• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Effective removal of global tilt from atomically-resolved topography images of vicinal surfaces with narrow terraces
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
11 июня 2026 г.
Время жизни популяций определяется законами математики
Исследователи НИУ ВШЭ и МГУ доказали универсальный закон, описывающий время исчезновения популяций в случайной среде. Анализ эволюции ветвящихся процессов — сложных вероятностных систем — показал, что вне зависимости от изначального числа особей процесс вымирания подчиняется строгим математическим закономерностям. Результаты опубликованы в Journal of Applied Probability.
8 июня 2026 г.
«За 12 лет на нашем счету почти 1000 операций с пробуждением»
В НИУ ВШЭ прошла XIII Летняя нейролингвистическая школа, организованная Центром языка и мозга при поддержке факультета гуманитарных наук НИУ ВШЭ. В центре внимания слушателей была совместная работа нейролингвистов, нейрохирургов и нейрофизиологов в операционной, стандартизация лингвистических парадигм и практические подходы к сохранению речевой функции пациентов.
5 июня 2026 г.
Аспирантка НИУ ВШЭ открыла «невидимую» планировку античного Париона
Исследовательница из НИУ ВШЭ Идиль Малгиль изучила с помощью дрона с лазерным сканером сверхвысокого разрешения древнеримский город Парион, расположенный на территории современной Турции. Благодаря высокой плотности сканирования удалось зафиксировать крошечные неровности рельефа, скрытые под землей и растительностью. Обнаружены следы целых кварталов, террасных систем и стен, которые невозможно было различить ни при обычных раскопках, ни с помощью аэрофотосъемки. Результаты исследованияо публикованы в международном научном журнале Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Effective removal of global tilt from atomically-resolved topography images of vicinal surfaces with narrow terraces

Ultramicroscopy. 2024. Vol. 267. Article 114053.
Aladyshkin A. Y., Chaika A. N., Semenov V. N., A.M. Ionov, Bozhko S.
Научное направление: Физика Технологии материалов Математика
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: поверхностьsurfacedata vizualizationанализ данных и визуализацияScanning tunneling microscopy (STM)физика поверхности, структура, СТМ, дислокации
Похожие публикации
On the Ramsey Number R(K_{1,s},P_t)
Kh. Kh. Abdullin, D. B. Mokeev, D. S. Taletskii, Mathematical notes 2026 Vol. 119 No. 1 P. 3–7
Добавлено: 10 июня 2026 г.
Спонтанное образование скин-слоя в воде с деформацией ОН-полосы КР вкладом компоненты льда 3200 см-1
Першин С. М., Степанов Е. В., Артемова Д. Г. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 123 № 6 С. 383–390
Открыто спонтанное образование в течение 4 ч скин-слоя дистиллированной воды толщиной до 3 мм при комнатной температуре с новыми свойствами. Обнаружены деформация ОН-полосы комбинационного рассеяния вкладом компоненты льда ( 3200 см-1), снижение коэффициента упругого рассеяния и его флуктуаций, а также увеличение на 20 капиллярах. Восстановление слоя после обогащения воздухом в результате перемешивания указывает на стабильность ...
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Innovations in Information and Decision Sciences. Proceedings of the 13th International Conference on Frontiers in Intelligent Computing: Theory and Applications (FICTA 2025), Volume 4
Springer, 2026.
Добавлено: 8 июня 2026 г.
Relativistic effects in the interaction of electrons with a slow extraordinary wave
N.S. Artekha, D.R. Shklyar, Physics of Plasmas 2026 Vol. 33 No. 6 Article 062105
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Structural and broadband radio-frequency properties of InGaZnO4 nanoparticles synthesized by gel decomposition method
Zirnik G., Остовари М. А., Zhukov S. и др., Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2026 Vol. 37 Article 738
Добавлено: 6 июня 2026 г.
Wave dynamics within the Whitham-Ostrovsky equation
Flamarion M. V., Пелиновский Е. Н., Nonlinear Dynamics 2026 Vol. 114 Article 784
Добавлено: 5 июня 2026 г.
