?
Nonlinear microwave response of clean superconducting films
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2022. Vol. 106. No. 9. Article 094505.
Radkevich A., Семенов А. Г.
Копьев А., JETP Letters 2026 Vol. 123 No. 5 P. 310–316
Добавлено: 18 сентября 2026 г.
С помощью молекулярно-динамического моделирования были изучены структурные свойства нематических жидких кристаллов (ЖК) на основе пентилцианобифенила (5CB) и пентилоксицианобифенила (5OCB), легированных наночастицами золота (НЧЗ) разного количества, формы и размера. В жидкие кристаллы на основе цианобифенила 5CB и 5OCB были добавлены сферические НЧЗ двух разных радиусов и стержнеобразные НЧЗ. Для описания структурных свойств цианобифениловых нематических жидких кристаллов, ...
Добавлено: 17 сентября 2026 г.
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
D.L. Gurina, Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Danil Kobtsev, Jarashneli A., Maman N. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2026 Vol. 16 No. 17 Article 8577
Добавлено: 30 августа 2026 г.
Duran E. ., Pulgar A., Izquierdo R. и др., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials 2026 Vol. 223 No. 7 Article e202500942
Добавлено: 1 июня 2026 г.
Stolyarov V. S., Kozlov S. N., Yakovlev D. S. и др., Communications Materials 2026 Vol. 7 Article 91
Добавлено: 5 февраля 2026 г.
S.S. Apostoloff, Andriyakhina E. S., I.S. Burmistrov, Physics-Uspekhi 2025 Vol. 68 No. 11 P. 1092–1111
Добавлено: 13 января 2026 г.
Ивашенцева И. В., Каурова Н. С., Воронов Б. М. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 129–133
Сверхпроводящие пленки NbN, изготовленные методом реактивного магнетронного распыления, являются чувствительным элементом болометров на эффекте © Ivashentseva I.V., Kaurova N.S., Voronov B.M., Goltsman G.N., Tretyakov I.V., 2025. Published by Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. 129 St. Petersburg Polytechnic University Journal. Physics and Mathematics. 2025. Vol. 18. No. 3.2 электронного разогрева HEB. Основной принцип HEB ...
Добавлено: 24 декабря 2025 г.
Nosov P. A., Andriyakhina E. S., Бурмистров И. С., Physical Review Letters 2025 Vol. 135 No. 5 Article 056001
Добавлено: 11 сентября 2025 г.