов Д. А., В кн. : Труды XXV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 6-11 июля 2015г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2015. С. 424-431.
В работе рассмотрены физические модели Synopsys TCAD для моделирования МОП-транзисторов с high-k диэлектриком. В описание модели туннелирования и радиационной модели внесены изменения, позволившие достичь хорошей сходимости с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402-403
Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Добавлено: 30 января 2018 г.
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Харитонов И. А. и др., , in : International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts. : M. : ФТИАН, 2012. P. P1-08.
В тезисах приведены результаты 3D приборно-технологического моделирования эффектов саморазогрева в n-канальных объемных и КНИ n-МОП транзисторах с проектными нормами 0.1 мкм. Был проведен расчет температурных полей в каналах МОП-транзисторов и определены их максимальные рабочие температуры. Исследован эффект саморазогрева в КНИ n-МОП-транзисторах с различной толщиной приборного слоя кремния. ...
Добавлено: 11 января 2013 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : Proceedings of the 2nd International Conference on Microelectronic Devices and Technologies (MicDAT '2019). : Barcelona : International Frequency Sensor Association (IFSA), 2019. P. 24-28.
Добавлено: 4 июня 2019 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2013. P. 312-315.
Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки ...
Добавлено: 4 октября 2013 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
Добавлено: 24 марта 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., В кн. : Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г. : М. : Техносфера, 2017. С. 344-347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 18 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Известия высших учебных заведений. Электроника 2017 Т. 22 № 6 С. 569-581
В работе моделируется воздействие ионизирующего излучения на 45 нм МОП-транзисторы с high-k диэлектриком, изготовленные по технологии на объёмном кремнии и диэлектрической подложке. Разработан и введен набор новых полуэмпирических моделей, учитывающих деградацию радиационно-зависимых параметров от воздействия ионизирующего излучения: подвижность, время жизни, зависимость плотности заряда в объеме SiO2 и HfO2 и на границах HfO2/Si от дозы ионизирующего излучения. ...
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., Попов Д. А., , in : 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). : Cluj : IEEE, 2019. P. 1-4.
Добавлено: 31 мая 2019 г.
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Попов Д. А., В кн. : Микроэлектроника и информатика – 2013. Тезисы докладов. : Зеленоград : МИЭТ, 2013. С. 108-108.
В настоящее время КМОП КНИ технология широко используется. По сравнению со стандартной структурой на объемном кремнии, рабочая область МОП-транзистора окружена оксидом, который имеет меньшую тепловую проводимость по сравнению с кремнием. Это способствует нагреву транзистора, что может оказать заметное влияние на его характеристики. ...
Добавлено: 31 мая 2013 г.
Konstantin O. Petrosyants, Попов Д. А., , in : 2nd International Conference on Modeling Identification and Control. MIC 2015. Vol. 119.: P. : Atlantis Press, 2015. P. 174-176.
Добавлено: 20 февраля 2016 г.
Мадера А. Г., Компьютерные исследования и моделирование 2018 Т. 10 № 4 С. 483-494
Статья посвящена эффекту тепловой обратной связи, возникающему при функционировании интегральных микросхем и электронных систем, использующих микросхемы. Тепловая обратная связь обусловливается тем, что потребляемая при функционировании микросхемы мощность нагревает ее и, в силу значительной зависимости ее электрических параметров от температуры, между ее электрическими и тепловыми процессами возникает интерактивное взаимодействие. Воздействие тепловой обратной связи приводит к изменению ...
Добавлено: 6 ноября 2019 г.
Жаднов В. В., Качество. Инновации. Образование 2014 № 10 С. 35-41
В статье рассматривается вопросы расчётной оценки допусков температур корпусов электрорадиоэлементов, установленных на печатной плате. Приводится описание методов расчета допусков и основные расчетные соотношения. Показана целесообразность применения метода Монте-Карло для расчётной оценки допусков температур корпусов электрорадиоэлементов, установленных на печатной плате. ...
Добавлено: 25 ноября 2014 г.
50584562, Попов Д. А., L. M. Sambursky и др., Russian Microelectronics 2016 Vol. 45 No. 7 P. 460-463
Добавлено: 2 марта 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521-525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Добавлено: 17 февраля 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., , in : 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017). : Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1-3.
Добавлено: 16 октября 2017 г.
Петросянц К. О., Попов Д. А., Быков Д. В., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Добавлено: 22 октября 2018 г.
Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility 2015 Vol. 57 No. 5 P. 947-954
Добавлено: 15 января 2016 г.
Королев П. С., Полесский С. Н., Серебрякова Ю. О. и др., Авиакосмическое приборостроение 2020 № 6 С. 40-49
Лампы бегущей волны (ЛБВ) получили широкое распространение в усилителях мощности для радиосредств передачи информации, в том числе в космической аппаратуре, так как именно для них предъявляются высокие требования к обеспечению надежности, например, по причине отсутствия возможности проведения технического обслуживания на протяжении длительного срока активного существования. Отсюда и появляется проблема гарантийной и достоверной оценки единичных показателей ...
Добавлено: 6 мая 2020 г.