Обэриуты в кругу Михаила Кузмина (сетевой анализ)
Пахомова А. С., Вестник Московского университета. Серия 9: Филология 2026 № 1 С. 162–177
С середины 1920-х гг. будущие обэриуты — А.И. Введенский, Д. Хармс, К.К. Вагинов — сблизились с кругом поэта, прозаика и драматурга М.А. Кузмина и к концу десятилетия стали постоянными посетителями его дома. Тема «Кузмин и обэриуты» достаточно разработана, однако в много численных исследованиях фокус смещается на прагматику сближения с из вестным писателем самих чинарей, для которых контакты с Кузминым были способом ...
Добавлено: 1 апреля 2026 г.
Initial stage of the O2 adsorption on Ag(100): vacancies and local oxide formation
B.V. Andryushechkin, Павлова Т. В., В.М. Ш. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2026 Vol. 28 No. 1 P. 47–51
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
Identification of the Surface Phases Formed on the Ag(111) Face during Molecular Oxygen Adsorption at Room Temperature
B. V. Andryushechkin, Pavlova T. V., Shevlyuga V. M. и др., Physics of Wave Phenomena 2025 Vol. 33 No. 6 P. 424–433
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
Iodine adsorption on the Ag(110) surface: Uniaxial compression and iodide growth
B.V. Andryushechkin, Denisenkov V. S., Komarov N. S. и др., Surface Science 2025 Vol. 760 Article 122769
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
Нелинейная генерация течений волнами на поверхности жидкости
Вергелес С. С., Левченко А. А., Парфеньев В. М., Успехи физических наук 2025 Т. 195 № 11 С. 1199–1220
Затухание поверхностных волн из-за вязкой диссипации сопровождается возбуждением медленных вихревых течений благодаря сохранению полного импульса. Мы представляем теоретическую модель для волн малой амплитуды, объясняющую эксперименты по генерации вихревых течений скрещенными волнами. Особое внимание уделено влиянию поверхностных загрязнений, которое учтено в рамках модели тонкой жидкой эластичной пленки, приводящей к усилению диссипации волн и интенсификации вихревых течений. ...
Добавлено: 9 ноября 2025 г.
Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427
Добавлено: 20 октября 2025 г.
Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface
T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701
Добавлено: 27 июня 2025 г.
PBr3 adsorption on a chlorinated Si(100) surface with mono- and bivacancies
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701
For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...
Добавлено: 2 июля 2024 г.
Structutral Phase Transitions in the Chemisorbed Chlorine Layer on Ag(100)
B. V. Andryushechkin, Loginov B. A., Physics of Wave Phenomena 2023 Vol. 31 No. 2 P. 67–73
Добавлено: 24 марта 2024 г.
New insights into the structure of the Ag(111)-p(4 × 4)-O phase: high-resolution STM and DFT study
B. V. Andryushechkin, Pavlova T. V., Shevlyugaa V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2024 Vol. 26 No. 2 P. 1322–1327
Добавлено: 24 марта 2024 г.
Enhancing the reactivity of Si(100)–Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Unraveling the atomic and electronic structure of nanocrystals on superconducting Nb(110): Impact of the oxygen monolayer
Berman S., Zhussupbekova A., Walls B. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 107 No. 16 Article 165425
Добавлено: 24 декабря 2023 г.
Investigation of Electronic and Atomic Structure and Transport Properties of Black Phosphorus Single Crystals
Chekmazov S. V., Zagitova A. A., Ионов А. М. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2023 Vol. 17 No. 3 P. 620–624
Добавлено: 19 декабря 2023 г.
О РАВНОВЕСНЫХ КОНФИГУРАЦИЯХ ЗАРЯЖЕННЫХ ИОНОВ В ПЛАНАРНЫХ СИСТЕМАХ С КРУГОВОЙ СИММЕТРИЕЙ
Никонов Э. Г., Назмитдинов Р. Г., Глуховцев П. И., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2023 № 2 С. 71–76
Проблема нахождения равновесных конфигураций одноименно заряженных частиц (ионов), индуцированных внешними электростатическими полями в планарных системах, представляет огромный интерес как для фундаментальных, так и прикладных исследований. В настоящей работе представлены результаты численного анализа равновесных конфигураций отрицательно заряженных частиц (электронов), запертых в круговой области бесконечным внешним потенциалом на ее границе. Для поиска устойчивых конфигураций с минимальной энергией разработан ...
Добавлено: 19 июля 2023 г.
PBr3 Adsorption and Dissociation on the Si(100) Surface
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978–8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces
Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Andryushechkin B. V. и др., Applied Surface Science 2022 Vol. 591 Article 153080
Добавлено: 22 июня 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору