?
Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD
Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96–97.
Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Konstantin O. Petrosyants, Denis S. Silkin, Dmitriy A. Popov, , in: Proceedings of the Future Technologies Conference (FTC) 2024, Volume 3. (LNNS, volume 1156).: Switzerland: Springer, 2024. P. 643–652.
Добавлено: 6 ноября 2025 г.
Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2(135) С. 871–879
Отработан алгоритм ускоренного получения электротепловых характеристик силовых схем с помощью ПО Python. Приведены результаты электротепловых расчетов для ряда силовых схем с ускоренным процессом получения их тепловых характеристик с использованием стандартного маршрута электротеплового SPICE-анализа. ...
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
IEEE, 2025.
Добавлено: 5 ноября 2025 г.
Попов Д. А., Жаров Е. Е., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 707–709
В работе рассматривается возможность применения методов машинного обучения для моделирования вольт-амперных характеристик МОП-транзистора. Приведено обоснование замены приборно-технологического моделирования на модели полупроводниковых компонентов на базе нейронных сетей (ML-TCAD). Для иллюстрации подхода разработана модель для 130-нм МОП-транзистора и проведен расчет входных вольт-амперных характеристик (ВАХ). ...
Добавлено: 13 апреля 2025 г.
Shelepenkov D., Essel A., Косоногов В. В., American Journal of Physiology - Regulatory Integrative and Comparative Physiology 2025 Vol. 329 No. 1 P. R81–R85
Добавлено: 22 марта 2025 г.
Максименко Ю. Н., Петросянц К. О., Силкин Д. С. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 6 С. 772–786
Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. ...
Добавлено: 14 февраля 2025 г.
Dli M. I., Bobkov V. A., Bykov A. A. и др., CIS Iron and Steel Review 2024 Vol. 28 P. 4–8
The results of experimental analysis of the regularities of chemical and metallurgical process of iron-bearing ore desulfurization for different conditions of liquid phase sintering are presented. This process is conducted with addition of catalytic impurities and variation of chemical composition of the heat-carrying gas, in order to reveal the optimal procedure of chemical and metallurgical ...
Добавлено: 20 января 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Chuvilin E., Bukhanov B., Yurchenko A. и др., Marine and Petroleum Geology 2022 Vol. 138 Article 105550
Добавлено: 30 сентября 2024 г.
Добавлено: 27 сентября 2024 г.
Добавлено: 26 сентября 2024 г.
Bobkov V. I., Dli M. I., Orekhov V. A. и др., CIS Iron and Steel Review 2024 Vol. 27 P. 4–8
Добавлено: 26 сентября 2024 г.
Зубкова А. И., Харитонов И. А., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-2(128) С. 745–751
В работе описана программа на языке Python, реализующая цифровые двойники мощных МОП-транзисторов. Описаны структура и интерфейс этой программы, воспроизводимые статические, динамические и тепловые характеристики МОПТ, другие возможности программы. Возможности программы продемонстрированы на примере отечественных мощных МОП-транзисторов 2П829Д и 2П782Ж1. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Силкин Д. С. и др., Наноиндустрия 2024 Т. 17 № S10-1(128) С. 302–312
В статье представлена комбинированная TCAD-SPICE-модель для оценки стойкости ячеек памяти к удару одиночного ядра частицы (ОЯЧ), в которой учитываются физические параметры транзисторов, схемотехника ячейки памяти и параметры ударяющей частицы. Модель и программные средства откалиброваны для технологий КМОП с проектными нормами 90 нм, 65 нм. В работе приведены оценки стойкости ячеек памяти с разными проектными нормами ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Тегин М. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2024 Т. 29 № 1 С. 65–78
Большие скачки температуры в структурах мощных полупроводниковых приборов при их включении и выключении существенно снижают надежность работы силовых схем. Широко используемые маршруты электротеплового моделирования тепловых схем имеют ряд недостатков: использование взаимосвязанных Spice-симуляторов электрических цепей и пакета 3D численного моделирования тепловых полей требует детального описания 3D-конструкций и больших затрат компьютерного времени; использование только Spice-подобных симуляторов электрических ...
Добавлено: 7 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2023 Т. 28 № 6 С. 826–837
С уменьшением размеров транзисторов возникают условия, когда удар одной частицы затрагивает сразу несколько транзисторов в составе ячейки памяти. Вследствие этого при моделировании недостаточно учитывать один транзистор, в который непосредственно попадает частица. В работе рассмотрена полноразмерная 3D-модель двух n-канальных транзисторов, являющихся частью 6T-ячейки памяти, в которую ударяет заряженная частица. Предложен способ моделирования удара частицы, который позволяет ...
Добавлено: 11 января 2024 г.
Экспериментально установлено, что выращенные в лаборатории более крупные колонии Dynamena pumila (Hydrozoa, Cnidaria), включающие 10–11 молодых побегов, менее устойчивы к повышению температуры воды до верхнего температурного предела данного вида (25 °С), чем такие же колонии меньшего размера с одним-двумя побегами. При повышении температуры часть гидрантов временно деградирует, а дефицит пищи в большей степени испытывают колонии ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.