?
Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 μm
Письма в Журнал технической физики. 2022. Т. 48. № 18. С. 36-40.
Гордеев Н. Ю., Моисеев Э. И., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Бекман А. А., Корнышов Г. О., Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Жуков А. Е., Максимов М. В.
Исследованы температурные характеристики кольцевых лазеров диаметром 480 μm оригинальной
конструкции с активной областью на основе десяти слоев квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Ла-
зеры продемонстрировали низкую пороговую плотность тока (200А/cm2 при 20◦C в непрерыв-
ном режиме генерации), характеристическая температура порогового тока в диапазоне 20−100◦C
составила 68K, максимальная температура генерации 130◦C. Данные величины лишь незначитель-
но уступают параметрам торцевых лазеров, изготовленных из той же эпитаксиальной структу-
ры.
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Максимов М. В., Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 18-21
Предложена схема кодирования и передачи информации, основанная на использовании лазера на квантовых точках, который в зависимости от тока инжекции излучает либо одну из двух, либо одновременно две спектральные компоненты, сильно разделенные по длине волны. При модуляции лазера током каждая линия излучения детектируются независимым фотодиодом, и, таким образом, информация кодируется как интенсивностью каждой из линий, так ...
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Fedor I. Zubov, Eduard I. Moiseev, Mikhail V. Maximov и др., IEEE Photonics Technology Letters 2022 Vol. 34 No. 24 P. 1349-1352
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Ledentsov N. N., Shchukin V. A., Shernyakov Y. M. и др., Solid-State Electronics 2019 Vol. 155 P. 129-138
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Фетисова М. В., Корнев А. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 23 С. 10-13
Показана возможность использования для биодетектирования микродисковых лазеров диаметром ~ 10 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, синтезированных на подложках GaAs. В качестве детектируемого объекта использовались химерные моноклональные антитела к белку CD20, ковалентно прикрепляемые к поверхности микродисковых лазеров, работающих при оптической накачке и комнатной температуре в водной среде. Показано, что присоединение вторичных антител ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256-263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Quantum Electronics 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593-596
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Муретова М. Е., Ф.И. Зубов, Асрян Л. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 3 С. 363-369
На основе численного моделирования выполнен поиск асимметричных барьерных слоев (АБС) для лазерного диода с волноводом GaAs, излучающего на длине волны λ=980 нм. Пара АБС, прилегающих к активной области по обе стороны, блокирует нежелательные потоки носителей заряда и снижает паразитную спонтанную рекомбинацию в волноводных слоях. Предложены оптимальные конструкции АБС на основе AlGaAsSb и GaInP для блокирования ...
Добавлено: 11 августа 2022 г.
Надточий А. М., Gordeev N., Kharchenko A. и др., Journal of Lightwave Technology 2021 Vol. 39 No. 23 P. 7479-7485
Добавлено: 28 ноября 2021 г.
Жуков А. Е., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 922-927
Экспериментально и с помощью численного моделирования исследованы внутренние потери на пороге
генерации в лазерных резонаторах с плотными массивами квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых яматочек) в зависимости от числа их рядов и величины потерь на вывод излучения. Найдены численные значения
параметров, определяющие поглощение на свободных носителях в активной области и в расширенном
волноводе. Определена оптимальная конструкция лазерного диода для достижения ...
Добавлено: 3 октября 2022 г.
Han L., Wang Z., Gordeev N. и др., Micromachines 2023 Vol. 14 No. 6 Article 1271
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 12 С. 1223-1228
С помощью скоростных уравнений проанализированы характеристики тандема лазерный диод−полупроводниковый оптический усилитель, формируемых из одной гетероструктуры с квантовыми точками.
Определено оптимальное значение коэффициента распределения тока накачки между усилителем и лазером,
а также оптимальные длины резонаторов, обеспечивающие наибольшую выходную мощность тандема.
Показано, что использование тандема позволяет при том же полном потребляемом токе существенно (более
чем в 4 раза для 1А) увеличить ...
Добавлено: 25 ноября 2021 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Seidelman T., Schimpf C., Bracht T. и др., Physical Review Letters 2022 Vol. 129 No. 19 Article 193604
Entangled photon pairs are key to many novel applications in quantum technologies. Semiconductor quantum dots can be used as sources of on-demand, highly entangled photons. The fidelity to a fixed maximally entangled state is limited by the excitonic fine-structure splitting. This work demonstrates that, even if this splitting is absent, the degree of entanglement cannot ...
Добавлено: 1 декабря 2022 г.
Добавлено: 23 ноября 2021 г.