Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept

В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As

Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем

Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355

Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency

Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures

Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Спин-зависимое туннелирование в двойной квантовой точке в режиме "медленной" эволюции

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978

Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers

Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers

Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Single-spin Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interferometry of Zeeman-split states with strong spin-orbit interaction in a double quantum dot

Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами

Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554

Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Controllable single-spin evolution at subharmonics of electric dipole spin resonance enhanced by four-level Landau-Zener-Stückelberg-Majorana interference

Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Управление спиновой динамикой в двойной квантовой точке в условиях электрического дипольного спинового резонанса через перестраиваемое спин-орбитальное взаимодействие

Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 4 С. 173–178

Рассматривается влияние соотношения вкладов Рашбы и Дрессельхауза в спин-орбитальном взаимодействии на траекторию спина на сфере Блоха, индуцируемую периодическим электрическим полем в двойной квантовой точке в полупроводнике GaAs, при условии электрического дипольного спинового резонанса. Показано, что изменение амплитуды параметра Рашбы, которое может быть осуществлено полем затвора, приводит к изменению плоскости вращения спина в широких пределах. Предсказанный ...

Добавлено: 6 сентября 2026 г.

Non-epitaxial perovskite polariton laser diode operating under direct current

Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Nature 2026 Vol. 656 P. 80–85

Добавлено: 27 августа 2026 г.

Монолитная интеграция микродисковых лазеров на основе InGaAs/GaAs квантовых точек с просветляемыми оптическими волноводами

Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14

Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...

Добавлено: 27 августа 2025 г.

Ultrahigh Modal Gain in Stripe Injection Lasers and Microlasers Based on InGaAs/GaAs Quantum Dots

Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Bulletin of the Lebedev Physics Institute 2025 Vol. 52 No. S1 P. S1–S6

Добавлено: 2 июля 2025 г.

Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique

Махов И. С., Комаров С. Д., Фоминых Н. А. и др., Optics Letters 2025 Vol. 50 No. 2 P. 387–390

Добавлено: 9 января 2025 г.

Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках

Крыжановская Н. В., Махов И. С., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 21 С. 57–60

Исследована зависимость положения линии лазерной генерации от оптических потерь в полосковых лазерах, содержащих различное число слоев плотных массивов квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых ям-точек). Получено аналитическое выражение, устанавливающее в явном виде связь положения максимума спектра усиления с величиной усиления в максимуме для массива с гауссовской плотностью состояний. Продемонстрировано хорошее согласие предсказаний модели с экспериментальными данными. Насыщенное ...

Добавлено: 14 октября 2024 г.

III–V microdisk lasers coupled to planar waveguides

N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh и др., Journal of Applied Physics 2023 Vol. 134 No. 10 Article 103101

Добавлено: 30 октября 2023 г.

Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser

Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Optics Letters 2023 Vol. 48 No. 13 P. 3515–3518

Добавлено: 27 июня 2023 г.

Half-Ring Microlasers Based on InGaAs Quantum Well-Dots with High Material Gain

Fedor Zubov, Моисеев Э. И., Mikhail Maximov и др., Photonics 2023 Vol. 10 No. 3 Article 290

Добавлено: 27 июня 2023 г.

Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках

Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 18–21

Предложена схема кодирования и передачи информации, основанная на использовании лазера на квантовых точках, который в зависимости от тока инжекции излучает либо одну из двух, либо одновременно две спектральные компоненты, сильно разделенные по длине волны. При модуляции лазера током каждая линия излучения детектируются независимым фотодиодом, и, таким образом, информация кодируется как интенсивностью каждой из линий, так ...

Добавлено: 27 июня 2023 г.

Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108

Добавлено: 26 января 2023 г.

Ultrahigh modal gain in stripe injection lasers and microlasers based on InGaAs/GaAs quantum dots

Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Kvantovaya Elektronika 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593–596

Добавлено: 13 декабря 2022 г.